半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置包括：半导体芯片；在所述半导体芯片的表面上形成的电连接用的内部焊盘；在所述半导体芯片上形成的、具有露出所述内部焊盘的开口部的应力缓冲层；由具有焊料湿润性的金属构成的、在所述内部焊盘的与所述开口部面对的部分上形成的、具有在所述应力缓冲层上突出的突出部的连接焊盘；由具有焊料湿润性的金属构成的、包围所述突出部的周围、并且被形成为比所述突出部在所述应力缓冲层上的突出量小的厚度的金属凸缘部；和形成在所述突出部和所述金属凸缘部上的、用于与外部电连接的焊料端子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于WL-CSP (晶片级芯片尺寸封装Wafer Level-Chip Size Package)技术的半导体装置。
技术介绍
最近，伴随着半导体装置的高功能化*多功能化，推进了WL-CSP(晶 片级芯片尺寸封装Wafer Level-Chip Size Package,以下记述为 WL-CSP)技术的实用化。在WL-CSP技术中，在晶片状态下完成封装 工序，通过切割切出的各个芯片尺寸成为封装尺寸。如图8所示，适用于WL-CSP技术的半导体装置包括由表面保护膜81 覆盖表面的半导体芯片82、在表面保护膜81上层叠的应力缓冲层83、以 及设置在应力缓冲层83上的大致球状的焊料球84。在表面保护膜81上形 成焊盘开口 86，用于使半导体芯片82的内部布线的一部分露出作为电极 焊盘85。在应力缓冲层83上形成贯通孔87，用于使从焊盘开口 86露出 的电极焊盘85露出。按照覆盖电极焊盘85的表面、贯通孔87的内面以及应力缓冲层83 的表面中的贯通孔87的周边的方式，形成凸块基底层88。之后，将焊料 球84设置在凸块基底层88表面上，并通过该凸块基底层88与电极焊盘 85本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：　　　　半导体芯片；　　　　在所述半导体芯片的表面上形成的电连接用的内部焊盘；　　　　在所述半导体芯片上形成的、具有露出所述内部焊盘的开口部的应力缓冲层；　　　　由具有焊料湿润性的金属构成的连接焊盘，所述连接焊盘在所述内部焊盘的与所述开口部面对的部分上形成、并且具有在所述应力缓冲层上突出的突出部；　　　　由具有焊料湿润性的金属构成的金属凸缘部，所述金属凸缘部包围所述突出部的周围、并且被形成为比所述突出部在所述应力缓冲层上的突出量小的厚度；和　　　　形成在所述突出部和所述金属凸缘部上的、用于与外部电连接的焊料端子。

【技术特征摘要】
JP 2006-12-25 2006-3485701、一种半导体装置，包括半导体芯片；在所述半导体芯片的表面上形成的电连接用的内部焊盘；在所述半导体芯片上形成的、具有露出所述内部焊盘的开口部的应力缓冲层；由具有焊料湿润性的金属构成的连接焊盘，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：新开宽之，奥村弘守，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]