一种碳化硅晶体位错增强检测设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种碳化硅晶体位错增强检测设备，包括图像采集器、上光源以及下光源，所述上光源设置在下光源的上方，且上光源和下光源之间形成供碳化硅晶体水平放置的区域，所述图像采集器设置在上光源的上方，并采集上光源于碳化硅晶体上的反射光图影信息和下光源于碳化硅晶体上的透射光图影信息。本实用新型专利技术依次设置成像设备、上光源以及下光源，通过同时结合反射光图像和透射光图像，进行对应瑕疵的捕捉，即透射光采集螺位错和刃位错，反射光采集基面位错，利用透射光的引入，使透射光下，刃位错相较螺位错就会变浅，增加了特征信息，便于区分，从而提高对0度切割晶锭的位错检测精度。晶锭的位错检测精度。晶锭的位错检测精度。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体位错增强检测设备


[0001]本技术实施例涉及半导体材料衬底片检测
，具体涉及一种碳化硅晶体位错增强检测设备。

技术介绍

[0002]碳化硅衬底片晶体材料会在生长过程中产生晶体位错，从而影响到器件良率。因此行业里会采用衬底片腐蚀的方法来呈现晶体位错(位错的地方会呈现出一个个腐蚀坑)，便于视觉检测。通常腐蚀坑会依据不同的晶体位错结构，呈现出不同的形态。最常见的为螺位错(呈现六边形腐蚀坑)，刃位错(呈现圆形腐蚀坑)，基面位错(呈现三角形腐蚀坑)，和穿孔的微管。
[0003]由于腐蚀坑的形态较为复杂，当前对腐蚀坑的检测主要依靠人工显微镜采样抽检的方式进行密度统计，这种方式效率比较低，且因为采样点较少造成精度不稳定。因此，现有新技术通过图像识别的自动化检测解决方案进行位错扫描。但该已有方案对于非0度切割的晶锭有着较好的检测效果。而对于0度切割的晶锭，因某些晶片会呈现出螺位错和刃位错无法明显区分的状态(两种位错都间于圆和六边形之间，形貌成黑色，大小差异不大)，所以仅仅通过图像识别的方式，会对检测精度产生误判影响。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体位错增强检测设备，其特征在于：所述碳化硅晶体位错增强检测设备包括图像采集器、上光源以及下光源，所述上光源设置在下光源的上方，且上光源和下光源之间形成供碳化硅晶体水平放置的区域，所述图像采集器设置在上光源的上方，并采集上光源于碳化硅晶体上的反射光图影信息和下光源于碳化硅晶体上的透射光图影信息。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体位错增强检测设备，其特征在于：所述碳化硅晶体位错增强检测设备还包括数控系统，所述上光源和下光源分别设有接入数控系统的开关。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体位错增强检测设备，其特征在于：所述上光源和下光源为不同颜色的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄英俊，马军，
申请(专利权)人：上海谦视智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：