曝光装置及元件制造方法制造方法及图纸

曝光装置（ＥＸ），具备第１载台（ＷＳＴ）、及第２载台（ＭＳＴ）。维护装置（５５），在保持于第１载台的晶片（Ｗ）的曝光处理中执行第２载台（ＭＳＴ）的维护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关于将光掩膜的图案转印于基板上的曝光装置、及使用该曝光 装置的元件制造方法。本案根据2005年7月11日提出的日本特愿2005-201582号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
在半导体元件、液晶显示元件、摄影装置(CCD(Charge Coupled Device)等)、薄膜磁头等元件的制造步骤之一的光刻步骤，为要将标线片(光掩膜) 的图案，通过投影光学系统转印于涂布有光刻胶的晶片(或玻璃板等)上，而 使用曝光装置。该曝光装置，使用步进机等整批曝光型(静止曝光型)的投影 曝光装置，或扫描步进机等扫描曝光型的投影曝光装置(扫描型曝光装置)等。近年来，由于元件的高积体化而要求曝光精度(分辨率、转印忠实度、 叠合精度、线宽误差等)的提高。从元件制造效率提高的观点，也要求产能(单 位时间内能曝光处理的晶片片数)的提高。为要满足这些要求，而谋求保持 晶片的晶图载台的高精度化及高速化，及在曝光处理前进行的各种测量所需 时间的縮短及高精度化。为要同时达成上述曝光精度的提高及高产能，已开发具有2个晶片载台 的双载台曝光装置。在以下的专利文献1揭示有一种曝光装置，其将各种测量机器从晶片载 台分离，而设置有别于晶片载台的测量载台(具备各种测量机器)，由此来实 现进一步提高曝光精度及小设置面积。又，近年来也实现一种液浸式曝光装 置，为提高分辨率，而在投影光学系统与晶片之间填满比气体为高折射率的液体，以使投影光学系统的数值孔径增大来提高分辨率。专利文献1:日本特开平11-1354400号公报
技术实现思路
然而，今后要求产能的更提高乃时势所趋，而要求曝光精度的提高。又， 具备上述复数个晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光 装置，为维持期望性能而定期进行各种维护。若能縮短维护所需时间，能使 曝光装置的运转时间延长，其结果能谋求产能的提高。又，现在大多曝光装置是将配置有晶片载台的室(chamber)内以高精 度调温。由此，减低用以测量晶片载台位置的激光干涉计的测量误差，并且 防止温度变化所产生的构成晶片载台的构件的膨胀及收縮。具备上述复数个 晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光装置，虽也将室 内以高精度调温，但各载台间的空间容易产生已调温空气(气体)的阻滞，因 此有曝光精度降低之虞。本专利技术的目的在于提供，能谋求曝光精度及产能更提高的曝光装置、及 使用该曝光装置的元件制造方法。本专利技术采用对应实施方式所示各图的以下构成。但是，加在各要件的括 号符号，仅止于其要件的例示，并非用以限定各要件者。本专利技术第1观点的曝光装置，具备第1载台WST、及第2载台MST; 且具备维护装置55，用以进行该第2载台的维护；及控制装置20，在载 置于该第1载台的基板W的曝光处理中执行通过该维护装置的维护。依此专利技术，对载置于第l载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的 控制下执行通过维护装置的第2载台的维护。本专利技术第2观点的曝光装置，具备复数个载台WST、 MST;该复数个 载台中的一载台具备调温装置81 84，用以控制与另一载台间的空间的气体 流动，将该一载台及该另一载台的至少一方调温。依此专利技术，通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台 与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温。本专利技术的元件制造方法，包含使用上述任一曝光装置，将元件图案转印 亍-基板上的步骤。本专利技术的曝光方法，用以将基板曝光，其包含以下步骤使用保持该基板的第1载台执行既定处理；及在该既定处理的执行中，执行与该第1载台不同的第2载台的维护。又，本专利技术的元件制造方法，包含使用上述曝光方法来曝光基板。 依本专利技术，因对载置于第l载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的控制下执行通过维护装置的第2载台的维护，故能提高曝光装置的运转率。由此，具有能获得产能更提高的效果。又，依本专利技术，因通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温，故具有能使曝光精度等提高的效果。又依本专利技术的曝光方法，有能获得产能更提高的效果。再者，依本专利技术的元件制造方法，因能获得曝光精度及产能量的更提高，故具有将微细元件有效率地制造的效果。其结果，能期待良率提高，进而能降低所制造元件的制造成本。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的曝光装置的概略构成的侧视图。图2是表示载台装置的构成的立体图。图3是表示曝光装置的控制系统的方块图。图4A是表示维护装置的构成例。图4B是表示维护装置的构成例。图5是表示维护装置的构成例。图6是表示维护装置的另一构成例的立体图。