光刻设备与辐射传感器及辐射传感器制造方法技术

公开了一种辐射传感器，包括：辐射接收器，定位于所述投影系统的所述最终元件的焦平面中；透射板，在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接收器；量子转化层，用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光，并且再辐射第二波长的光；光纤块，包括多条光纤；以及辐射检测器。在所述辐射检测器中，所述多条光纤将由所述量子转换层再辐射的光导引到所述辐射检测器。所述辐射传感器可以用作光刻设备中的衬底级别传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备，以及使用这种光刻设备的器件制造方 法。本专利技术还涉及一种用在光刻设备中的辐射传感器、包括这种辐射传 感器的光刻设备、以及使用这种光刻设备的器件制作方法。本专利技术还涉 及一种制作辐射传感器的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。 在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩膜板(recticle)图案化器件 用于在所述IC的单层上产生待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬 底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)。 典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料 (抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全 部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器， 在所述扫描器中，通过沿给定方向(扫描方向)的辐射束扫描所述图 案、同时沿与该方向平行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。还可以通过将所述图案压印(impri本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：照射系统，配置用于调节第一波长的辐射束；支架，配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置用于在横截面方向把图案赋予给辐射束，以形成第一波长的图案化辐射束；衬底台，配置用于保持衬底；投影系统，配置用于将所述图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上，所述投影系统包括最终元件；以及衬底级别传感器，包括：辐射接收器，定位于所述最终元件的焦平面中；透射板，配置用于在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接收器；量子转化层，配置用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光，并且再辐射第二波长的光；光纤块，包括多条光纤；以及辐射检测器，其中，所述多条光纤配置用于将由所述量子转换层再辐射的光导引到...

【技术特征摘要】
US 2006-7-17 11/487,6071.一种光刻设备，包括照射系统，配置用于调节第一波长的辐射束；支架，配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置用于在横截面方向把图案赋予给辐射束，以形成第一波长的图案化辐射束；衬底台，配置用于保持衬底；投影系统，配置用于将所述图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上，所述投影系统包括最终元件；以及衬底级别传感器，包括辐射接收器，定位于所述最终元件的焦平面中；透射板，配置用于在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接收器；量子转化层，配置用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光，并且再辐射第二波长的光；光纤块，包括多条光纤；以及辐射检测器，其中，所述多条光纤配置用于将由所述量子转换层再辐射的光导引到所述辐射检测器。2. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述衬底级别传感器 还包括压力产生装置，配置用于将预加压力施加到所述辐射检测器上， 使得所述透射板、所述量子转化层、所述光纤块和所述辐射检测器彼此 接触。3. 根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述压力产生装置包 括弹簧。4. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述量子转化层包括 来自包括发光玻璃和/或磷光体的组的材料。5. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述量子转化层具有 在厚度至少五倍大于所述第一波长光的所述量子转化层中的吸收长度、并且50倍小于所述透射板厚度。6. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，在第一侧的所述量子 转化层利用光学胶与所述光纤块相连。7. 根据权利要求6所述的光刻设备，其中，在第二侧的所述量子 转化层利用通过直接接触建立的接触与所述透射板相连。8. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述辐射接收器至少 包括剪切光栅和/或针孔。9. 一种器件制造方法，包括使用投影系统，将图案从图案形成装置投影到衬底上；以及 使用包括以下部分的衬底级别传感器，测量所述投影系统的透镜像差辐射接收器，定位于所述最终元件的焦平面中; 透射板，配置用于在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接 收器；量子转化层，配置用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的 光，并且再辐射第二波长的光；光纤块，包括多条光纤；以及辐射检测器，其中，所述多条光纤配置用于将由所述量子转换 层再辐射的光导引到所述辐射检测器。10. —种辐射传感器包括 辐射接收器，配置用于接收入射辐射；透射板，配置用于支撑第一侧的所述辐射接收器；量子转化层，配置用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光， 并且再辐射第二波长的光；光纤块，包括多条光纤，配置用于收集和导引由所述量子转化层再 辐射的光；以及辐射检测器，配置用于接收由所述多条光纤导引的辐射。11. 根据权利要求10所述的辐射传感器，其中，所述辐射传感器 还包括压力产生装置，配置用于将预加压力施加到所述辐射检测器上， 使得所述透射板、所述量子转化层、所述光纤块和所述辐射检测器彼此 接触。12. 根据权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员：海柯V柯克，阿里西J范德西斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]