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一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法包括，在半导体衬底上形成外延层，该外延层包括像素区和逻辑区，在该外延层上的绝缘层中形成ＳＴＩ层，在该绝缘层上形成多个阱和具有间隔件的栅极图案，采用离子注入方法在该绝缘层中形成多个源极区和多个漏极区，在该像素区...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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