通过热处理从所蚀刻的衬底去除卤素残余物的集成方法技术

本发明专利技术提供了一种从衬底去除挥发性残余物的方法和装置。一个实施例中，于系统中在途中进行挥发性残余物去除工艺同时在衬底上进行卤素处理工艺。挥发性残余物去除工艺在除了卤素处置处理室和ＦＯＵＰ之外的系统中进行。一个实施例中，提供一种从衬底去除挥发性残余物的方法，该方法包括提供具有真空密封平台的处理系统，在平台处理室中用包括卤素的化学物质处理衬底，和在平台中处置被处理的衬底以从被处置的衬底释放挥发性残余物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及一种用于在半导体衬底上制造器件的方法和装置。更具体 地，本专利技术涉及到在等离子体蚀刻半导体衬底上的层之后去除含卤素残余物的 方法和装置。
技术介绍
超大规模集成(ULSI)电路包括数百万个电子器件(例如晶体管)，其 形成于半导体衬底上，如硅(Si)衬底，并在器件中共同实施各种功能。通常， 在ULSI电路中所使用的晶体管都是互补型金属氧化物半导体(CMOS)场效 应晶体管。CMOS晶体管具有包括多晶硅栅极和栅极电介质并且设置在于衬底 中形成的源极区和漏极区之间的栅极结构。等离子体蚀刻通常用在晶体管和其它电子器件制造中。在用于形成晶体管 结构的等离子体蚀刻工艺期间，通常将一层或多层膜堆叠结构(例如硅、多晶 硅、二氧化铪(Hf02) 、 二氧化硅(Si02)、金属材料等的层)暴露于蚀刻剂， 该蚀刻剂包括至少一种含卤素气体如溴化氢(HBr)、氯气(Cl2)、四氟化碳 (CF4)等。这种工艺导致含卤素残余物在所蚀刻的特征、蚀刻掩模以及衬底 上的其它结构的表面上积累。当暴露于非真空环境(例如在工厂接口或者衬底存储盒中)时和/或在连 续处理期间，从在蚀刻期间所沉积的含卤素残余本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从衬底去除挥发性残余物的方法，包括提供具有真空密封平台的处理系统；用包括卤素的化学物质在所述平台的处理室中处理衬底；以及在所述平台中处置所述被处理的衬底以从被处理衬底释放挥发性残余物。

【技术特征摘要】
US 2006-10-26 11/553,132;US 2007-2-16 11/676,1611、一种从衬底去除挥发性残余物的方法，包括提供具有真空密封平台的处理系统；用包括卤素的化学物质在所述平台的处理室中处理衬底；以及在所述平台中处置所述被处理的衬底以从被处理衬底释放挥发性残余物。2、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括当位于所述平台中的真空交换腔室中时加热所述被处理的衬底。3、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括加热在设置于所述平台中的机械手叶片上的所述被处理衬底。4、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括在耦接到所述处理室的传送室中加热所述被处理的衬底。5、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述衬底还包括 将所述衬底暴露于包括溴化氢的含卤素气体。6、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括将被处理的衬底加热到在约200摄氏度和约500摄氏度之间的温度。7、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括在所述处理系统的真空交换腔室中将所述被处理的衬底暴露于选自o2、03、 H20、烷类、烯烃和H2中一种的气体。8、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还 包括在所述处理系统的真空交换腔室中将被所述处理的衬底暴露于o3同时加热所述衬底。9、 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，暴露所述被处理的衬底还 包括将所述被处理的衬底暴露于所述气体中约5秒和约120秒之间的时间。10、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，处置所述被处理的衬底还包括将压力保持在约5Torr和约300Torr之间同时加热所述衬底。11、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热所述被处理的衬底还 包括-感应通过所述衬底的信号变化同时加热所述衬底。12、 根据权利要求ll所述的方法，其特征在于，感应信号变化还包括 确定与所述信号变化相关的衬底温度。13、 根据权利要求12所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克纳什卡瓦吉奇，洛金庞，布雷特克里斯琴胡金森，桑迪M温，史蒂文H金，肯尼恩J巴恩基，马修芬顿戴维斯，索斯藤莱尔，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]