温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种ＣＭＯＳ图像传感器的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，本发明在形成ＭＯＳ晶体管的多晶硅栅的侧墙工艺步骤之后在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层进行保护，防止了随后的离子注入...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。