形成焊接凸块的方法技术

本发明专利技术提供一种形成焊接凸块的方法。首先，提供一个基底，且该基底表面形成有一个凸块下金属层。接着在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层，且该图案化光阻层包含有至少一个开口，用以暴露部分该凸块下金属层。之后在该开口内的部分该凸块下金属层表面形成一个底镀层，并在该开口中填入焊料。然后进行光阻剥离步骤，以移除该图案化光阻层，并进行蚀刻制程步骤，利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该底镀层与部分该凸块下金属层，接着进行回焊制程以形成该焊接凸块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种晶片焊接的方法，特别是一种。
技术介绍
覆晶接合(flip-chip)技术是目前广为利用的电子构装技术。不同于传统封 装技术的是，在覆晶接合技术中，晶粒(die)不再是将焊垫经由打金线(wire bonding)的方式来电性连接到封装基板上，而是将其反转过来透过焊接凸块 来电性连接并装着(mount)到封装基板上。由于覆晶接合技术不需要金线的连 接，故能大幅缩小封装体的尺寸以及增加晶粒与封装基板间电路传递的速度。请参考图1至图6,图1至图6为现有形成焊接凸块IO的方法示意图。 如图1所示，首先提供一个基底12，例如已完成内部组件及线路设置的晶 圆。基底12的表面上包含有一个图案化的保护层14 (passivation layer),且 保护层14暴露出若干个焊垫16。其中焊垫16可由铜或铝所构成，用来电性 连接形成于基底12中的内部线路(图中未显示)与封装基板上的外部线路(图 中未显示)。如图2所示，接着利用溅镀、沉积与蚀刻等制程形成若干层堆叠的凸块 下金属层18(under bump metallurgy layer),并覆盖于每一焊垫16及保护层14。 其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成焊接凸块的方法，该方法包含有如下步骤：提供一基底，且该基底表面形成有一凸块下金属层的步骤；在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层，且该图案化光阻层包含有至少一开口，用以暴露部分该凸块下金属层的步骤；在该开口中填入焊料的步骤；进行光阻剥离，以移除该图案化光阻层的步骤；进行蚀刻制程步骤，利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该凸块下金属层的步骤；以及进行回焊制程以形成该焊接凸块的步骤：其特征在于：其还包括在开口中填入焊料之前在该开口内的部分凸块下金属层表面形成一个底镀层的步骤，在进行蚀刻制程步骤中还包括利用该焊料当作屏蔽蚀刻部分该底镀层。

【技术特征摘要】
1.一种形成焊接凸块的方法，该方法包含有如下步骤提供一基底，且该基底表面形成有一凸块下金属层的步骤；在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层，且该图案化光阻层包含有至少一开口，用以暴露部分该凸块下金属层的步骤；在该开口中填入焊料的步骤；进行光阻剥离，以移除该图案化光阻层的步骤；进行蚀刻制程步骤，利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该凸块下金属层的步骤；以及进行回焊制程以形成该焊接凸块的步骤其特征在于其还包括在开口中填入焊料之前在该开口内的部分凸块下金属层表面形成一个底镀层的步骤，在进行蚀刻制程步骤中还包括利用该焊料当作屏蔽蚀刻部分该底镀层。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于前述基底为一晶圓。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于在基底表面形成一凸块下 金属层的步骤还包括在该基底与该凸块下金属层之间另设置有至少一个焊 垫电连接设于该基底中的电路，前述开口位于该焊垫上方，以及一个图案 化保护层覆盖于该基底表面并暴露部分该焊垫的步骤。4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于该底镀层为一铜金属层。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于该凸块下金属层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏龙，吴宗桦，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]