晶片以及半导体装置的测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片以及半导体装置的测试方法。本发明专利技术的晶片至少具有设置在与芯片区域（２）邻接的切割线（８）上的三个焊盘（１０Ａ）、（１０Ｂ）、（１０Ｃ）。这三个焊盘是：与所述芯片区域（２）内的电源电位部（５）连接的电源用焊盘（１０Ａ）；与所述芯片区域（２）内的接地电位部（６）连接的接地用焊盘（１０Ｂ）；与所述芯片区域（２）内的半导体装置（７）连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该半导体装置（７）的工作状态的切换用焊盘（１０Ｃ）。在晶片测试时，使探针卡的接触针（９Ａ）、（９Ｂ）、（９Ｃ）分别与三个焊盘（１０Ａ）、（１０Ｂ）、（１０Ｃ）抵接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片，特别涉及按每个芯片区域制作有半导体装置的 晶片。此外，本专利技术涉及制作在这样晶片上的半导体装置的测试方法。
技术介绍
如图2A所示，在经过了晶片工艺的一般的晶片101中，晶片表面 被划分为多个矩形区域(将其称为芯片区域。)102，按每个芯片 区域102制作半导体装置(未图示)。如图2B (放大地示出图2A中 的一部分103)所示，芯片区域102彼此之间被具有固定宽度的切割线 (也称作分割线)108隔开 在各芯片区域102的周边部(沿着切割线 108的部分)，排列多个用于在芯片区域内的元件与外部之间输入输出 信号的焊盘104。在晶片测试时，使预先作成的探针卡的接触针109， 109，...分别与各芯片区域102内的所有的焊盘104， 104， . -抵 接，进行芯片区域102内的半导体装置的电特性检查。将晶片分割为芯片之后，仅将在晶片测试阶段判断为合格品的芯 片安装在外壳(package)等中。对这些安装品进行出厂测试，只有在出厂测试中判断为合格品的产品才能出厂。以往，例如在特开2002-184825公报中公开了如下技术为了在多 种半导体产品中共同使用一个探针卡，将测试用焊盘配置在各芯片区 域102内的预定位置上。此外，在特开2002-184825公报中还公开了如 下技术以防止芯片尺寸(芯片区域的面积)增加为目的，将测试用 焊盘配置在分割线108上。此外，在特开平5-299484号公报中公开了如下技术以维持芯片 区域(集成电路形成部)的面积并且谋求测试的容易化为目的，将与 探针卡的接触针抵接的测试用焊盘设置在晶片的切割线上。此外，在特开2004-342725号公报中公开了如下技术以不对芯片区域内的焊盘产生损伤地进行测试为目的，将与探针卡的接触针抵接 的测试用焊盘设置在晶片的切割线上。此外，该文献中还公开了如下技术为了使测试用焊盘的数目减半，在邻接的芯片区域共用切割线 上的测试用焊盘。但是，在所述的专利文献中，通过减少测试用的信号数目来减少 测试用焊盘或探针卡的接触针的数目完全没有描述或暗示。因此，存 在改善的余地。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，可 通过减少测试用的信号数目来减少探针卡的切割线的数目，此外，即 使产品的机型不同，也可使用共同的探针卡，因此，可降低成本。为解决所述课题，本专利技术的由切割线划分分别制作有半导体装置 的多个芯片区域的晶片的特征在于，至少具有三个焊盘，设置在与所述芯片区域邻接的切割线上，应 分别与探针卡的接触针抵接，所迷三个焊盘是与所述芯片区域内的电源电位部连接的电源用 焊盘；与所述芯片区域内的接地电位部连接的接地用焊盘；与所述芯 片区域内的半导体装置连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该 半导体装置的工作状态的切换用焊盘。此处，备用状态是半导体装置停止的状态，若该半导体装置 是合格品，则是功耗大致为零的状态。正常工作状态泛指所述备 用状态以外的工作状态。在本专利技术的晶片中，以如下方式判定晶片内的各半导体装置合格 或者不合格。首先，使探针卡的对应的笫一、第二、第三接触针分别 和与某芯片区域邻接的切割线上的所述三个焊盘即电源用焊盘、接地 用焊盘、切换用焊盘抵接。并且，从所述探针卡的各接触针提供预先 决定的信号，通过所述电源用焊盘将所述芯片区域内的电源电位部保 持为电源电位，通过所述接地用焊盘将所述芯片区域内的接地电位部 保持为接地电位，并且，通过所述切换用焊盘将所述芯片区域内的半 导体装置的工作状态保持为备用状态。在该备用状态下，根据在所述 电源用焊盘与所述接地用焊盘之间流过的电流值(漏电流)，判断所述 半导体装置合格或者不合格。并且，为了使所述芯片区域内的半导体 装置的工作状态变为正常工作状态，从所述探针卡的第三接触针供给其他的信号。这样，在判定晶片内的各半导体装置合格或不合格的情况下，由 于在探针卡上设置三根接触针即可，所以，可以减少测试用焊盘或探 针卡的接触针的数量。此外，若与所述三个焊盘相对应地以预先决定 定的间隔、顺序配置所述三根接触针，即使产品的机型不同，也可以 使用共同的探针卡。因此，可以降低成本。