半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，其具有，由在保护膜之下形成的多个微小导体形成用于在探测时检测位移的图案；形成在保护膜之下的多个微小导体中每一个是电绝缘的，并且小于用于对ＩＣ芯片进行电测量的探针的尖端的底面；为每个ＩＣ芯片配置成对的用于在探测时检测位移的图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测图案，该检测图案用于在半导体装置中进行探测时检测探针的位移，所述半导体装置具有形成在硅衬底上的多个半导体芯片，所述半导体芯片由诸如晶体管的元件和用于探测的焊垫(pad)形成。
技术介绍
通常，对普通IC进行控测测试以检查成品的电特性。此外，最小化用于探测测试的焊垫间的间隔可以减小具有多个焊垫的IC的尺寸，并且必然降低IC的成本。在探测测试中，经常使用细的探测针，由于焊垫间隔小，针位移的影响在具有多个用于探测的焊垫的IC中是比较大的。不仅是针在探测时的水平位移，而且针在深度方向的不适当的状态(针体进入的位置或深度)都可能妨碍获得正确的电特性。因此，在探测测试时，为了确定该测试是否适当执行，检测探针在测试位置的位移是必要的。例如，日本专利申请JP6-45419A，公开了一种技术，其中提供了用于在探测时检测探针位移以进行测量。如上所述，然而由于焊垫间隔小，在具有用于探测的多个焊垫的IC中针位移的影响是比较大的，导致产生不准确的探测测试，以及获得错误的特性的问题，或类似问题。例如，为了解决上述问题，公开了一种技术，其中，在进行测量时提供多个特定焊垫用于测量操作中的针的位移。然而，这种技术的问题在于焊垫占用了过大的面积，不能检测到位移的方向，不能获得沿着深度方向信息，等等。
技术实现思路
为了解决上述问题，根据本专利技术的一个方面，一种半导体装置具有如下结构。更确切的说，提供一种半导体装置，其中由在保护膜下形成的多个微小导体形成用于在探测时检测位移的图案。另外，在该半导体装置中，形成于保护膜下的所述多个微小导体每一个都是电绝缘的，并且形成为小于用来实施IC芯片的电测量的探针针尖的底面。另外，在该半导体装置中，为每个IC芯片提供了一对用于在探测时检测位移的图案。使用如上所述结构，可以获得这样的半导体装置，具有用于在探测时检测位移的图案，所述图案占用较小的面积，不仅能检测横向位移量而且可以检测该位移的方向，并且可以获得深度方向的信息。附图说明在附图中附图1剖面示意图示出了在根据本专利技术用于在探测时检测位移的图案的第一实施例中，执行适当的探测的一刻。附图2剖面示意图示出了在根据本专利技术用于在探测时检测位移的图案的第一实施例中，探针横向移位的一刻。附图3剖面示意图示出了在根据本专利技术用于在探测时检测位移的图案的第一实施例中，探针的过度驱使(下推)量不足的一刻。附图4的图表示意图描述了在图1示出的状态中，用于检测电容的点图案601至605和探针801之间的电容。附图5的图表示意图描述了在图2示出的状态中，用于检测电容的点图案601至605和探针801之间的电容。附图6为的图表示意图描述了在图3示出的状态中，用于检测电容的点图案601至605和探针801之间的电容。附图7的平面示意图描述了本专利技术的第二实施例中，用于在探测时检测位移的图案的排列。附图8的平面示意图描述了在本专利技术的第三实施例中，用于在探测时检测位移的图案的排列。具体实施例方式附图1是根据本专利技术的第一实施例的半导体装置的剖面示意图，该图示出了在探测时使用用于检测位移的检测图案执行适当的探测时的一刻。用于检测电容的点图案601至605由例如是铝的微小导体制成，形成在由硅氧化物膜等形成的下层绝缘膜610之上。各个点图案601至605是电绝缘的，并且彼此独立。于点图案601至605之上形成由绝缘膜(例如氮化硅膜)形成的保护膜701。出于简单化的目的，附图1示出了部分剖面图，描述了二维布置的多个用于检测电容的点图案中的5个点图案。当为了对IC芯片进行电测量的而探测时，根据本专利技术用于在探测时检测位移的图案同时被附图1中描述的探针探测。探针801与保护膜701接触。该探针801在深度方向过驱动进入(受迫进入)保护膜701适当范围，以执行IC芯片的电测量。用于检测电容的点图案601到605和探测探针801形成了通过保护膜701的电容器。用于检测电容的点图案601到605的电容取决于它们到探测探针801的距离而变化。