LED接合结构以及LED接合结构的制造方法技术

一种ＬＥＤ芯片，包括适合热超声或热压接合的焊垫，例如Ｓｎ、ＡｕＳｎ或其它金属。焊垫的物理尺寸被选定为不管是否有焊剂，都可以减少或防止在热压或热超声接合的过程中焊料被挤出。在一些实施例中，ＡｕＳｎ焊垫被设计成可接受３０ｇ至７０ｇ或更大的作用力而不会被挤出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LED接合结构以及LED接合结构的制造方法 临时申请的交叉引用本申请要求于2004年4月28日提交的序号为No.60/565960、名称为具有小体积焊垫的LED的美国临时申请的权益。
技术介绍
本专利技术涉及半导体器件，具体地说，涉及一种以结向下 (junction-down )的结构安装在基座ubmount)上的发光二极管。GaN基发光二极管(LED)通常包括其上沉积着多个GaN基外 延层的绝缘或半导体衬底，例如SiC或蓝宝石。外延层包括具有在受 到激励时发光的p-n结的有源区。一般的LED是衬底侧朝下地安装在 基座上，基座也被称作封装或引线框架(以下称作基座)。图4示 意性地示出了常规的LED,它具有n型SiC衬底10以及有源区l2， 该有源区12包括生长在衬底上并被仿制成台面(mesa)的n-GaN基 层14和p-GaN基层16。金属p电极18沉积在p-GaN层16上，并且 在p电极18上，焊接线28形成在焊垫20上。导电衬底上的n电极 22利用导电的环氧树脂26与金属基座24连接。在常规的工艺中，导 电的环氧树脂26 (通常为加银环氧树脂)被沉积在基座上，并且LED 被压入到环氧树本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ芯片，包括：至少包括ｐ型层和ｎ型层的外延区；形成在所述ｐ型层或ｎ型层中的至少一个上的欧姆触点；以及形成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约３×１０↑［－５］ｍｍ↑［３］。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-4-28 60/565,9601. 一种LED芯片，包括至少包括p型层和n型层的外延区；形成在所述p型层或n型层中的至少一个上的欧姆触点；以及形成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约3×10-5mm3。2. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫包括金属焊料。3. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫包括Au、 Au/Sn、 Pb/Sn、 Sn或Sn/Ag。4. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫的总体积小于约 2.5x10 5mm3。5. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为具 有基本方形的周边的平行六面体。6. 如权利要求5所述的LED芯片，其中外延区的宽度大于等于 约250nm，并且其中焊垫的高度小于等于约1.2jim、宽度小于等于约 150nm。7. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为圆柱体。8. 如权利要求7所述的LED芯片，其中外延区的宽度大于等于 约250nm，并且其中焊垫的高度小于等于约2pm、直径小于外延区宽 度的一半。9. 如权利要求8所述的LED芯片，其中焊垫的直径小于等于约 120jim。10. 如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为具 有相对的平行表面和星形的周边的多面体。11. 如权利要求10所述的LED芯片，其中从焊垫的边缘到外延 区的边缘的距离至少约为50nm。12. —种LED,包括LED芯片，该LED芯片具有至少包括p型层和n型层的外延区；形成在所述p型层或n型层中的至少一个上的欧姆触点；以及形 成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约3x10 —5mm3， 其中所述LED芯片经由焊垫接合在基座上， 并且其中LED芯片和基座之间的接合的切变强度超过140g。13. 如权利要求12所述的LED,其中外延区包括周界，并且焊垫 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：小大卫B斯莱特，约翰A埃德蒙，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]