【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其涉及可有效应用于在显示区域和显示区域的外侧的外围区域形成有MIS晶体管的 显示装置的技术。
技术介绍
以斧，在液晶显示装置中有被称作有源矩阵型的液晶显示装置。 所述有源矩阵型液晶显示装置具有在一对基板之间封入了液晶材料 的液晶显示面板，在所述一对基板中的一块基板(以下称作TFT基 板)的显示区域中呈矩阵状配置有作为有源元件(也被称作开关元 件)使用的TFT元件(包含MOS晶体管的MIS晶体管)。所述液晶显示面板的所述TFT基板具有多条扫描信号线和多条 图像信号线，所述TFT元件的栅电极与扫描信号线连接，漏电极或 源电极中的任意一者与图像信号线连接。在以往的液晶显示装置中，所述TFT基板的所述多条图像信号 线与例如安装有被称作数据驱动器的驱动器IC芯片的TCP或COF 等半导体封装连接，所述TF T基板的所述多条扫描信号线与例如安 装有被称作扫描驱动器或栅极驱动器的驱动器IC芯片的TCP或COF 等半导体封装连接。此外，根据液晶显示装置的种类，也有时把所 述各驱动器IC芯片直接安装在所述TFT基板上。在近年的液晶显示装置中，也提出了代替使用所述...
【技术保护点】
一种显示装置，具有在基板之上层叠导电层、绝缘层和半导体层而形成的ＭＩＳ晶体管，其特征在于：形成在所述基板的第一区域的第一ＭＩＳ晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二ＭＩＳ晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一ＭＩＳ晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二ＭＩＳ晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二ＭＩＳ晶体管的栅电极比所述第一ＭＩＳ晶体管的栅电极薄。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-13 2006-3068531.一种显示装置，具有在基板之上层叠导电层、绝缘层和半导体层而形成的MIS晶体管，其特征在于形成在所述基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。2. 根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于 所述第一MIS晶体管的栅电极的布线电阻比所述第二MIS晶体管的栅电极的布线电阻低。3. 根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于 所述第二 MIS晶体管的栅电极的热传导率比所述第一 MIS晶体管的栅电极的热传导率低。4. 根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于 所述第一 MIS晶体管的栅电极的导电层的层叠结构与所述第二MIS晶体管的栅电极的导电层的层叠结构不同。5. 根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于 所述第一 MIS晶体管的栅电极除了具有所述第二 MIS晶体管的栅电极的导电层的层叠结构，还具有l层以上的导电层。6. 根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于 所述第一 MIS晶体管的栅电极的导电层的层叠结构与所述第二MIS晶体管的栅电极的导电层的层叠结构相同。7. 根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于所述第 一 区域是显示影像或图像的显示区域，所述第二区域是位 于所述显示区域的外侧的、设有驱动电路的区域。8. 根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于 具有扫描信号线，该扫描信号线具有与所述第一 MIS晶体管的所述栅电极相同的层叠结构且与所述第一 MIS晶体管的所述栅电极 一体形成。9. 一种显示装置的制造方法，其中该显示装置具有绝缘基板； 形成在所述绝缘基板之上的第 一 区域内且作为半导体层只使用了非 晶半导体的第一MIS晶体管；和形成在所述绝缘基板之上的第二区 域内且作为半导体层而具有多晶半导体的第二 MIS晶体管，所述方法的特征在于，包括 在所述绝缘基板之上形成栅电极的步骤； 形成覆盖所述栅电极的栅绝缘膜的步骤； 在所述栅绝缘膜之上形成非晶半导体膜的步骤；以及 只使所述第 一 区域和所述第二区域中的所述第二区域的非晶半 导体膜熔融并结晶而将其变换为多晶半导体膜的步骤， 其中，形成所述栅电极的步骤包括在所述第一区域和所述第二区域内形成第一导电层的第一 步骤、和只在所述第 一 区域和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：野田刚史，贺茂尚广，新本秀明，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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