半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。更具体地说，本专利技术涉及一种，在所述半导体器件中，针对不同的半导体元件分隔半导体层。
技术介绍
作为分隔半导体层的半导体元件的典型实例，图24A到24D示出了公共薄膜晶体管的顶视图和截面图。图24A示出了所述薄膜晶体管的顶视图，图24B是沿图24A的A1-B1线得到的截面图，图24C是沿图24A的A2-B2线得到的截面图，图24D是图24C中的半导体层32的端部25的放大图。如图24B到24D所示，在薄膜晶体管中，在衬底30上形成起着基础薄膜的作用的绝缘层31；在绝缘层31上形成半导体层32，其包括沟道形成区32以及每者起着源极区或漏极区的作用的杂质区32B和32C；在半导体层32和绝缘层31上形成起着栅极绝缘膜的作用的绝缘层33；以及在绝缘层33上形成起着栅电极的作用的导电层34。在图24A到24D所示的薄膜晶体管的制造过程中，在受到有选择的蚀刻的半导体层32上形成起着栅极绝缘膜的作用的绝缘层33，在这种情况下，绝缘层33的覆盖度(coverage)在半导体层32的端部25处降低。在绝缘层33的膜厚度薄的部分栅极电压的电场强度增大，由栅极电压导致的应力增大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　　　　形成于绝缘表面上的半导体层；　　　　形成于所述半导体层上的栅电极；以及　　　　设置于所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层，　　　　其中，所述绝缘层包括具有第二膜厚度的第一区域和具有第二膜厚度的第二区域，所述第二膜厚度大于所述第一膜厚度，并且　　　　其中，具有所述第二膜厚度的所述第二区域覆盖所述栅电极叠覆的所述半导体层的端部。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-28 2006-126670;JP 2006-9-20 2006-2542051.一种半导体器件，包括形成于绝缘表面上的半导体层；形成于所述半导体层上的栅电极；以及设置于所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层，其中，所述绝缘层包括具有第二膜厚度的第一区域和具有第二膜厚度的第二区域，所述第二膜厚度大于所述第一膜厚度，并且其中，具有所述第二膜厚度的所述第二区域覆盖所述栅电极叠覆的所述半导体层的端部。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二膜厚度大于等于所述第一膜厚度的1.2倍小于等于所述第一膜厚度的4.5倍。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一膜厚度大于等于3nm小于等于30nm，所述第二膜厚度大于等于3.6nm小于等于135nm。4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述半导体层的被所述栅电极覆盖的第三区域具有第三膜厚度，所述半导体层的端部具有第四膜厚度，所述第四膜厚度小于所述第三膜厚度。5.一种半导体器件，包括形成于绝缘表面上的半导体层；形成于所述半导体层上的栅电极；形成于所述半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘膜；以及形成于所述栅电极与所述半导体层的端部重叠的区域内的绝缘层。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，将所述绝缘层插置于所述半导体层和所述栅极绝缘膜之间。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，将所述绝缘层插置于所述栅极绝缘膜和栅电极之间。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘层具有位于所述半导体层上的开口。9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘层为不连续层。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的长度沿所述栅电极的栅极长度方向大于等于3μm小于等于10μm。11.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述栅极绝缘膜的膜厚度为20nm，所述绝缘层的膜厚度大于等于5nm小于等于70nm。12.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的端部的侧表面垂直于所述绝缘表面。13.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的端部的侧表面相对于所述绝缘表面倾斜。14.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的端部位于所述半导体层的倾斜的侧表面上。15.一种半导体器件，包括形成于衬底上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的栅极绝缘膜；以及形成于所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述半导体层的端部相对于所述衬底的所述表面以第一角度倾斜，所述绝缘层的端部以相对于所述衬底的所述表面的第二角度倾斜，并且其中，所述第二角度小于所述第一角度。16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一角度大于等于10度小于等于40度，所述第二角度大于等于5度小于等于15度。17.一种半导体器件的制造方法，包括在绝缘表面上形成半导体层；在所述半导体层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成掩模，在形成所述掩模之后，有选择地去除所述第一绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第二绝缘层；在所述半导体层和所述第二绝缘层的暴露部分上形成起着栅极绝缘膜作用的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。18.一种半导体器件的制造方法，包括在绝缘表面上形成半导体层；在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模，在形成所述掩模之后，有选择地去除所述第二绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第三绝缘层；以及在所述第一绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。19.一种半导体器件的制造方法，包括在绝缘表面上形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模，所述掩模具有顶边大于底边的梯形形状；在所述半导体层和具有所述梯形的所述掩模的每者上形成第一绝缘层，在形成所述第一绝缘层之后，去除具有所述梯形形状的所述掩模，以形成覆盖所述半导体的端部的第二绝缘层；在所述第二绝缘层和所述半导体层的暴露部分上形成起着栅极绝缘膜作用的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层上形成起着栅电极作用的导...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，铃木幸惠，荒井康行，守屋芳隆，池田佳寿子，棚田好文，高桥修平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]