CMOS图像传感器的形成方法技术

一种ＣＭＯＳ图像传感器的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，本发明专利技术在形成ＭＯＳ晶体管的多晶硅栅的侧墙工艺步骤之后在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层进行保护，防止了随后的离子注入工艺中的光刻胶层沾污以及在表面形成金属离子。本发明专利技术在没有增加掩模版即工艺复杂度和工艺成本条件下，采用用来形成多晶硅栅侧墙第一绝缘层中的一层或者两层作为光电二极管区域的第二绝缘层对光电二极管表面进行保护，减小了暗电流的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种CMOS图像传感器的形成方法。
技术介绍
目前电荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的实用化固态图 图像传感器件，具有读取噪声低、动态范围大、响应灵敏度高等优点，但是CCD 同时具有难以与主流的互补金属氧化物半导体(Complementary _ Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技术相兼容的缺点，即以CCD为基础的图像 传感器难以实现单芯片一体化。而CMOS图像传感器(CMOS Image sensor, CIS)由于采用了相同的CMOS技术，可以将像素单元阵列与外围电路集成在 同一芯片上，与CCD相比，CIS具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易 于控制以及平均成本低的优点。暗电流(Dark Current)是CIS工艺面临的难题之一 。对于半导体器件来说， 只要其温度不是绝对零度，器件内部的电子-空穴对就将处于产生、迁移和 湮灭的动态平衡中，温度越高，电子-空穴对产生和迁移的速率就越快，暗 电流就越大。通常认为，暗电流是在没有入射光时光电二极管所释放的电流 量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，所述光电二极管区域半导体衬底中形成有具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第一导电类型与第二导电类型相反 ，所述外围电路区域形成有ＭＯＳ晶体管的多晶硅栅；在半导体衬底表面形成第一绝缘层；在外围电路区域采用第一绝缘层形成ＭＯＳ晶体管的多晶硅栅的侧墙；去除光电二极管区域的表面残留的第一绝缘层，在光电二极管区域的表面形成第二绝 缘层；在外围电路区域形成ＭＯＳ晶体管的低掺杂源／漏扩散区和源／漏极；在光电二极管区域第二...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，所述光电二极管区域半导体衬底中形成有具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第一导电类型与第二导电类型相反，所述外围电路区域形成有MOS晶体管的多晶硅栅；在半导体衬底表面形成第一绝缘层；在外围电路区域采用第一绝缘层形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙；去除光电二极管区域的表面残留的第一绝缘层，在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层；在外围电路区域形成MOS晶体管的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极；在光电二极管区域第二绝缘层之下的半导体衬底中形成具有第一导电类型的浅掺杂阱。2. 根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于所述 第一、第二绝缘层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其组合构成。3. 根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于第二 绝缘层厚度范围为50至200 nm。4. 根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于形成 深^渗杂阱的深离子注入的能量范围为100至400KeV，剂量范围为1.0E+12 至1.0E+13 cm-2。5. 根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于形成 浅掺杂阱的浅离子注入的能量范围为5至...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍介光，杨建平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]