半导体器件以及其制造方法技术

通过在一对上、下电极之间提供有机化合物来形成存储器元件。但是，当在含有有机化合物的层上形成电极时，由于形成电极时的温度有时会影响到含有有机化合物的层，所以形成电极的温度受到限制。由于这种温度的限制，电极的形成方法也受到限制。因此，会产生不能形成所期望的电极，且妨碍元件实现小型化的问题。本发明专利技术提供一种将存储器元件以及开关元件配置在具有绝缘表面的衬底上的半导体器件，其中，所述元件包括布置在同一平面上的第一电极、第二电极和含有有机化合物的层，并且，所述含有有机化合物的层被形成在所述第一电极和所述第二电极之间，并且，电流从所述第一电极流到所述第二电极，所述第一电极电连接到所述开关元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够存储数据的半导体器件。在本说明书中，半导体器件是指能够通过利用半导体特性进行工作的所有器件，电光器件、半导体电路和电子装置都是半导体器件。
技术介绍
存储器元件通常具有在电介质层上面和下面设置两个电极作为存储器元件的两个端子的结构。在专利文件1中，提出了一种存储器元件以及其驱动方法，其中在含有有机化合物的层上面和下面设置两个电极作为元件的两个端子，施加电压以造成短路，并且通过设置初始状态为“0”和导电状态为“1”来存储信息。专利文件1日本专利申请公开2002-26277号作为提供在半导体器件中的存储器电路，可以举出DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM(静态随机存取存储器)、FeRAM(铁电随机存取存储器)、掩模ROM(带掩模的只读存储器)、EPROM(电可编程只读存储器)、EEPROM(电可擦除和可编程只读存储器)、闪存等。其中，DRAM和SRAM是易失性存储电路，即当关闭电源时数据即被擦除，因此，每当开启电源时都需要写入数据。FeRAM是非易失性存储电路，但是因为它使用包括铁电层的电容元件，所以使制造步骤增加了。掩模ROM结构简单，但是需要在制造步骤中写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：配置在具有绝缘表面的衬底上的开关元件；以及配置在所述衬底上且与所述开关元件电连接的存储器元件，其中，所述存储器元件包括第一电极、第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含有有机化合物的层，并且，所述第一电极、所述第二电极、以及所述含有有机化合物的层被形成在同一平面上，并且，电流从所述第一电极流到第二电极。

【技术特征摘要】
JP 2005-8-12 2005-2345891.一种半导体器件，包括配置在具有绝缘表面的衬底上的开关元件；以及配置在所述衬底上且与所述开关元件电连接的存储器元件，其中，所述存储器元件包括第一电极、第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含有有机化合物的层，并且，所述第一电极、所述第二电极、以及所述含有有机化合物的层被形成在同一平面上，并且，电流从所述第一电极流到第二电极。2.一种半导体器件，包括配置在具有绝缘表面的衬底上的开关元件；配置在所述衬底上且与所述开关元件电连接的存储器元件；以及一对绝缘层，其中，所述存储器元件包括第一电极、第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含有有机化合物的层，并且，所述第一电极、所述第二电极、以及所述含有有机化合物的层被形成在同一平面上，并且，电流从所述第一电极流到所述第二电极，并且，所述含有有机化合物的层被所述第一电极、所述第二电极和所述一对绝缘层包围。3.根据权利要求2的半导体器件，其中所述一对绝缘层被配置成夹持所述含有有机化合物的层的两侧。4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述存储器元件是具有如下结构的元件，即，在所述第一电极和所述第二电极之间形成电位差，并且，使所述含有有机化合物的层不可逆地从高电阻状态改变到低电阻状态。5.根据权利要求2的半导体器件，其中所述存储器元件是具有如下结构的元件，即，在所述第一电极和所述第二电极之间形成电位差，并且，使所述含有有机化合物的层不可逆地从高电阻状态改变到低电阻状态。6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一电极和所述第二电极的宽度总和大于含有有机化合物的层的宽度。7.根据权利要求2的半导体器件，其中所述第一电极和所述第二电极的宽度总和大于含有有机化合物的层的宽度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤清，佐藤岳尚，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]