【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。本专利技术特别涉及使用氧化物半导体的半导体器件。此外,本专利技术还涉及具备该半导体器件的电子设备。
技术介绍
以液晶显示器(LCD)和EL显示器为典型的平板显示器(FPD)作为代替常规的CRT的显示器件引人注目。尤其是,安装有有源矩阵驱动的大型液晶面板的大屏幕液晶电视的开发对液晶面板的制造者已经成为该致力进行的重要课题。此外,大屏幕的EL电视的开发也在展开。在常规的液晶器件或场致发光显示器件(以下称作发光显示器件或EL显示器件)中,使用结晶硅或非晶硅的薄膜晶体管(以下示为TFT)作为驱动每个像素的半导体元件。与使用非晶硅膜的TFT相比使用结晶硅膜的TFT的迁移率高二位以上(包括二位),从而当用于扫描线驱动电路或信号线驱动电路等时可以期待高速动作,所述扫描线驱动电路用于选择发光显示器件的像素,所述信号线驱动电路用于将视频信号供给给被选择了的像素。然而,与将非晶硅用作半导体膜时相比,将结晶硅用作半导体膜时为了使半导体膜结晶化而使步骤复杂化,从而具有一个难点,即成品率降低而且成本上升。此外,用于该结晶化的加热温度为550℃或更高,不易使用熔点低的树脂或塑料等的衬底。另一方面,将非晶硅用作半导体膜的TFT由于不进行高温加热,所以可以使用树脂衬底或塑料衬底,从而可以以低成本制造。然而,使用非晶硅的半导体膜形成沟道形成区域的TFT的迁移率最大也只能得到0.2至1.0cm2/V·s左右,而且耗电量也高。此外,当将非晶硅膜形成在衬底上时,一般使用等离子体CVD法。等离子体CVD法当淀积时需要在高真空下进行的加热,有可能给在塑料衬底或衬底上的有机树脂 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成栅极;覆盖所述栅极地形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成半导体膜,该半导体膜包含氧化物半导体并且与所述栅极重叠;以及通过光的辐照加热所述栅极,以在所述半导体膜中形成第一区域和第二区域,其中所述第一区域具有比所述第二区域高的结晶性并且与所述栅极重叠。
【技术特征摘要】
JP 2005-9-29 2005-2837821.一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤在衬底上形成栅极;覆盖所述栅极地形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成半导体膜,该半导体膜包含氧化物半导体并且与所述栅极重叠;以及通过光的辐照加热所述栅极,以在所述半导体膜中形成第一区域和第二区域,其中所述第一区域具有比所述第二区域高的结晶性并且与所述栅极重叠。2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法,其中所述第一区域与所述栅极相邻。3.根据权利要求1的半导体器件的制造方法,其中所述氧化物半导体为选自包括氧化锌、氧化镁锌、氧化镉锌、氧化镉、InGaO3(ZnO)5、以及In-Ga-Zn-O的组中的一种。4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法,其中所述栅极包含选自包括钽、钨、钛、钼、铬、以及铌的组中的至少一种。5.根据权利要求1的半导体器件的制造方法,其中所述光的辐照由快速热退火进行。6.根据权利要求1的半导体器件的制造方法,其中所述光是激光。7.一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤在衬底上形成栅极;覆盖所述栅极地形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成布线;在所述绝缘膜和所述布线上形成半导体膜,该半导体膜包含氧化物半导体并且在与所述栅极重叠的部分与所述绝缘膜接触;以及通过光的辐照加热栅极,以在所述半导体膜中形成第一区域和第二区域,其中所述第一区域具有比所述第二区域高的结晶性并且与所述栅极重叠。8.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述第一区域与所述栅极相邻。9.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述氧化物半导体为选自包括氧化锌、氧化镁锌、氧化镉锌、氧化镉、InGaO3(ZnO)5、以及In-Ga-Zn-O的组中的一种。10.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述栅极包含选自包括钽、钨、钛、钼、铬、以及铌的组中的至少一种。11.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述布线包含选自包括Al、Ti、Cu、Au、Ag、Mo、Ni、Ta、Zr、Cr、Co、以及W的组中的至少一种。12.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述栅极对用于形成所述半导体膜的所述第一和所述第二区域的光的反射率比所述布线低。13.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述栅极对用于形成所述半导体膜的所述第一和第二区域的光的热吸收率比所述布线高。14.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述光的辐照由快速热退火进行。15.根据权利要求7的半导体器件的制造方法,其中所述光是激光。16.一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤在衬底上形成栅极;覆盖所述栅极地形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成半导体膜,该半导体膜包含氧化物半导体并且与所述栅极重叠;在所述绝缘膜上形成布线;以及通过光的辐照加热所述栅极,以在所述半导体膜中形成第一区域和第二区域,其中所述第一区域具有比所述第二区域高的结晶性并且与所述栅极重叠。17.根据权利要求16的半导体器件的制造方法,其中所述第一区域与所述栅极相邻。1...
【专利技术属性】
技术研发人员:秋元健吾,本田达也,曾根宽人,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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