【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED封装件,并且更具体地,涉及根据光发射的 方向减少色彩偏差并提高光提取效率的LED封装件。
技术介绍
随着电子设备工业的发展,已研发出了各种具有低能耗的小型 且紧凑的显示装置。进一步,研发出了使用显示装置的光学装置, 诸如视频装置、计算机、移动通信终端、以及闪光装置(flash )。一般地,发光二极管(LED)是利用当电压被施加到半导体上 时引起的冷光(也^皮称为电致发光)而生成光的发光元件。LED由 具有发射波长在可见区或是近红外区、具有高发光效率、并且能够 用来形成p-n结的材料形成。这些材料可以包括复合半导体,诸如 氮化4家(GaN)、砷化4家(GaAs)、石粦化4家(GaP )、 4家砷石粦化物 (GaASl-xPx )、镓铝砷化物(GaLxAlxAs )、磷化铟(InP )、和铟镓磷 化物(Ini_xGaxP)。与根据相关技术的光源进行比较,LED较小、具有长的寿命期 限、具有高能量效率、并且具有低操作电压,因为电能被直接转换 成光能。具有这些优点的LED ^皮用作LCD背光组件的光源。为了将LED用作白光源,要求将从LED发射出的光 ...
【技术保护点】
一种LED封装件,包括: 封装件主体,包括形成为安装部分的凹陷部; 第一引线框和第二引线框,安装于所述封装件主体,以在所述凹陷部的下表面处露出; LED芯片,安装于所述凹陷部的所述下表面以电连接至所述第一引线框和所述第二引线框;以及 密封物,通过混合透明树脂和荧光剂而形成,并且形成在所述凹陷部内部以密封所述LED芯片; 其中,从所述LED芯片的上表面到所述密封物的上表面的高度比所述LED芯片的高度大1到5倍。
【技术特征摘要】
KR 2007-1-9 10-2007-00025991.一种LED封装件,包括封装件主体,包括形成为安装部分的凹陷部;第一引线框和第二引线框,安装于所述封装件主体,以在所述凹陷部的下表面处露出;LED芯片,安装于所述凹陷部的所述下表面以电连接至所述第一引线框和所述第二引线框;以及密封物,通过混合透明树脂和荧光剂而形成,并且形成在所述凹陷部内部以密封所述LED芯片;其中,从所述LED芯片的上表面到所述密封物的上表面的高度比所述LED芯片的高度大1到5倍。2. 根据权利要求1所述的LED封装件,其中,所述荧光剂基于 所述透明树脂的重量在30到300 wt。/。的范围内。3. 根...
【专利技术属性】
技术研发人员:李善九,柳根昌,金龙泰,宋怜宰,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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