【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具备抑制了因静电噪音而引起的熔断的保险元件的半导体装置。
技术介绍
在含有形成于半导体基板上的电路的半导体装置中，为了在装置制造后对电路结构进行微调整，使用了一种在电路的一部分装入保险元件的技术。例如如图4所示，在电源Vcc经由保险元件12与内部电路10连接的结构中，从保险元件12的没有连接电源Vcc的一侧的一端a，朝向设置在半导体装置外部的电极14，引出控制线16。在没有必要将电源电压Vcc施加到内部电路10时，使电极14处于负电位，以流过保险元件12熔断程度的电流，从而保险元件12熔断，可以切断内部电路10与电源Vcc的连接。但是，在图4所示的电路结构中，当设置在半导体装置外部的电极14，因某些原因而被施加负电位的静电噪音时，不论必要还是不必要，都存在保险元件12会熔断的危险。而且，由于控制线16直接与保险元件12连接，所以，也无法在控制线16中设置针对静电噪音的静电破坏防止电路。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，在具备保险元件的半导体装置中，抑制因静电噪音而引起的熔断。本专利技术提供一种半导体装置，其包含形成在半导体基板上的电路，...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包含形成在半导体基板上的电路，具备： 开关元件；和 保险元件，其与所述开关元件串连连接，因所述开关元件变为导通状态而流过的电流而被熔断， 在用于施加控制所述开关元件的控制信号的控制线中，连接有静电破坏防止电路。
【技术特征摘要】
JP 2005-9-22 2005-2749081.一种半导体装置，其包含形成在半导体基板上的电路，具备开关元件；和保险元件，其与所述开关元件串连连接，因所述开关元件变为导通状态而流过的电流而被熔断，在用于施加控制所述开关元件的控制信号的控制线中，连接有静电破坏防止电路。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开关元件是N沟道型场效应晶体管，所述保险元件的一端经由所述N沟道型场效应晶体管的漏极—源...
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