【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的金属互连及其制造方法。
技术介绍
由于半导体器件已经变得高度集成并以高速操作，所以铜互连得到了迅 速开发。铜互连利用了电阻比铝或铝合金小的铜(铜已经被广泛用作半导体 器件中的互连材料)，并具有相对高的电阻率和高电迁移率。由于半导体器件的尺寸已经减小，所以需要利用铜的金属互连的尺寸减小。同样，由于铜金属互连的颗粒尺寸(grain size)也已在逐渐减小，所以 电流可集中于颗粒边界处。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法，其中沉 积用于铜金属互连的铜籽晶层并随后用离子注入法以铝成分进行掺杂，并通 过热处理工艺形成Cu-Al合金层，从而使半导体器件的可靠性得以提高。为了实现本专利技术的目标，提供了一种用于制造半导体器件的金属互连的 方法，该方法包括以下步骤在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层； 在层间电介质层中形成暴露出下部互连的沟槽；在沟槽中和电介质层上形成 扩散阻挡件；在扩散阻挡件上形成铜籽晶层；将金属掺杂剂注入铜籽晶层内； 在内部注入了金属掺杂剂的铜籽晶层上形成铜金属互连；以及由铜籽晶层和 ...
【技术保护点】
一种用于制造金属互连的方法，包括以下步骤：在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层中形成暴露出所述下部互连的沟槽；在所述电介质层上和所述沟槽中形成扩散阻挡件；在所述扩散阻挡件上形成铜籽晶层；将金属掺杂剂注入所述铜籽晶层内；在内部注入了所述金属掺杂剂的所述铜籽晶层上形成铜金属互连；及由所述铜籽晶层和所述金属掺杂剂形成合金层。
【技术特征摘要】
KR 2006-12-27 10-2006-01355671.一种用于制造金属互连的方法，包括以下步骤在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层中形成暴露出所述下部互连的沟槽；在所述电介质层上和所述沟槽中形成扩散阻挡件；在所述扩散阻挡件上形成铜籽晶层；将金属掺杂剂注入所述铜籽晶层内；在内部注入了所述金属掺杂剂的所述铜籽晶层上形成铜金属互连；及由所述铜籽晶层和所述金属掺杂剂形成合金层。2. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述合金层的步骤包括使用热 处理工艺。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述金属掺杂剂...
【专利技术属性】
技术研发人员：李汉春，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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