钌合金溅射靶制造技术

一种钌合金溅射靶，通过将钌粉末和比钌更容易形成氧化物的金属粉末的混合粉末烧结而得到，其中，除气体成分外的靶纯度为９９．９５重量％以上，含有５原子％至６０原子％的比钌更容易形成氧化物的金属，相对密度为９９％以上，作为杂质的氧含量为１０００ｐｐｍ以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种钌合金溅射靶，其可以减少钌合金溅射靶中存在 的氧，减少溅射时电弧放电或颗粒的产生，提高烧结密度从而提高耙强度，并且为了防止在Si半导体中微量添加的B及P的组成变动而严 格限制耙中的B及P杂质量，从而提高成膜的质量。
技术介绍
钉(Ru)合金热稳定性优良，并且低电阻性、阻隔性优良，因此 作为半导体元件的成膜材料，特别是作为栅电极材料、各种扩散阻隔材料受到关注。纯钌靶在烧结时，在110(TC左右产生氧的解离，即使原料粉的氧 含量高达2000重量卯m时，也可以将烧结体中的氧含量减少至不足 100重量ppm。例如，专利文献2中记载了一种使用氧含量500ppm的原料粉制 造的高纯度钌靶，其中碱金属小于lppm、碱土金属小于lppm、放射 性元素小于10ppb、碳及气体成分合计量小于500ppm、氧浓度为100ppm 以下、纯度为99.995%以上。但是，在钌合金的情况下，构成合金的钌以外的元素(以下，称 为合金元素)容易形成氧化物，形成比钌更稳定的氧化物时，由于从 钌解离的氧与合金元素发生反应，结果烧结后钌合金的氧含量不会减 少。例如，在钌-钜合金中这种倾向特别强，并且难以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种钌合金溅射靶，通过将钌粉末和比钌更容易形成氧化物的金属粉末的混合粉末烧结而得到，其中，除气体成分外的靶纯度为99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比钌更容易形成氧化物的金属，相对密度为99％以上，作为杂质的氧含量为1000ppm以下。2，权利要求1所述的钌合金溅射靶，其中，氧含量为100至500 重量ppm。3. 权利要求1或2所述的钌合金溅射靶，其中，比钌更容易形成 氧化物的金属为钽。4. 权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田国博，
申请(专利权)人：日矿金属株式会社，
类型：发明
国别省市：