薄膜晶体管与画素结构的制造方法技术

一种薄膜晶体管的制造方法，包含：先在一基板上形成一多晶硅层，且于多晶硅层上形成一光阻层，其中光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度。以光阻层为一蚀刻罩幕，而图案化多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物。之后移除光阻层的部分厚度，以暴露出局部的多晶硅岛状物。接着对局部暴露出的多晶硅岛状物进行一离子植入步骤，以形成一源极／漏极。移除剩余的光阻层之后，在基板与多晶硅岛状物上分别形成一闸绝缘层、一栅极、一图案化介电层与一导体层，以完成薄膜晶体管的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种用于制作低温多晶硅的。
技术介绍
近年来，随着光电技术与半导体制造技术的发展，使得视讯或影像装置的体积日渐趋于轻薄，进而带动平面显示器(FlatPanel Display)的蓬勃发展。传统使用阴极射线管(Cathode RayTube，CRT)的显示器虽然仍有其优点，但是由于其体积庞大而占空间，且显示时仍会有辐射线射出伤眼等问题。因此，配合光电技术与半导体制造技术所发展的平面显示器(Flat Panel Display，FPD)，例如为液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等，其具有外型薄、重量轻、低操作电压、省电、全彩化以及低辐射线等优点，故将成为二十一世纪显示器的主流。液晶显示器依其驱动方式可分为主动矩阵式、被动矩阵式液晶显示器。就主动矩阵式液晶显示器而言，通常是以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来作为驱动开关。而薄膜晶体管又可依其通道层的材质分为非晶硅(amorphous silicon，简称a-Si)薄膜晶体管以及多晶硅(poly-silicon)薄膜晶体管。早期的多晶硅薄膜晶体管的制造方法由于温度高达摄氏1000度，因此基板材质的选择受到大幅的限制。不过，近来由于雷射技术的发展，制程温度可降至摄氏600度以下，而利用此种制程所形成的多晶硅薄膜晶体管即称为低温多晶硅薄膜晶体管。相较于非晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管具有许多优点，例如为高开口率、高解析度与高显示画质以及可将驱动电路整合于玻璃基板上等。但是，相较于制作非晶硅薄膜晶体管的五道光罩制程，由于低温多晶硅薄膜晶体管的制程技术复杂度高，且所需的光罩制程步骤较多(就互补式薄膜晶体管的制程而言，需要八道或九道光罩)，故将耗费大量的制造成本。由此可知，要如何缩减制作低温多晶硅薄膜晶体管所需的光罩制程，乃是目前业界的当务的急。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种薄膜晶体管的制造方法，适用于制造低温多晶硅的薄膜晶体管，以减少制作此薄膜晶体管所需的光罩数目。本专利技术的再一目的是提供一种画素结构制造方法，适用于制造低温多晶硅的画素结构，以减少制作此画素结构所需的光罩数目。本专利技术提出一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)于该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一源极/漏极，而该源极/漏极之间即是一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板及该多晶硅岛状物上形成一闸绝缘层；(8)在该闸绝缘层上形成一栅极；(9)在该栅极上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分的该源极/漏极；以及(10)在该图案化介电层上形成一导体层，而该导体层是与该源极/漏极电性连接，以完成薄膜晶体管的制作。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在形成栅极之后以及在形成图案化介电层之前的步骤，更包括以栅极为罩幕，进行一浅掺杂离子植入的步骤，以于源极/漏极与通道区之间形成一浅掺杂漏极。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在形成多晶硅层之后与形成光阻层之前的步骤，更包括进行一第二离子植入步骤，以于多晶硅层内植入离子。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在基板上形成多晶硅层之前，更包括在基板上形成一缓冲层。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成此光阻层的步骤包括使用具有一不透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的一光罩来进行一微影制程。本专利技术另提出一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)在该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一第一部分与一第二部分以暴露出部分该多晶硅层，且该第一部分具有一图案，而该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以分别定义出一第一多晶硅岛状物与一第二多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该第一多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该第一多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一第一源极/漏极，而该第一源极/漏极之间即是一第一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板上形成一闸绝缘层，并覆盖住该第一多晶硅岛状物与该第二多晶硅岛状物(8)在该第一多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第一栅极，并且在该第二多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第二栅极；(9)以该第一栅极为罩幕，进行一浅掺杂离子植入步骤，以于该第一源极/漏极与该第一通道区之间形成一浅掺杂漏极；(10)进行一第二离子植入步骤，以于该第二栅极两侧下方的该第二多晶硅岛状物内形成一第二源极/漏极，而该第二源极/漏极之间即是一第二通道区；(11)在该基板上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层是暴露出部分的该第一源极/漏极与部分的该第二源极/漏极；以及(12)在该图案化介电层上形成一导体层，其中该导体层是分别与该第一源极/漏极与该第二源极/漏极电性连接，以完成薄膜晶体管的制作。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在形成多晶硅层之后与形成光阻层之前的步骤，更包括进行一第三离子植入的步骤，以于第一多晶硅层内植入离子。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在基板上形成多晶硅层之前，更包括在基板上形成一缓冲层。