透射型液晶显示器件及其制造方法技术

一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种透射型液晶显示器件，它包括开关元件，如薄膜三极管(下文 中称为TFT)，作为寻址元件，并用作计算机、电视机之类的显示器；本专利技术还涉 及一种制造这种透射型液晶显示器件的方法。
技术介绍
图16是具备有源矩阵衬底的普通透射型液晶显示器件的电路图。 参见图16，有源矩阵衬底包括多个排列成矩阵的像素电极1，和用作与各像 素电极1相连的开关元件的TFT2。 TFT2的栅极与栅极引线3相连，用来提供扫 描(门)信号，从而可以将栅极信号输入到栅极，控制TFT2的驱动。TFT2的源极与 源极引线4相连，用来提供图像(数据)信号，从而当TFT受到驱动时，可以通过 TFT将数据信号输入到相应的像素电极1。栅极引线3和源极引线4在靠近像素电 极1的地方穿行，并排列成矩阵，相互交叉在一起。TFT2的漏极与像素电极1和 储能电容5分别相连。储能电容5的另一极与公共线6相连。储能电容5用来保持 液晶层上施加的电压。储能电容与液晶电容并联，液晶电容包括介于一有源矩阵衬 底上的像素电极和另一衬底上的相应像素电极之间的液晶层。图17是普通的液晶显示器件有源矩阵衬底一个TFT部分的截面图。 参见本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透射型液晶显示器件，其特征在于，它包含：栅极引线；源极引线；以及开关元件，每一所述开关元件排列在每一栅极引线和每一源极引线的交叉处附近，每一开关元件的栅极与所述栅极引线相连，开关元件的源极与所述源极引线相连，并且开关元件的漏极与象素电极相连，用来将电压施加到液晶层上，其中，一中间层绝缘膜位于所述开关元件、栅极引线和源极引线的上部；所述象素电极位于所述中间层绝缘膜上；并且，充电速率差为０．６％或更小，其中，所述充电速率差表示，当均匀显示一灰度级时在一灰度级显示部分中施加在所述液晶层上的电压的有效值与纵向占有率为３３％的情况下在该灰度级显示中显示一黑色窗口图案时施加在所述液晶层上的电压的有效值...

【技术特征摘要】
JP 1995-8-11 206367/95;JP 1995-9-29 254043/951.一种透射型液晶显示器件，其特征在于，它包含栅极引线；源极引线；以及开关元件，每一所述开关元件排列在每一栅极引线和每一源极引线的交叉处附近，每一开关元件的栅极与所述栅极引线相连，开关元件的源极与所述源极引线相连，并且开关元件的漏极与象素电极相连，用来将电压施加到液晶层上，其中，一中间层绝缘膜位于所述开关元件、栅极引线和源极引线的上部；所述象素电极位于所述中间层绝缘膜上；并且，充电速率差为0.6％或更小，其中，所述充电速率差表示，当均匀显示一灰度级时在一灰度级显示部分中施加在所述液晶层上的电压的有效值与纵向占有率为33％的情况下在该灰度级显示中显示一黑色窗口图案时施加在所述液晶层上的电压的有效值的比值。2. 如权利要求l所述的透射型液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极 与源极引线和栅极引线中的至少一种引线沿引线宽度方向彼此重叠lixm或以上。3. 如权利要求l所述的透射型液晶显示器件，其特征在于，所述中间层绝 缘膜的厚度为1.5um或以上。4. 如权利要求1所述的透射型液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极 的形状为矩形，并且与栅极引线平行的一边比与源极引线平行的一边长。5. 如权利要求1所述的透射型液晶显示器件，其特征在于，它还包括驱动 电路，用来向源极引线提供一数据信号，所述数据信号的极性在每一水平扫描 期间被反转，并且所述数据信号是通过开关元件提供给像素电极的。6. 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：島田尚幸，梶谷優，岡本昌也，片山幹雄，咲花由和，山本明弘，中田幸伸，錦博彦，近藤直文，嵨田吉祐，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]