【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像传感器。更具体的，本专利技术涉及一种CMOS图像传 感器及其制造方法。
技术介绍
通常，图像传感器是能够将光学图像转换成电信号的器件。在图像传感 器行业中，传感器通常分为CMOS (互补金属氧化物硅)图像传感器或CCS (电荷耦合器件)图像传感器。相对于CMOS图像传感器，CCD图像传感器具有较优的噪声特性以及 光敏特性，但是难以实现高集成系统所需的密度并且难以降低它们的高功 耗。相反，CMOS图像传感器采用更简单的工艺并且具有相对低的功耗特性， 使得它们比CCD图像传感器更适合高集成系统的密度需求。随着半导体器件制造技术持续发展，许多努力集中于研究和开发CMOS 图像传感器。由于这些进展，获得了 CMOS图像传感器的改进的制造技术和 改进的特性。当前在现有技术中采用的一种CMOS图像传感器制造方法中，同时执行 硅化金属沉积(salicidation)和硅化(silicidation)工艺，使得难以在非自对 准硅化物(non-salicide)区域中充分形成无边界接触。因此，在该非自对准 硅化物区域中形成厚度增加的自对准硅化物阻挡氧化物层(...
【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上形成包括像素区和逻辑区的外延层，所述像素区具有多个光电二极管，所述逻辑区具有能执行信号处理的多个器件；在所述外延层上形成的绝缘层中形成浅沟槽隔离层；在具有所述浅沟槽隔离层的所述绝缘层上形成多个阱和具有间隔件的栅极图案；采用离子注入工艺在所述绝缘层中形成多个源极区和多个漏极区；在像素区中的所述绝缘层和所述栅极图案上形成自对准硅化物阻挡层，以防止所述像素区中的硅化金属沉积；通过在所述逻辑区上执行硅化工艺在所述逻辑区中形成多个硅化物层；在所述像素区中的自对准硅化物阻挡层上以及在所述逻辑区中的所述绝缘层和所述栅极图案上依次形成Ｐ...
【技术特征摘要】
KR 2006-12-29 10-2006-01373631、一种CMOS图像传感器的制造方法，包括在半导体衬底上形成包括像素区和逻辑区的外延层，所述像素区具有多个光电二极管，所述逻辑区具有能执行信号处理的多个器件；在所述外延层上形成的绝缘层中形成浅沟槽隔离层；在具有所述浅沟槽隔离层的所述绝缘层上形成多个阱和具有间隔件的栅极图案；采用离子注入工艺在所述绝缘层中形成多个源极区和多个漏极区；在像素区中的所述绝缘层和所述栅极图案上形成自对准硅化物阻挡层，以防止所述像素区中的硅化金属沉积；通过在所述逻辑区上执行硅化工艺在所述逻辑区中形成多个硅化物层；在所述像素区中的自对准硅化物阻挡层上以及在所述逻辑区中的所述绝缘层和所述栅极图案上依次形成PMD衬垫氮化物层和磷硅玻璃层；以及形成从所述磷硅玻璃层的表面到所述多个源极区和多个漏极区的多个接触。2、 如权利要求1所述的方法，其中形成自对准硅化物阻挡层包括在所 述像素区中的所述绝缘层和所述栅极图案上依次沉积氧化物层和氮化物层。3、 如权利要求2所述的方法，其中所述氧化物层具有100至200A的 厚度，并且形成在所述氧化物层上的所述氮化物层具有100至200A的厚度。4、 如权利要求1所述的方法，其中形成所述硅化物层包括 在所述自对准硅化物阻挡层上形成光致抗蚀剂图案； 在蚀刻工艺中采用所述光致抗蚀剂图案作为掩模移除所述逻辑区中的所述自对准硅化物阻挡层；在所述半导体衬底上在所述光致抗蚀剂图案上方沉积高熔点金属； 通过执行灰化工艺移除所述光致抗蚀剂图案；以及 执行快速退火工艺以形成所述硅化物层。5、 如权利要求4所述的方法，其中所述快速退火工艺是在Ar气氛中在 800至1000°C温度下执行20秒。6、 如权利要求4所述的方法，其中所述高熔点金属包括Co或Ti。7、 一种CMOS图像传感器，包括 外延层，形成在半导体衬底上且包括像素区和逻辑区，所述像素区具有 多个光电二极管，所述逻辑区具有能执行信号处理的多个器件；绝缘层，形成在所述外延层上，所述绝缘层包括多个阱、形成在所述多 个阱上的多个STI层、以及多个源极区和多个漏极区；栅极图案，形成在所述像素区和所述逻辑区中的绝缘层上，所述栅极图 案的两侧具有间隔件；自对准硅化物阻挡层，形成在所述像素区中的所述绝缘层和所述栅极图 案上；多个硅化物层，形成在所述逻辑区中的所述栅极图案...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相起，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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