用于向基片施加均匀薄液层的设备和方法技术

本发明专利技术涉及一种用于向光电应用的硅电池（１２）施加均匀的、尤其是磷酸层的薄液层的设备（１０），其配置有：处理腔（１４）；液体盘（１６）；以及将液体转化成液雾（１５）的高频超声设备（１１）；以及用于硅电池（１２）的传送设备（１３），其设置在处理腔（１４）的液雾落降通道（２５）的下方。根据本发明专利技术可以实现这种允许关于施加的表面和用量将液体以更均匀的方式施加到相关硅电池的设备（１０），因此，所述处理腔（１４）的所述液雾落降通道（２５）的内截面朝着所述传送设备（１３）的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备（１３）上的所述基片（１２）的通道装置（４０）中，并且所述液雾落降通道（２５）的孔端的内截面和所述通道装置（４０）的内截面相配并优选为基本相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1和权利要求14的前序部分的用于向基 片 一一尤其是用于光电应用的硅电池一一施加均匀薄液层一_尤其是磷 酸层一一的设备，同时本专利技术还涉及一种根据权利要求18的前序部分的用 于向基片一_尤其是用于光电应用的硅电池一一施加均匀薄液层——尤 其是磷^一一的方法。
技术介绍
为了能够制造由硅制成的光电池，首先必须在未成品的电池上掺杂 磷。在此第一步骤中，利用磷酸将电池弄湿并且将弄湿的电池放置在大 约为800°C至900°C的高温炉中，在此，磷从变干的酸扩散到硅基片内。 涂层设计成非常均匀以在扩散过程中取得均衡分布，并且涂层还以节约 的方式设计，因为过量的磷酸融到电池上成为磷玻璃，磷玻璃仅 能够利用氢氟酸除去，并且这种去除实现起来很复杂。通常以如下方式向硅基片施加磷酸，即通过高频超声设备将磷酸雾 化，并使磷酸雾凝在硅基片上。磷酸雾从处理腔输送到落降通道，落降 通道较宽，并且以较远的距离设置在输送经过落降通道的硅基片即电池 上方。该已知设备的一个缺点在于它不能够保证使雾均匀分布，因为即 使轻微的气流也足够吹动雾。此外，处理腔的构造导致有破坏性的 冷凝滴落到硅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备（１０），用于向尤其是光电应用的硅电池的基片（１２）上施加均匀薄液层尤其是磷酸层，其具有：处理腔（１４），所述处理腔（１４）配置有液体盘（１６）和把液体转变成液雾（１５）的高频超声设备（１１）；以及用于所述基片（１２）的传送设备（１３），所述传送设备（１３）设置在所述处理腔（１４）的液雾落降通道（２５）下面；其特征在于，所述处理腔（１４）的所述液雾落降通道（２５）的内截面朝着所述传送设备（１３）的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备（１３）上的用于所述基片（１２）的通道装置（４０）中，并且所述液雾落降通道（２５）的孔端的内截面和所述通道装置（４０）的内截面相配并优选为基本相同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-4-22 102005019686.11.一种设备(10)，用于向尤其是光电应用的硅电池的基片(12)上施加均匀薄液层尤其是磷酸层，其具有处理腔(14)，所述处理腔(14)配置有液体盘(16)和把液体转变成液雾(15)的高频超声设备(11)；以及用于所述基片(12)的传送设备(13)，所述传送设备(13)设置在所述处理腔(14)的液雾落降通道(25)下面；其特征在于，所述处理腔(14)的所述液雾落降通道(25)的内截面朝着所述传送设备(13)的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备(13)上的用于所述基片(12)的通道装置(40)中，并且所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相配并优选为基本相同。2.如权利要求l所述的设备，其特征在于，所述液雾落降通道(25) 沿所述通道装置(40)的方向是楔形的。3.如权利要求1或2所述的设备，其特征在于，在所述通道装置(40 ) 上沿着通路方向(A)在所述落降通道(25)的孔的下游，设置有连接到 液体盘(16)的返回通道(52)，所述返回通道(52)的远离所述孔的尾端 连接到液体罐(19)。4.如权利要求1至3中至少一项所述的设备，其特征在于，在所述高 频超声设备(11)上方区域内设置有连接到第一调节设备(32)的空气供 给管(31)。5.如前述权利要求中至少一项所述的设备，其特征在于，所述通道装 置(40)的端头配置有连接到第二调节设备(47)的排气通道(46)。6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，在所述通道装置(40)与 所述排气通道(46)之间设置带有层流箱(45)的抽气箱(43)，所述抽气 箱(43 )连接于抽风机(48 )。7.如前述权利要求中至少一项所述的设备，其特征在于，用于所述雾 从所述处理腔(14)移动通过所述通道装置(40)移动速度的第一和第二 调节设备(32、 47)与用于所述基片(12)的传送设备(13)的速度相配， 优选为同步。8.如前述权利要求中至少一项所述的设备，其特征在于，在所述处理 腔(14)内的所述高频超声设备(11)和所述液体盘(16)的上方配置有 具有网(30)的撞击元件(28)，所述网(30)优选为塑料网。9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，在所述撞击元件(28)的 自由端与挡件(27)之间具有用于液雾的通路(29),所述撞击元件(28) 从远离所述落降通道(25)的处理腔壁(22)开始倾斜，所述挡件(27) 设置在所述液体盘(16)远离所述处理腔壁(22)的一端。10.如前述权利要求中至少一项所述的设备，其特征在于，所述处理 腔(14)的盖(24)从远离所述落降通道(25)的所述处理腔壁(22)开 始上升地倾斜。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯蒂安布赫纳，约翰布鲁纳，赫尔穆特卡尔姆巴赫，约瑟夫真蒂舍尔，
申请(专利权)人：施密德技术系统有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]