CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及其制造方法。在本发明专利技术的一个具体实施方式中，图像传感器包括其中形成多个光电二极管的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的绝缘层，在所述绝缘层上形成的滤色层，在含有所述滤色层和具有以规则间距放置的多个凹入部分的生成物的整个表面上形成的平坦化层，以及在平坦化层的每一凹入部分形成的多个微透镜并以规则间距放置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有基本上均一的微透镜的图像传感器及其制造方法。
技术介绍
通常，图像传感器是能够将光学图像转换为电信号的半导体装置。图像传感器主要可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。 图像传感器通常包括具有感光能力的光电二极管单元以及能够将光转换为电信号的逻辑电路。随着光电二极管单元接收光的数量的增加，图像传感器的感光性提高。 为了提高图像传感器的感光性，增加光电二极管所占面积和图像传感器总面积之间的比率，或可以在除了光电二极管的区域上改变入射光的路径来将光聚焦在光电二极管。 用来在光电二极管上聚光的典型器件是微透镜。微透镜是有具有良好的光透率的材料形成的凸透镜。微透镜可以位于光电二极管上，以折射入射光路径并将大量光引导到光电二极管内。如果光与微透镜的光轴平行入射，光由微透镜折射并聚焦在透镜光轴的预定位置。 通常，除了别的以外，图像传感器包括光电二极管、绝缘层、滤色层以及微透镜。光电二极管感应并将光转换为电信号。绝缘层使得金属线之间绝缘。滤色层通常将光过滤为红、绿和蓝(RGB)成分。微透镜将光聚焦在光电二极管上。 如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：其中形成多个光电二极管的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的滤色层；在含有所述滤色层和具有以规则间距放置的多个凹入部分的生成物的整个表面上形成的平坦化层；以及在平坦化层的每一凹入部分中形成并以规则间距放置的多个微透镜。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-26 10-2006-01335241.一种图像传感器，包括其中形成多个光电二极管的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的滤色层；在含有所述滤色层和具有以规则间距放置的多个凹入部分的生成物的整个表面上形成的平坦化层；以及在平坦化层的每一凹入部分中形成并以规则间距放置的多个微透镜。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤色层由红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层组成。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，形成所述凹入部分以分别对应于红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成所述凹入部分以彼此具有基本上相同的尺寸。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微透镜由所述凹入部分之间的平坦化层的突起彼此分离。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，通过涂覆光刻胶型的有机材料或沉积无机氧化物或氮化物形成所述平坦化层。7.一种图像传感器的制造方法，该方法包括在所述半导体衬底中形成多个光电二极管；在所述半导体衬底上形成绝缘层；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金尚源，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]