在一个实施方式的晶片中，所述三个焊盘仅和与设置有这些焊盘 的所述切割线邻接的一个芯片区域连接。在一个实施方式的晶片中，所述三个焊盘和与设置有这些焊盘的 所述切割线邻接的多个芯片区域分别连接。在如上所述的一个实施方式的晶片中，使探针卡的接触针与所述 三个焊盘抵接一次，由此，可进行所述多个芯片区域内的半导体装置 的测试。因此，作为晶片整体，可缩短测试时间。在一个实施方式的晶片中，所述切换用焊盘与所述电源用焊盘共 同地构成。在如上所述的一个实施方式的晶片中，可以进一步减少测试用焊 盘或探针卡的接触针的数量。本专利技术的半导体装置的测试方法以由切割线划分分别制作有半导 体装置的多个芯片区域的晶片为目标，判断所述各半导体装置合格或 者不合格，其特征在于，所述晶片至少具有三个设置在与所述芯片区域邻接的切割线上的焊盘，所述三个焊盘是与所述芯片区域内的电源电位部连接的电源用 焊盘；与所述芯片区域内的接地电位部连接的接地用焊盘；与所述芯 片区域内的半导体装置连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该 半导体装置的工作状态的切换用焊盘，使探针卡的对应的第一、第二、第三接触针分别和与某芯片区域 邻接的切割线上的所述电源用焊盘、接地用焊盘、切换用焊盘抵接，从所述探针卡的各接触针提供预先决定的信号，通过所述电源用 焊盘将所述芯片区域内的电源电位部保持为电源电位，通过所述接地 用焊盘将所述芯片区域内的接地电位部保持为接地电位，并且，通过 所述切换用焊盘将所述芯片区域内的半导体装置的工作状态保持为备用状态，在该备用状态下，根据在所述电源用焊盘与所述接地用焊盘之间 流过的电流值，判断所述半导体装置合格或者不合格。在本专利技术的半导体装置的测试方法中，首先，使探针卡的对应的 第一、第二、第三接触针分别和与某芯片区域邻接的切割线上的所述三个焊盘即电源用焊盘、接地用焊盘、切换用焊盘抵接。并且，从所 述探针卡的各接触针供给预先决定的信号，通过所述电源用焊盘将所 述芯片区域内的电源电位部保持为电源电位，通过所述接地用焊盘将 所述芯片区域内的接地电位部保持为接地电位，并且，通过所述切换 用焊盘将所述芯片区域内的半导体装置的工作状态保持为备用状态。 在该备用状态下，根据在所述电源用焊盘与所述接地用焊盘之间流过 的电流值(漏电流)，判断所述半导体装置合格或者不合格。并且， 为了使所述芯片区域内的半导体装置的工作状态变为正常工作状态， 从所述探针卡的笫三接触针供给其他的信号。这样，在判定晶片内的各半导体装置合格或不合格的情况下，由 于在探针卡上设置三根接触针即可，所以，可减少测试用的信号数量。 因此，可减少测试用焊盘或探针卡的接触针的数量。此外，若与所述 三个焊盘相对应地以预先决定的间隔、顺序配置所述三根接触针，则 即使产品的机型不同，也可以使用共同的探针卡。因此，可以降低成 本。在一个实施方式的半导体装置的测试方法中，所述三个焊盘仅和 与设置有这些焊盘的所述切割线邻接的一个芯片区域连接。在一个实施方式的半导体装置的测试方法中，所述三个焊盘和与 设置有这些焊盘的所述切割线邻接的多个芯片区域分别连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片，由切割线划分分别制作有半导体装置的多个芯片区域，其特征在于，至少具有三个焊盘，设置在与所述芯片区域邻接的切割线上，应分别与探针卡的接触针抵接，所述三个焊盘是：与所述芯片区域内的电源电位部连接的电源用焊盘；与所述芯片区域内的接地电位部连接的接地用焊盘；与所述芯片区域内的半导体装置连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该半导体装置的工作状态的切换用焊盘。

【技术特征摘要】
JP 2006-7-13 2006-1928681.一种晶片，由切割线划分分别制作有半导体装置的多个芯片区域，其特征在于，至少具有三个焊盘，设置在与所述芯片区域邻接的切割线上，应分别与探针卡的接触针抵接，所述三个焊盘是与所述芯片区域内的电源电位部连接的电源用焊盘；与所述芯片区域内的接地电位部连接的接地用焊盘；与所述芯片区域内的半导体装置连接并在正常工作状态与备用状态之间切换该半导体装置的工作状态的切换用焊盘。2. 如权利要求1的晶片，其特征在于，所述三个焊盘仅和与设置有这些焊盘的所述切割线邻接的一个芯 片区域连接。3. 如权利要求l的晶片，其特征在于，所述三个焊盘和与设置有这些焊盘的所述切割线邻接的多个芯片 区域分别连接。4. 如权利要求l的晶片，其特征在于， 所述切换用焊盘与所述电源用焊盘共同地构成。5. —种半导体装置的测试方法，以由切割线划分分别制作有半导 体装置的多个芯片区域的晶片为目标，进行所述各半导体装置的电特 性检查，其特征在于，所述晶片至少具有三个设置在与所述芯片区域邻接的切割线上的焊盘，所述三个焊盘是与所述芯片区域内的电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野宏晃，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]