本申请涉及一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，其包括PCB板、设置在PCB板上的至少一组并联单管、至少一组散热器和用于驱动并联单管的驱动回路，每一组并联单管对应一驱动回路；一组并联单管包括并联的多个SiC MOSFET单管，每组散热器的个数大于等于每组并联单管中SiC MOSFET单管的个数，且每组中的SiC MOSFET单管与散热器间隔设置；每组散热器上至少设置有两组并联单管。本申请具有提高了多个SiC MOSFET单管并联逆变器的功率密度，提升了各单管均流性能，有效抑制串扰，提升电路可靠性的效果。可靠性的效果。可靠性的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构
[0001]本申请涉及逆变器结构的领域，尤其是涉及一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构。
技术介绍
[0002]目前，多单管并联逆变器广泛应用于大功率电力电子变换器中。多颗单管并联目前面临着很多挑战，包括如何保证各并联单管之间的均流性能，如何提高逆变器整体的功率密度，如何减小各并联单管的门极串扰等。SiC MOSFET相比于硅基功率半导体器件具有更高的开关速度，器件均流和串扰抑制难度大。
[0003]均流度指两个或两个以上电源在并联输出时，每一个电源的输出电流的分配情况的指标。均流度具体公式如下：
[0004]均流度=（每一模块输出电流
‑
所有模块平均输出电流）/模块额定输出电流。
[0005]功率密度指安装电子元件的表面，单位面积的平均消耗功率，以瓦
╱
平方公分为单位。
[0006]相关技术方案，参照图1，多采取将并联单管一字排开固定到一个散热器上。参照图2，另外一种常用方案是每个单管使用一个散热器，各单管并排摆放。
[0007]针对上述中的相关技术，专利技术人认为将并联单管一字排开固定到一个散热器上，这种方案应用于SiC MOSFET并联时，不仅均流度难以保证，更是会增大驱动回路长度，恶化门极串扰。另外一种常用方案是每个单管使用一个散热器，各单管并排摆放，这样占用较大空间，降低了功率密度。
技术实现思路
[0008]为了提高多个SiC MOSFET单管并联逆变器的功率密度，提升各单管均流性能，有效抑制串扰，提升电路可靠性，本申请提供一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构。
[0009]本申请提供的一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构采用如下的技术方案：
[0010]一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，包括PCB板、设置在所述PCB板上的至少一组并联单管、至少一组散热器和用于驱动所述并联单管的驱动回路，每一组所述并联单管对应一所述驱动回路；一组所述并联单管包括并联的多个SiC MOSFET单管，每组所述散热器的个数大于等于每组所述并联单管中SiC MOSFET单管的个数，且每组中的所述SiC MOSFET单管与所述散热器间隔设置；每组所述散热器上至少设置有两组并联单管。
[0011]通过采用上述技术方案，多组并联单管按照此种方式进行摆放有利于保证各SiC MOSFET单管在PCB上的功率回路杂感保持一致，以实现良好的均流特性。而且不同的并联单管组中的SiC MOSFET单管才共用一个散热器，这样PCB面积基本由散热器决定，而且减少了散热器固定孔，增加了PCB走线面积，大大提高了整个逆变器的功率密度，有效抑制串扰，提升电路可靠性。
[0012]作为优选，所述驱动回路紧挨其所驱动的所述并联单管设置，且所述驱动回路电连接各个所述SiC MOSFET单管的线路等距。
[0013]通过采用上述技术方案，保证驱动回路到各个并联单管的距离小，且实现了驱动回路到各个SiC MOSFET单管的距离相等，从而进一步提高各单管的均流特性。
[0014]作为优选，每组所述散热器上设置有2组所述并联单管，所述驱动回路位于所述并联单管靠近PCB板边缘的一侧。
[0015]通过采用上述技术方案，由于并联单管发热会有热辐射区，驱动回路本身也会发热，将驱动回路设置在靠近PCB板边缘，有利于减少驱动回路上受到的热辐射，从而有利于电路的更加稳定。
[0016]作为优选，每组所述散热器上相邻两组所述并联单管中，所述并联单管中多个所述SiC MOSFET单管布局方向一致，相邻所述并联单管中SiC MOSFET单管的布局方向相反，且每组所述散热器中的一个所述散热器的两侧至少设有一个所述SiC MOSFET单管；当一个所述散热器的两侧设置有两个及以上的所述SiC MOSFET单管时，多个所述SiC MOSFET单管沿所述散热器长度方向的两侧依次错位设置。
