BD控挡片的回收利用方法技术

本发明专利技术公开了一种ＢＤ控挡片的回收利用方法，它可以提高ＢＤ控挡片的回收率。它包括如下步骤：第一步，对ＢＤ控挡片进行单晶元湿法刻蚀；第二步，进行干法灰化；第三步，对ＢＤ控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种BD控挡片的回收利 用方法。
技术介绍
BD是一种低K值介电材料，其中K为介电系数，其英文全称为 Black Diamond (黑金刚)，而BD控挡片是指覆盖有BD材料的晶圆 (Wafer),在晶片行业俗称为BD控挡片，BD控挡片是BD层和硅 基底的总称，BD层是黑金刚材料。BD控挡片在90纳米及以下晶片 制程中大量应用。由于BD控挡片的价格较贵，如果不能回收，则提 高生产成本，目前关于BD控挡片的回收利用逐渐成为晶元代工厂成 本控制的重要内容。目前采用化学机械研磨法对BD控挡片回收再利用，但是这--方 法的主要问题是容易对硅基底造成划伤，表面缺陷难于控制，这样造 成无法再次利用，也就是说利用该方法的回收率较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种BD控挡片的回收利用方 法，它可以提高BD控挡片的回收率。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种BD控挡片的回收利 用方法，它包括如下步骤第一步，对BD控挡片进行单晶元湿法刻蚀；第二步，进行千法灰化；第三步，对BD控挡片再次进行单晶元 湿法刻蚀。因为本专利技术结合了单晶元湿法刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＢＤ控挡片的回收利用方法；其特征在于，它包括如下步骤：第一步，对ＢＤ控挡片进行单晶元湿法刻蚀；第二步，进行干法灰化；第三步，对ＢＤ控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀。

【技术特征摘要】
1. 一种BD控挡片的回收利用方法；其特征在于，它包括如下步骤第一步，对BD控挡片进行单晶元湿法刻蚀；第二步，进行干法灰化；第三步，对BD控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀。2、 如权利要求1所述的BD控挡片的回收利用方法，其特征在 于，第一步所述的湿法蚀刻是采用含臭氧的去离子水和体积比49%的 氢氟酸依次在BD控挡片表面处理5-15秒。3、 如权利要求1所述的BD控...

【专利技术属性】
技术研发人员：张水友，高昀成，尚海艇，李建茹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]