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一种形成用于半导体器件的双侧电容器的方法包括形成在晶片加工期间支撑电容器底板（１１０）的介电结构（８６）。该结构特别有助于在除去基底介电层（８４）以暴露底板外部以便形成双侧电容器期间支撑底板。该支撑结构进一步在单元介电层（２００）、电容器顶...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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