碳离子产生方法、组件及离子注入设备技术

本申请实施例公开了一种碳离子产生方法、组件及离子注入设备，其中，所述碳离子产生方法包括：提供掺杂剂气体，其中，所述掺杂剂气体不含氧元素；将所述掺杂剂气体电离，得到碳离子；其中，在电离的过程中，形成的沉积物的量小于预设值。于预设值。于预设值。

【技术实现步骤摘要】
碳离子产生方法、组件及离子注入设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种碳离子产生方法、组件及离子注入设备。

技术介绍

[0002]离子注入的过程主要为，先获得某种元素的离子，然后将该元素的离子在几十至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后射入放在真空靶室中的半导体器件材料中。半导体器件材料经离子注入后，表面的物理、化学及机械性能会发生显著的变化。
[0003]然而，相关技术中，在获得碳离子的过程中，存在碳离子产生组件(碳离子产生组件也可以称为离子源)寿命较低的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种碳离子产生方法、组件及离子注入设备。
[0005]本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供一种碳离子产生方法，包括：
[0007]提供掺杂剂气体，其中，所述掺杂剂气体不含氧元素；
[0008]将所述掺杂剂气体电离，得到碳离子；其中，在电离的过程中，形成的沉积物的量小于预设值。<br/>[0009]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳离子产生方法，其特征在于，包括：提供掺杂剂气体，其中，所述掺杂剂气体不含氧元素；将所述掺杂剂气体电离，得到碳离子；其中，在电离的过程中，形成的沉积物的量小于预设值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体包括烃类气体化合物。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烃类气体化合物包括甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、丙炔中至少之一。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电离的过程中，所述掺杂剂气体通入的流量范围为：0.1标准毫升每分钟～5标准毫升每分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电离的过程中，所述电离室压力范围为：1
×
10
‑7托～1
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10
‑5托。...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜元，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：