液晶显示器制造技术

一种液晶显示器，包括：薄膜晶体管屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及插置于所述ＴＦＴ屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器，更具体而言，涉及具有划分为多个域的像素的垂直配向液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是一种广泛应用的平板显示器。LCD可以包括两个基板和插置于其间的液晶(LC)层，所述基板包括诸如像素电极和公共电极的场发生电极。LCD将电压施加到场发生电极上以在LC层中产生电场，电场决定着LC层中LC分子的取向以调节入射光的偏振，从而显示出图像。垂直配向(VA)模式LCD具有高对比率和宽基准视角，其将LC分子配向为，在没有电场的情况下使LC分子的长轴垂直于基板。将基准视角定义为使对比率等于1∶10的视角，或者灰度之间的亮度反转极限角。例如，可以通过场发生电极内的切口和场发生电极上的突起实现VA模式LCD的宽视角。所述切口和突起能够决定LC分子的倾斜方向。可以利用所述切口和突起使所述倾斜方向散布为几个方向，因而能够拓宽基准视角。在常规LCD中，可以利用诸如(例如)切口和突起的域划分机构排列域单元内的LC分子，由此实现宽视角。但是，设置于像素电极的附近并沿纵向延伸的数据线不能与LC分子的倾斜方向重合，否则将可能产生数据线的织纹(texture)，导致光泄漏。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供了一种液晶显示器，其能够防止产生瞬时残余图像，并且能够获得高开口率和提高的宽视角。本专利技术的示范性实施例提供了一种制造液晶显示屏板的方法。根据本专利技术的实施例，一种液晶显示器包括薄膜晶体管(TFT)屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及插置于所述TFT屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。根据本专利技术的实施例，一种液晶显示器包括绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的多条栅极线；与所述多条栅极线交叉的多条数据线；以矩阵的形式形成于所述绝缘基板上的多个像素电极，每一所述像素电极具有平行于所述多条栅极线的第一侧边和短于所述第一侧边的第二侧边，所述第一侧边与所述第一侧边邻接；面对所述多个像素电极的公共电极；以及插置于所述多个像素电极和所述公共电极屏板之间的具有液晶分子的液晶层，其中，所述液晶层包括第一域组和第二域组，所述第一域组包括相对于所述栅极线以大约135度角或大约-45度角配向的液晶分子，所述第二域组包括相对于所述栅极线以大约-135度角或大约45度角配向的液晶分子。附图说明从以下结合附图的描述可以更详细地理解本专利技术的示范性实施例，附图中图1A是根据本专利技术的实施例的液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)屏板的布局图；图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的TFT屏板的截面图；图1C是沿图1A的Ic-Ic′线和Ic′-Ic″线得到的TFT屏板的截面图；图2是根据本专利技术实施例的LCD的公共电极屏板的布局图；图3A是包括图1A所示的TFT屏板和图2所示的公共电极屏板的根据本专利技术实施例的LCD的布局图；图3B是沿图3A的IIIb-IIIb′线得到的LCD的截面图；图3C是图3A所示的LCD的象素阵列的示意图；图4是根据本专利技术实施例的LCD的TFT屏板的布局图；图5是根据本专利技术实施例的LCD的公共电极屏板的布局图；图6是包括图4所示的TFT屏板和图5所示的公共电极屏板的根据本专利技术实施例的LCD的布局图；图7是根据本专利技术实施例的LCD的布局图；以及图8是根据本专利技术实施例的LCD的布局图。具体实施例方式在下文中将参照附图更为充分地描述本专利技术的示范性实施例。不过，本专利技术可以以许多不同的形式实施，不应被视为受限于此处所述的实施例。在本专利技术的实施例中，液晶显示器包括具有由栅极线和数据线界定的TFT的薄膜晶体管(TFT)屏板、与所述TFT屏板隔开并与之面对的包括公共电极的公共电极屏板以及插置在所述TFT屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。将液晶层内的LC分子的长轴设置为基本垂直于所述屏板。将参考图1A到图1C描述薄膜晶体管(TFT)屏板100。图1A是根据本专利技术的实施例的液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)屏板的布局图。图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的TFT屏板的截面图。图1C是沿图1A的Ic-Ic′线和Ic′-Ic″线得到的TFT屏板的截面图。在绝缘基板10上沿横向形成栅极线22，将栅电极26以突起的形式连接至栅极线22。在栅极线22的末端形成栅极线端子24，其用于施加来自另一层或外部电路的栅极信号，以及将接收到的栅极信号传输至栅极线22。栅极线端子24的宽度大到足以用来连接外部电路。栅极线22、栅极线端子24和栅电极26构成了栅极线路(22、24、26)。在绝缘基板10上形成基本沿跨越像素区的横向延伸的存储电极线28。沿域划分部83形成从存储电极线28分支出来的存储电极29，域划分部83用于将像素电极82划分为多个域。存储电极线28和存储电极29构成了存储电极线路(28、29)。在本专利技术的实施例中，为了提高LCD的开口率，存储电极线28跨越像素电极82的中心沿横向延伸，从而与栅极线22基本平行，所形成的存储电极29与域划分部83重叠。在本专利技术的实施例中，存储电极29和存储电极线28的形状和结构可以变化，只要能够相对于像素电极82建立预定的存储电容即可。栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)可以包括，例如，诸如Al和Al合金的含有Al的金属、诸如Ag和Ag合金的含有Ag的金属、诸如Cu和Cu合金的含有Cu的金属、诸如Mo和Mo合金的含有Mo的金属、Cr、Ti或Ta。栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)可以具有包括两个具有不同物理特性的导电膜(未示出)的多层结构。所述两个膜中的一个可以是包括(例如)含Al金属、含Ag金属和含Cu金属的低电阻率金属，从而降低栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)中的信号延迟或电压降。另一个膜可以包括诸如(例如)含Mo金属、Cr、Ta或Ti的材料，其具有良好的物理和化学特性，并与诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其他材料具有良好的电接触特性。两个膜的组合的例子为下方Cr膜和上方Al(或Al合金)膜以及下方Al(或Al合金)膜和上方Mo(或Mo合金)膜。栅极线路(22、24、26)可以包括各种金属或导体。在栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)上形成栅极绝缘层30。在栅极绝缘层30上形成包括，例如，氢化非晶硅或多晶硅的半导体层40。可以按照诸如岛状或条状的各种形状形成半导体层40。在本专利技术的实施例中，可以将半导体层40形成为在数据线62之下栅电极26之上延伸的岛状。在形成条状半导体层40时，可以将半导体层40设置于数据线62之下，并使其一直延伸到栅电极26。在半导体层40上形成欧姆接触层55和56，欧姆接触层55和56包括，例如，硅化物或其内高度掺杂了n型杂质的n+非晶甲硅烷(silicon hydride)。欧姆接触层55和56可以具有包括(例如)岛状和条状的各种形状。例如，在将欧姆接触层55和56形成为岛状时，使欧姆接触层55和56的位置处于源电极65和漏电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：薄膜晶体管屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述 像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及液晶层，其插置于所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板之间。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-23 128986/051.一种液晶显示器，包括薄膜晶体管屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及液晶层，其插置于所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板之间。2.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括分别附着在所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板的外表面上的第一和第二偏振器。3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二域划分部相对于每一所述偏振器的透射轴成大约45度或大约-45度角。4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，在所述第一和第二域划分部中，相对于所述偏振器的透射轴成大约45度角的部分和相对于所述偏振器的透射轴成大约-45度角的部分相对于所述横向长轴相互独立布置。5.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二域划分部交替布置。6.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二域划分部位于所述像素电极的中央，所述第一域划分部位于所述第二域划分部的两侧。7.根据权利要求6所述的液晶显示器，还包括设置于所述薄膜晶体管屏板上的，与所述像素电极一起形成存储电容的存储电极线路，其中，所述存储电极线路包括沿穿过所述像素电极的中心的所述横向长轴延伸的存储电极线和从所述存储电极线分支出来的与所述第一域划分部重叠的存储电极。8.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一域划分部位于所述像素电极的中央，所述第二域划分部位于所述第一域划分部的两侧。9.根据权利要求8所述的液晶显示器，还包括设置于所述薄膜晶体管屏板上的，与所述像素电极一起形成存储电容器的存储电极线路，其中，所述存储电极线沿穿过所述像素电极的中心的横向长轴延伸。10.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括设置于所述像素电极之下的钝化层，其中，所述钝化层包括无机绝缘体，并且其保护所述薄膜晶体管屏板上的结构，所述第一域划分部具有大约6μm或更低的宽度。11.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括设置于所述像素电极之下的钝化层，其中，所述钝化层保护所述薄膜晶体管屏板上的结构，并且其包括双层结构，所述双层结构包括无机层和有机层，所述第一域划分部具有大约10μm或更低的宽度。12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述公共电极屏板包括布置在对应于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙智媛，郑美惠，崔洛初，边湖连，赵善儿，赵植永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]