【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体的说，涉及形成具有用于其电容器底板的横向支撑的双侧电容器的方法。
技术介绍
在包括存储元件的半导体器件，例如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和一些微处理器的制造期间，通常形成诸如容器式电容器(container capacitor)和支座式电容器(pedestal capacitor)之类的电容器。众所周知，容器和支座式电容器允许通过增加可以存储电荷的表面区域比平面电容器增加了存储的电荷。图1-7示出利用多晶硅形成多个容器式电容器的常规方法。支座式电容器的形成是类似的，但底板是固体栓，并且单元电介质和顶板与底板的外部共形以形成单侧垂直定向电容器。图1示出包括半导体晶片12并在该晶片12内具有多个掺杂源/漏区14的半导体晶片衬底组件10。图1进一步示出晶体管16，该晶体管包括栅极氧化物18、掺杂的多晶硅控制栅20、提高控制栅20的电导率的诸如硅化钨的硅化物22、和通常用氮化硅制作的盖层24。形成氮化硅隔离物26以使控制栅20和硅化物22与多晶硅触垫(pad)28绝缘，容器式电容器将与该多晶硅触垫电...
【技术保护点】
一种用于形成半导体器件的方法，包括：在基底介电层内形成多个容器式电容器底板；在每个电容器底板周围形成支撑环，该支撑环中具有暴露基底介电层的多个开口；以及通过该环中的开口刻蚀基底介电层以暴露该多个容器式电容器底板的侧壁 ，其中在刻蚀基底介电层之后，支撑环支撑该多个容器式电容器底板中的每一个。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-4 10/656,7321.一种用于形成半导体器件的方法，包括在基底介电层内形成多个容器式电容器底板；在每个电容器底板周围形成支撑环，该支撑环中具有暴露基底介电层的多个开口；以及通过该环中的开口刻蚀基底介电层以暴露该多个容器式电容器底板的侧壁，其中在刻蚀基底介电层之后，支撑环支撑该多个容器式电容器底板中的每一个。2.权利要求1的方法，进一步包括在该多个容器式电容器底板的侧壁上和在支撑环上形成单元电介质。3.权利要求2的方法，进一步包括在单元介电层上和在支撑环上方形成电容器顶板。4.权利要求1的方法，进一步包括在通过环中的开口刻蚀基底介电层期间基本上除去全部基底介电层，使得该环接触该多个电容器底板并通常不与任何其它层接触。5.权利要求1的方法，进一步包括在基底介电层的水平表面上用从包括二氧化硅、硼磷硅酸盐玻璃、和原硅酸四乙酯的组中选择的材料形成覆盖层；以及刻蚀该覆盖层以形成支撑环。6.权利要求1的方法，进一步包括在形成容器式电容器底板之前形成覆盖支撑环层；刻蚀基底介电层和覆盖环层以在其中形成多个开口；在基底介电层中和覆盖环层中的每个开口内形成该多个容器式电容器底板中的一个；仅部分地刻蚀该环层以暴露每个容器式电容器底板的上侧壁；以及在仅部分地刻蚀该环层以暴露每个容器式电容器底板的上侧壁之后，通过环中的开口对基底介电层执行刻蚀。7.权利要求1的方法，进一步包括在形成容器式电容器底板之前形成覆盖支撑环层；在该覆盖环层上形成覆盖牺牲层；刻蚀覆盖牺牲层、覆盖环层、和基底介电层以在其中形成多个开口；在覆盖牺牲层中、覆盖环层中、和基底介电层中的每个开口内形成该多个容器式电容器底板中的一个；刻蚀牺牲层以暴露每个容器式电容器底板的上侧壁并暴露所述环层；以及在刻蚀牺牲层之后，通过环中的开口对基底介电层执行刻蚀。8.权利要求1的方法，进一步包括在基底介电层内形成该多个容器式电容器底板之前，刻蚀该基底介电层以在其中形成限定容器式电容器底板的多个开口，并在其中形成限定多个沟的多个开口，并且一个沟围绕每个半导体管芯阵列；在该多个限定容器式电容器底板的开口中和限定该多个沟的开口中形成容器式电容器底板层；以及在通过环中的开口刻蚀基底介电层期间，使用限定该多个沟的开口中的容器式电容器底板层作为刻蚀停止层来保护半导体管芯的周边。9.一种用于形成半导体器件的方法，包括在半导体晶片衬底组件上方形成图形化的基底介电层；在该图形化的基底介电层上方形成支撑层；在该支撑层上方形成牺牲层；除去牺牲层、支撑层、和图形化的基底介电层的一部分以形成由牺牲层、支撑层、和图形化的基底介电层所限定的凹进；在该凹进内形成电容器底板，该底板接触牺牲层、支撑层、和图形化的基底介电层；在形成电容器底板之后，除去牺牲层以使底板的一部分从支撑层突出；沿底板的突出部分形成掩蔽隔离物；使用该掩蔽隔离物作为掩模刻蚀支撑层以在该支撑层中形成开口；以及通过支撑层中的开口刻蚀基底介电层，其中在通过支撑层中的开口刻蚀基底介电层之后，剩余至少一部分支撑层。10.权利要求9的方法，进一步包括形成至少第一、第二、和第三电容器底板，使得在截面上，第一和第二电容器底板之间的第一距离大于第二和第三电容器底板之间的第二距离；除去牺牲层以使第一、第二、和第三底板的一部分从支撑层中突出；在第一和第二电容器底板之间以及在第二和第三电容器底板之间形成掩蔽隔离...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。