具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构制造技术

本发明专利技术是有关一种具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，该些指状凸块设于一晶片主体上。该晶片主体具有复数个接垫及一表面保护层，其具有局部显露每一接垫的复数个开孔，可为直线排列、平行排列或矩阵排列。该些指状凸块突起状设于晶片主体上，每一指状凸块具有一凸块体与延伸部，凸块体底部覆盖区域位于对应接垫内，以覆盖对应组的开孔，该些延伸部底部覆盖区域是超出该些接垫之外，以维持微间距凸块接合的强度。在一实施例中该些延伸部的底部覆盖区域是跨过至少一迹线。本发明专利技术能符合凸块微间距或／与高密度排列需求，且不影响凸块接合强度。本发明专利技术可增加凸块与晶片接垫的连接点数量，增进凸块底部裂痕抵抗特性，并分散凸块顶部下沉区域，可增进凸块接合强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种凸块化的半导体晶片结构，特别是涉及一种能够符合 凸块微间距或/与高密度排列的需求，还可增进凸块的接合强度的具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构(IC CHIP HAVING FINGER-LIKE BUMPS BONDED ON MULTI-WINDOWS)。
技术介绍
金属凸块，例如金凸块，是制作于集成电路晶片的接垫上，以利于对 外电性连接，便于应用在后续以玻璃覆晶(COG， Chip On Glass)与薄膜覆 晶封装(COF, Chip On Film)等半导体产品。而电子讯号是经由位于该集成 电路晶片两侧的凸块及基板51线传送至搭配的装置，例如液晶显示器，随着 显示器所要求的高画质、高解析度，晶片所须的凸块的数量相对增加。此 外，其它电子产品在微小化要求下，集成电路复杂与微小化亦会使得凸块的 间隔缩小。请参阅图1所示，是现有习知凸块化晶片结构的顶面局部示意图。 一种 现有习知的凸块化晶片结构100，主要包含一晶片主体110以及复数个位于 晶片两侧的凸块120与凸块140。该晶片主体IIO，具有一主动面lll及一 表面保护层113 (请结合参阅图3所示)，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其特征在于其包含：一晶片主体，其具有一主动面、复数个接垫及一表面保护层，该些接垫是设置于该主动面，其中该表面保护层在每一接垫上具有复数个开孔，每一接垫上所有开孔的总合面积是小于对应接垫的面积，以局部显露该些接垫；以及复数个指状凸块，其是突起状设置于该晶片主体上，每一指状凸块具有一凸块体与一延伸部，该些凸块体的底部覆盖区域是位于对应接垫内且大于该些开孔，该些延伸部的底部覆盖区域是超出该些接垫之外。

【技术特征摘要】
1、 一种具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其特征在于其包含 一晶片主体，其具有一主动面、复数个接垫及一表面保护层，该些接垫是设置于该主动面，其中该表面保护层在每一接垫上具有复数个开孔,每 一接垫上所有开孔的总合面积是小于对应接垫的面积，以局部显露该些接 垫；以及复数个指状凸块，其是突起状设置于该晶片主体上，每一指状凸块具 有一 凸块体与 一延伸部，该些凸块体的底部覆盖区域是位于对应接垫内且 大于该些开孔，该些延伸部的底部覆盖区域是超出该些接垫之外。2、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的晶片主体具有至少一邻近于该些接垫的迹线，其是被 该表面保护层覆盖，该些延伸部的底部覆盖区域是跨过该迹线。3、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些开孔是为长条槽孔。4、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的每一开孔的面积是不大于1000 um2。5、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为并排平行排列。6、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为直线排列。7、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为矩阵排列。8、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的表面保护层的厚度是不大于2 u m。9、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些凸块体与该些延伸部具有一致等高的顶面，其最 高点与凹陷区之间的高度差容许误差值在3 u m以内。10、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些指状凸块的高度是介于10um至20um。11、 根据权利要求l所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些延伸部的长度是不大于150 um。12、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的晶片主体是具有 一边缘，该些指状凸块是邻近于该边 缘，而该些延伸部是相对于该些凸块体较为远离该边缘。13、 根据权利要求12所述的具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其特征在于其中所述的该些延伸部的延伸方向是与该边缘互为垂直向。14、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其特征在于其中所述的该些凸块体与该些延伸部是为等宽。15、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其另包含有一凸块下金属层，其位于该些指状凸块与该表面保护 层之间并连接至该些接垫，其中该凸块下金属层的尺寸是实质相等于该些 凸块体的底部覆盖区域与该些延伸部的底部覆盖区域。16、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些接垫是为铝垫，而该些指状凸块是为金凸块。17、 根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构，其 特征在于其中所述的该些指状凸块的材质是选自金、铜、铝与其合金的其中之一。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：施合成，王俊元，郑怡芳，王琼琳，锺孙雯，
申请(专利权)人：晶宏半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]