依照本专利技术的较佳实施例所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成光阻层的步骤包括使用具有一不透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的一光罩来进行一微影制程。本专利技术另提出一种画素结构的制造方法，包含下列步骤(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)在该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一第一部分与一第二部分以暴露出部分该多晶硅层，且该第一部分具有一图案，而该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以分别定义出至少一第一多晶硅岛状物与一第二多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该第一多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该第一多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一第一源极/漏极，而该第一源极/漏极之间即是一第一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板上形成一闸绝缘层，并覆盖住该第一多晶硅岛状物与该第二多晶硅岛状物；(8)在该第一多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第一栅极，并且在该第二多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第二栅极；(9)以该第一栅极为罩幕，进行一浅掺杂离子植入步骤，以于该第一源极/漏极与该第一通道区之间形成一浅掺杂漏极；(10)进行一第二离子植入步骤，以于该第二栅极两侧下方的该第二多晶硅岛状物内形成一第二源极/漏极，而该第二源极/漏极之间即是一第二通道区；(11)在该基板上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层是暴露出部分的该第一源极/漏极与部分的该第二源极/漏极；(12)在该图案化介电层上形成一导体层，其中该导体层是分别与该第一源极/漏极与该第二源极/漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：（１）在一基板上形成一多晶硅层；（２）于该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度；（３）以该光阻层为一蚀刻罩幕， 图案化该多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物；（４）移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该多晶硅岛状物；（５）对局部暴露出的该多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一源极／漏极，而该源极／漏极之间即是一通道区；（６） 移除剩余的该光阻层；（７）在该基板及该多晶硅岛状物上形成一闸绝缘层；（８）在该闸绝缘层上形成一栅极；（９）在该栅极上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分的该源极／漏极；以及（１０）在该图案化介电层 上形成一导体层，而该导体层是与该源极／漏极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括如下步骤(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)于该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一源极/漏极，而该源极/漏极之间即是一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板及该多晶硅岛状物上形成一闸绝缘层；(8)在该闸绝缘层上形成一栅极；(9)在该栅极上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分的该源极/漏极；以及(10)在该图案化介电层上形成一导体层，而该导体层是与该源极/漏极电性连接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于在形成该栅极之后与在形成该图案化介电层之前，更包括以该栅极为罩幕进行一浅掺杂离子植入步骤，以于该源极/漏极与该通道区之间形成一浅掺杂漏极。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于在形成该多晶硅层之后与形成该光阻层之前，更包括进行一第二离子植入步骤，以于该多晶硅层内植入离子。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于在该基板上形成该多晶硅层之前，更包括在该基板上形成一缓冲层。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于形成该光阻层的步骤包括使用具有一不透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的一光罩来进行一微影制程。6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括如下步骤(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)在该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一第一部分与一第二部分以暴露出部分该多晶硅层，且该第一部分具有一图案，而该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以分别定义出一第一多晶硅岛状物与一第二多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该第一多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该第一多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一第一源极/漏极，而该第一源极/漏极之间即是一第一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板上形成一闸绝缘层，并覆盖住该第一多晶硅岛状物与该第二多晶硅岛状物；(8)在该第一多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第一栅极，并且在该第二多晶硅岛状物上方的该闸绝缘层上形成一第二栅极；(9)以该第一栅极为罩幕，进行一浅掺杂离子植入步骤，以于该第一源极/漏极与该第一通道区之间形成一浅掺杂漏极；(10)进行一第二离子植入步骤，以于该第二栅极两侧下方的该第二多晶硅岛状物内形成一第二源极/漏极，而该第二源极/漏极之间即是一第二通道区；(11)在该基板上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层是暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚启文，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]