【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式一般涉及用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置。技术背景对于许多微电子器件制造工艺,气流的精确控制是重要的工艺控制因素。 在半导体处理腔室中在衬底和衬底支架之间提供气体是一种用于改善衬底和 衬底支架之间的热传递并从而增强衬底温度控制的精确性和均匀性的众所周 知的方法。另外,为了获得所需的处理结果,特别是随着关键尺寸和薄膜厚度 縮小,需要精确控制流到处理腔室中的工艺气流。并且,可以将气体添加到处理腔室流出物流(effluent shrink),以减轻衬底处理的环境影响。必须要很好地 控制添加到流出物流中的气体,从而确保有效成本和适当的补救。与半导体处理腔室一起使用的传统气体输送系统一般包括气体质量流量 计(mass gas flow meter, MFC)作为主要的流量调整器件。然而,MFC的精 确度可能受到引起实际气流的不确定性的多个因素影响。例如,MFC的精确 性通常将随温度、输送管道压力和容量(volume)的变化而改变。由于MFC 不准确引起的从气流设定点的偏差将引起处理缺陷、差的排放控制和昂贵气体 的无效浪费。尽管传统的压力控制系统已经证明相对可靠,但是利用现有技术的现场试 验己经增加了对于流量进行更准确测量的要求。例如,在背侧衬底冷却应用中 所使用的气流的不良控制将导致不良的衬底温度控制,从而导致差的薄膜沉积 或蚀刻结果,这在下一代电路设计中是无法容忍的。然而,传统的气体输送系统一般具有固定的导管,用于将气体从气源发送 到处理腔室中。因而,只有预定组合的工艺气体可在任意时间被传送到处理腔 室中。该固定的气体传送路径阻挡了 ...
【技术保护点】
一种控制至处理系统的气流的方法,其中该处理系统包括经过前级管道而耦接到设备排气装置的处理腔室,该方法包含: 将来自第一气源的第一气体流入具有至少第一出口、第二出口、第三出口和第四出口的歧管中; 将来自第二气源的第二气体流入所述歧管中; 选择所述歧管内的阀的操作状态,以在处理模式中时使第一和第二气体经过所述第二或第三出口中至少之一排出; 使所述第一和第二气体流过所述歧管并且流入旁通所述处理腔室的前级管道中,直到获得所述歧管内的气体的预定状态; 在已经获得所述预定状态之后导引所述第一和第二气体排出所述歧管并流入处理腔室中;以及 处理所述处理腔室内的衬底。
【技术特征摘要】
US 2007-2-26 11/678,6231、一种控制至处理系统的气流的方法,其中该处理系统包括经过前级管道而耦接到设备排气装置的处理腔室,该方法包含将来自第一气源的第一气体流入具有至少第一出口、第二出口、第三出口和第四出口的歧管中;将来自第二气源的第二气体流入所述歧管中;选择所述歧管内的阀的操作状态,以在处理模式中时使第一和第二气体经过所述第二或第三出口中至少之一排出;使所述第一和第二气体流过所述歧管并且流入旁通所述处理腔室的前级管道中,直到获得所述歧管内的气体的预定状态;在已经获得所述预定状态之后导引所述第一和第二气体排出所述歧管并流入处理腔室中;以及处理所述处理腔室内的衬底。2、 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包含 在完成衬底处理之后使所述第一和第二气体流过所述歧管并流入旁通所述处理腔室的所述前级管道中。3、 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步包含 用从第三气源提供到所述歧管的第三气体替代所述歧管中的第一气体和第二气体中至少一种。4、 根据权利要求3所述的方法,其特征在于,进一步包含 防止从所述歧管排出的第三气体中至少之一进入所述净化管道或停止所述第三气体的流动;以及在所述第三气体排出所述歧管时,继续导引所述第一气体或第二气体中至 少一种进入所述净化管道。5、 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,防止所述第三气体进入所 述净化管道或停止所述第三气体的流动的步骤中至少之一进一步包含将第三气体流入所述处理腔室。6、 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,防止所述第三气体进入所 述净化管道或停止所述第三气体的流动的步骤中至少之一进一步包含从所述净化管道去耦一出口 ,其中经过该出口所述第三气体从所述歧管排出。7、 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包含 调整所述歧管中至少一个阀的操作状态,以获得从一个气源经过至少两个出口的流量的比率。8、 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,调整所述歧管中至少一个 阀的操作状态进一步包含-感应从所述歧管排出的气体的度量;以及调整所述歧管中至少一个阀的操作状态,以改变通过至少两个出口的流量 的比率。9、 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包含 感应从所述歧管排出的气体的度量;以及响应所感应到的度量而调整进入所述歧管的至少一种气体的流量。10、 根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:埃兹拉罗伯特古德,理查德查尔斯福韦尔,詹姆斯帕特里克克鲁斯,贾里德阿曼德李,布拉诺杰夫林,小道格拉斯亚瑟布赫伯格,马丁杰弗里萨利纳斯,
申请(专利权)人:应用材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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