【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺方法,尤其是涉及一种縮小EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-only Memory, 电擦除可 编程只读存储器)中隧道窗口 (Tunnel Window)的方法。
技术介绍
随着EEPROM技术的发展,单元的尺寸越来越小,隧道窗口的縮小不 仅有利于縮小EEPROM的单个单元的面积,而且有利于提高单元的读写特 性。但是如果用干法刻蚀来刻蚀出隧道窗〕,隧道氧化层就容易受到等离 子体的损伤,所以一般隧道窗口用湿法刻蚀来刻蚀,然而湿法刻蚀也有缺 点,其横向刻蚀很大,想要通过湿法刻蚀直接刻蚀出较小的隧道窗口不容 易。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种縮小EEPROM中隧道窗口的方 法,能得到较小尺寸的隧道窗口。为了解决上述技术问题,本专利技术的縮小EEPROM中隧道窗口的方法包 括如下步骤(1) 在衬底上长一层氧化层;(2) 在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层;(3) 通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉;(4) 湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层;(5) 用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层;(6) 湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层,即得单元的栅氧化 层和隧道氧化层。本专利技术的縮小EEPROM中隧道窗口的方法,通过结合湿法刻蚀的反向 刻蚀和LOCOS (Local Oxidation on Silicon,硅的局部氧化)的方法,能顺利得到较小尺寸的隧道窗口 。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。 ...
【技术保护点】
一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底上长一层氧化层;(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层;(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉;(4)湿法刻蚀去除隧道 窗口周围的氮化层;(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层;(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层,即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法,其特征在于,包括如下步骤(1)在衬底上长一层氧化层;(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层;(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉;(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层;(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层;(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙亚亚,刘煊杰,王海军,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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