[0017]通过采用上述技术方案，同一散热器上的多个SiC MOSFET单管，依次错位设置，有利于使得散热器的热度更加均匀，使得热量不容易集中，从而有利于充分利用散热器的散热功能，提高散热效果。
[0018]作为优选，每一所述SiC MOSFET单管远离对应所述散热器的一侧设有一隔热固定件，所述隔热固定件的另一侧抵接另一相邻所述散热器的一侧。
[0019]通过采用上述技术方案，为了使得相邻散热器之间不受错位设置的SiC MOSFET单管的影响，设置有隔热固定件，以进一步保证同一散热器上的多个SiC MOSFET单管能够依次错位设置，以提高散热的均匀度；同时起到固定SiC MOSFET单管的作用。
[0020]作为优选，当所述隔热固定件远离其对应的所述SiC MOSFET单管的一侧不设有所述散热器时，所述隔热固定件上设有固定压紧件，所述固定压紧件穿设于所述隔热固定件并固定连接在所述SiC MOSFET单管对应的所述散热器上。
[0021]通过采用上述技术方案，固定压紧件用于固定位于散热器外侧的隔热固定件，且固定压紧件固定连接在散热器上，有利于减少在PCB板上的开孔，从而有利于留出更多的面积用于电路板的布线。
[0022]作为优选，每组所述散热器上的相邻多个所述散热器之间设置有限位柱。
[0023]通过采用上述技术方案，限位柱有利于限制相邻散热器之间的位置关系，保证散热效果。
[0024]作为优选，每组所述散热器上的相邻多个所述散热器之间设置有导热柱。
[0025]通过采用上述技术方案，导热柱不仅可以限位，而且有利于散热器之间的导热，实现热度的均匀，从而实现各单管的散热均匀，有利于提高均流性能。
[0026]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0027]本申请提高了多个SiC MOSFET单管并联逆变器的功率密度，提升了各单管均流性能，有效抑制串扰，提升电路可靠性。
附图说明
[0028]图1是相关技术中多并联单管一字排开型的结构示意图；
[0029]图2是相关技术中多并联单管并排摆放型，其中，每个单管使用一个散热器；
[0030]图3是本申请实施例的结构示意图。
[0031]附图标记：1、PCB板；2、散热器；3、并联单管；4、SiC MOSFET单管；5、驱动回路；6、隔热固定件； 7、固定压紧件；8、限位柱；9、导热柱。
具体实施方式
[0032]以下结合附图对本申请作进一步详细说明。
[0033]本申请实施例公开一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构。参照图3，基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构包括PCB板1、设在PCB板1上的至少一组并联单管3、设在PCB板1上的至少一组散热器2，以及设在PCB板1上用于驱动并联单管3的驱动回路5。
[0034]并联单管3可设置为多组，至少设置为两本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，其特征在于：包括PCB板（1）、设置在所述PCB板（1）上的至少一组并联单管（3）、至少一组散热器（2）和用于驱动所述并联单管（3）的驱动回路（5），每一组所述并联单管（3）对应一所述驱动回路（5）；一组所述并联单管（3）包括并联的多个SiC MOSFET单管（4），每组所述散热器（2）的个数大于等于每组所述并联单管（3）中SiC MOSFET单管（4）的个数，且每组中的所述SiC MOSFET单管（4）与所述散热器（2）间隔设置；每组所述散热器（2）上至少设置有两组并联单管（3）。2.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，其特征在于：所述驱动回路（5）紧挨其所驱动的所述并联单管（3）设置，且所述驱动回路（5）电连接各个所述SiC MOSFET单管（4）的线路等距。3.根据权利要求2所述的一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，其特征在于：每组所述散热器（2）上设置有2组所述并联单管（3），所述驱动回路（5）位于所述并联单管（3）靠近PCB板（1）边缘的一侧。4.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET多单管并联的逆变器结构，其特征在于：每组所述散热器（2）上相邻两组所述并联单管（3）中，所述并联单管（3）中多个所述SiC MOSFET单管（4）布局方向一致，相邻所述并联单管（3）中SiC MOSF...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘耀，毛赛君，陈俊，丁育杰，
申请(专利权)人：忱芯电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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