应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法技术

技术编号:3174502 阅读:244 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法。掩膜包含第一透光单元以及第二透光单元。第一透光单元具有多个圆形透光区域。第二透光单元设置于第一透光单元侧边。第二透光单元具有多个多边形遮光区域。多边形遮光区域与第一透光单元的圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。方法步骤包含使用激光透过上述掩膜于基板上产生具有第二结晶单元及与第一透光单元对应的第一结晶单元、移动掩膜使第一透光单元移动至与相邻的第二结晶单元对应、以及使用激光透过掩膜于基板上产生第二结晶区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种掩膜以及激光结晶方法;具体而言,本专利技术是关于一 种。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)广泛应用在电脑、电视、以及 行动电话等各种电子产品上。液晶显示器以集成电路驱动,因此,集成电路 的晶体管运行的速度成为影响液晶显示器效能的重要因素之一。与非晶硅层内电荷载体相比,多晶硅层内电荷载体的移动性(Mobility) 较高。因此多晶硅型薄膜晶体管广泛应用于液晶显示器的集成电路。欲增加 多晶硅层内电荷载体的移动性(Mobility),可增加结晶晶粒大小,或减少晶 体管元件的通道(Channel)中的晶粒边界(Grain Boundary)数目。如图1A及图1B所示,已知的低温多晶硅层的结晶技术是利用激光200 透过掩膜90的透光区域10照射在基板800上的非晶硅层400,使非晶型硅熔 解成液态后再固化成多晶硅,意即形成如如图IA及图IB中所示的第一结晶 区域61及第二结晶区域62。如图1B所示,在过程中,掩膜90会朝方向201平移。而掩膜卯移动后 激光200于基板800上可照射到的区域会有部分童叠如重叠结晶区域63,藉 以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,其特征在于,所述掩膜包含:第一透光单元,具有多个圆形透光区域;以及第二透光单元,设置于所述第一透光单元侧边,所述第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光区域与所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。

【技术特征摘要】
1.一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,其特征在于,所述掩膜包含第一透光单元,具有多个圆形透光区域;以及第二透光单元,设置于所述第一透光单元侧边,所述第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光区域与所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。2. 如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些圆形透光区域的相邻 距离大于1.5um。3. 如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。4. 如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形 状包含正方形。5. 如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形 状包含正六边形。6. —种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,其特征在于,所述掩膜包含-多个第一透光单元,所述这些第一透光单元为等距离设置,每一第一透光单元具有多个圆形透光区域;以及多个第二透光单元,所述这些第二透光单元与所述这些第一透光单元间 隔设置,每一第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光 区域与相邻的所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域对称设置,且每一 多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。7. 如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,所述这些圆形透光区域的相邻 距离大于1.5um。8. 如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。9. 如权利要求6所述的掩膜,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙铭伟
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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