图7是表示设置于图6所示的维护装置的位置测量装置的侧视图。图8A是表示设置于测量载台的调温装置。图8B是表示设置于测量载台的调温装置。图9是表示设置于测量载台的调温装置。图IO是表示微元件的制造工艺的一例的流程图。主要元件符号说明20 :主控制装置27 :第1驱动系统28a、 28b :第2驱动系统47 :第1驱动系统48a、 48b :第2驱动系统53 :基准板55 :维护装置71 :洗净用嘴72 :洗净用嘴 74 :紫外线灯78 :位置测量装置81 :调温装置82 :排气导管 83、 84 :导风板 EX :曝光装置 MST :测量载台 PL :投影光学系统 W :晶片(基板)WST:晶片载台 具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的一实施方式的曝光装置及元件制造方 法。图1表示本专利技术的一实施方式的曝光装置的概略构成的侧视图。图1所 示的曝光装置EX是步进扫描方式的扫描曝光型曝光装置，对图1中的投影光学系统PL边将光掩膜的标线片R与基板的晶片W相对移动，边将形成于 标线片R的图案逐次转印于晶片W。又，在以下的说明，若有必要则在图中设定XYZ正交坐标系统，参照 此XYZ正交坐标系统来说明各构件的位置关系。图1所示的XYZ正交坐标 系统，设定X轴及Y轴使其包含于与晶片W的移动面平行的面，设定Z轴 为沿投影光学系统PL的光轴AX方向。又，在本实施方式将使标线片R及 晶片W同步移动的方向(扫描方向)设定为Y方向。如图1所示，本实施方式的曝光装置EX包含照明光学系统ILS;保 持标线片R的标线片载台RST;投影单元PU;载台装置ST，具有保持晶片 W的晶片载台WST与测量载台MST;及这些的控制系统。照明光学系统ILS，将以未图标的标线片遮板所界定标线片R上的狭缝状照明区域，通过照明光 (曝光用光)IL以大致均匀的照度照明。在此，照明光IL，作为一例使用ArF 准分子激光(波长193nm)。在标线片载台RST上，将形成图案于图案面(图1的Z侧面)的标线片R， 例如以真空吸附保持。标线片载台RST，通过例如含有线性马达的标线片载 台驱动部ll(在图1未图标，参照图3)，能微驱动于与照明光学系统ILS的 光轴(与后述的投影光学系统PL的光轴AX —致)垂直的XY平面内，并且能 以所指定的扫描速度朝扫描方向(Y方向)驱动。标线片载台RST的载台移动面内的位置(包含Z轴周围的旋转)，以激光 干涉计(以下，称为标线片干涉计)12，通过移动镜13(实际上设置具有正交于Y轴的反射面的Y移动镜与具有正交于X轴的反射面的X移动镜)，以例如0.5~lnm左右的分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备：第１载台；第２载台；维护装置，其进行所述第２载台的维护；及控制装置，用于在载置于所述第１载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-7-11 201582/20051.一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备第1载台；第2载台；维护装置，其进行所述第2载台的维护；及控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护。2. 如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置进一步具备投影光学系统，其将图案像投影于所述基板；第1驱动装置，其能将所述第1载台移动至与投影光学系统对向的位置；以及第2驱动装置，其能将所述第2载台移动至与投影光学系统对向的位置。3. 如权利要求1或2所述的曝光装置，其特征在于， 所述第2载台是进行曝光相关测量的测量载台。4. 如权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述维护 装置用以洗净所述第2载台。5. 如权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述维护装置具备供 应装置，用以将洗净剂供应至所述第2载台；及用以回收所述洗净剂的回收装置。6. 如权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述维护装置具备光洗 净装置，以将紫外线照射于所述第2载台的至少一部分区域。7. 如权利要求1至6中任一项所述的曝光装置，其特征在于， 所述第2载台具备能交换的交换构件；所述维护装置用以交换所述交换构件。8. 如权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，所述维护装置具备调整 装置，以调整所述交换构件相对于所述第2载台的位置。9. 如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于， 在所述第2载台的至少一部分设置疏液涂层；所述维护装置进行所述疏液涂层的维护。10. —种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备 第l载台；第2载台；及调温装置，用以控制所述第1载台与所述第2载台间的空间的气体流动， 将所述第1载台及...

【专利技术属性】
技术研发人员：水谷刚之，奥村正彦，河野博高，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]