薄膜样品测量方法和设备及薄膜样品制备方法和设备技术

在将电子束照射到薄膜样品、探测所产生的二次电子并通过利用二次电子来测量薄膜样品膜厚的薄膜样品测量方法中，实现了精确地在短时间内容易地测量该膜厚，即使当该照射的电子束电流量变化时。照射电子束（２ｂ），并由二次电子探测器（６）探测所产生的二次电子（４）。由第一计算装置（１１）计算由在膜厚测量区域探测到的二次电子数量和在参考区域探测到的二次电子数量构成的计算值。基于标准薄膜样品的校准数据和从样品（５）获得的计算值，可以计算该膜厚测量区域的膜厚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种薄膜样品测量方法，其特征在于包括如下步骤：探测通过将带电粒子束照射到标准薄膜样品的包括膜厚测量区域和参考区域的区域而产生的带电粒子；计算所述标准薄膜样品的计算值，该计算值由在所述膜厚测量区域探测到的带电粒子数量和在所述参 考区域探测到的带电粒子数量构成；形成校准数据，该校准数据示出了所述计算值和所述标准薄膜样品的膜厚之间的关系；探测通过将带电粒子束照射到期望的薄膜样品的包括膜厚测量区域和参考区域的区域而产生的带电粒子；计算所述薄膜样品 的计算值，该计算值由在所述膜厚测量区域探测到的带电粒子数量和在所述参考区域探测到的带电粒子数量构成；以及基于所述校准数据和所述薄膜样品的所述计算值来计算所述薄膜样品的膜厚测量区域的膜厚。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：一宫丰，麻畑达也，铃木秀和，
申请(专利权)人：精工电子纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]