为了精确检测电容的变化，用于检测电容的每个点图案601到605形成为小于探测探针801的底面。图4为描述了用于检测电容的点图案601至605和探测探针801间的电容在附图1描述的状态时的图表示意图。如图4所示，在位于中央的点图案603的电容值最大，并且电容值随着点图案远离而在两侧减小。提前测量用于适当探测的电容允许设定电容许可线(clearance line)901。在附图4描述的示例中，电容值以点图案603为中心，朝着用于检测电容的点图案601和用于检测电容的点图案605逐渐减小。用于检测电容的点图案602、603和604的电容值在预先确定的许可线901之上。如上所述，在附图4中，电容值呈现的形状表明没有检测到探针的横向位移，该形状以点图案603为中心朝着用于检测电容的点图案601和用于检测电容的点图案605逐渐减小。另外，可以理解在深度方向的探测也是适当的，因为用于检测电容的点图案602、603和604的电容值在预先确定的许可线901之上。这样，反映附图1中描述的适当探测的特性可以检测到。附图2为描述根据本专利技术的半导体装置的第一实施例的探针被横向移位的探测的剖面示意图。该用于检测电容的点图案601至605由微小导体形成，形成在下层绝缘膜610上。用于检测电容的各个点图案601至605是电绝缘的并且是彼此隔离的。保护膜701形成在点图案601至605之上。出于简单化的考虑，附图2示出了部分剖面图，描述了二维排列的多个用于检测电容的点图案中的5个点图案。当为了对IC芯片电测量而进行探测时，根据本专利技术在探测时用于检测位移的图案同时被针探测，如附图2中所示。该探测探针801与保护膜701接触。该探测探针801在深度方向上过驱动(overdrive)进入(受迫进入)保护膜701适当程度，以执行IC芯片的电测量。用于检测电容的点图案601至605和探针801通过保护膜701形成电容。用于检测电容的点图案601至605的电容取决于它们到探针801的距离而变化。为了准确检测电容的变化，每个用于检测电容的点图案601至605形成为小于探针801的底面。附图2示出了探测探针801朝着用于检测电容的点图案601横向移动的一刻。附图5的图表示意图示出了在在附图2所示时刻，用于检测电容的点图案601至605与探针801之间的电容。在附图5描述的一个实例中，电容值从用于检测电容的点图案601(其位于用于检测位移的图案的端部)向着用于检测电容的点图案605逐渐减小。应当注意，用于检测电容的点图案601和602的电容值在许可线901之上。从而，虽然探针被横向移动，依然能检测到在深度方向的探测是适当的。这样，可以检测到反映附图2所示探针801横向移动的探测状态的特性。其它的说明与关于附图1的描述相似，因此，在此不再进一步描述。附图3的示意性截面图描述根据本专利技术的第一实施例的半导体装置中，探针过驱动(下推)的量不足的状态。由微小导体构成的用于检测电容的点图案601至605形成于下层绝缘膜610之上。各个用于检测电容的点图案601至605是电绝缘的且彼此隔离。保护膜701形成在用于检测电容的点图案601至605之上。出于简单化的考虑，附图3示出了部分剖面图，描述了二维排列的多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：硅衬底；和布置在硅衬底上的多个ＩＣ芯片，每个芯片包含晶体管和用于探测的焊垫区；与该多个ＩＣ芯片相邻的划片区；和在划片区和所述多个ＩＣ芯片内部之一中提供的用于在探测时检测位移的图案，所述用于在探测时检测位移的图案包括布置在保护膜之下的多个微小导体。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-16 2006-1668791.一种半导体装置，包括硅衬底；和布置在硅衬底上的多个IC芯片，每个芯片包含晶体管和用于探测的焊垫区；与该多个IC芯片相邻的划片区；和在划片区和所述多个IC芯片内部之一中提供的用于在探测时检测位移的图案，所述用于在探测时检测位移的图案包括布置在保护膜之下的多个微小导体。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹰巢博昭，山本祐广，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]