低分布剖面倒装功率模块及制造方法技术

本发明专利技术提供一种功率模块，用于封装具有倒装功率ＭＯＳＦＥＴ器件的电子系统。该功率模块包括正面覆盖板和键合到该正面覆盖板上的多层印刷电路板。尤其是，所述印刷电路板的正面包括多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有印刷电路迹线。在凹嵌口内设置键合到该印刷电路迹线的功率ＭＯＳＦＥＴ和其他电路元件。由于电路元件被包围在功率模块内，因此该功率模块具有低分布剖面，增强的机械坚固性和屏蔽ＥＭＩ／ＲＦＩ的特征。另外，一些电路元件可以配备也被键合到正面覆盖板的正面键合层以实现与功率模块内部的双面键合。本发明专利技术也提供了该低分布剖面功率模块的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及电子封装领域。更具体地，本专利技术涉及功率半导体模块 的封装。
技术介绍
根据市场的要求，现今电子产品的总体发展趋势是产品小型化，同时产 品功能大幅增加。没有例外，该发展趋势同样适用于功率电子产品领域。因 此，甚至在功率电子产品领域中，也己经对产品小型化具有日益增加的需求，同时，也对功率电子产品中凸显的散热，电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI)屏 蔽方面有其他的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，用于 封装具有倒装功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的电子 系统，具有低分布剖面，增强的机械坚固性和屏蔽EMI/RFI的特征。为达上述目的，本专利技术提供一种用于封装包括功率MOSFET器件的电子 系统的低分布剖面的功率模块。该功率模块包括导电的正面覆盖板和实体导 电键合到正面覆盖板的背面的多层印刷电路板。该多层印刷电路板具有多个 经键合的印刷电路层以形成多层电互连结构。尤其是，所述印刷电路板的正 面包括多个凹嵌口，每个凹嵌口在其底面上具有许多印刷电路迹线。多个倒 装的功率MOSFET器件和其他电路元件位于该凹嵌口内，这些功率MOSFET 和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低分布剖面功率模块，其特征在于，该低分布剖面功率模块包括：导电的正面覆盖板；多层印刷电路板，该多层印刷电路板进一步包括多个经键合的印刷电路层，每一个印刷电路层在其上都具有电路形成装置，该多层印刷电路板实体导电键合到所述正面覆盖板；以及所述多层印刷电路板沿其正面进一步包括：ａ）多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有电路形成装置；ｂ）位于多个凹嵌口内的多个电路元件，每个电路元件都具有背面元件键合装置，该背面元件键合装置导电键合到所述电路形成装置；由此，该低分布剖面功率模块以低分布剖面，经增强的机械坚固性和对电磁干扰／射频干扰的屏蔽包围所述多个电路元件。

【技术特征摘要】
US 2007-2-23 11/678,0611.一种低分布剖面功率模块，其特征在于，该低分布剖面功率模块包括导电的正面覆盖板；多层印刷电路板，该多层印刷电路板进一步包括多个经键合的印刷电路层，每一个印刷电路层在其上都具有电路形成装置，该多层印刷电路板实体导电键合到所述正面覆盖板；以及所述多层印刷电路板沿其正面进一步包括a)多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有电路形成装置；b)位于多个凹嵌口内的多个电路元件，每个电路元件都具有背面元件键合装置，该背面元件键合装置导电键合到所述电路形成装置；由此，该低分布剖面功率模块以低分布剖面，经增强的机械坚固性和对电磁干扰/射频干扰的屏蔽包围所述多个电路元件。2. 如权利要求1所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述多个电路元 件中的至少一个元件进一步包括正面元件键合装置，该正面元件键合装置导 电键合到所述正面覆盖板，由此所述至少一个电路元件是垂直型器件。3. 如权利要求2所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述正面覆盖板 具有热传导性，以促进所述多个电路元件中的至少一个电路元件的散热。4. 如权利要求3所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，该低分布剖面功 率模块进一步包括球型栅格阵列，该球型栅格阵列从外部通过金相方式附接 到位于多层印刷电路板背面的相应电路形成装置上，以实现低分布剖面功率 模块与外部系统的进一步的电连接。5. 如权利要求4所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述正面覆盖板 由铜，铝，镀镍/金的金属或层压板，碳制导电材料或离子导电材料制成。6. 如权利要求3所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，该低分布剖面功率模块进一步包括散热装置，该散热装置从外部通过热传导方式，附接到所 述正面覆盖板的正面，以促进所述多个电路元件中的至少一个电路元件的散 犰。、 o7. 如权利要求1所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述多个电路元 件是倒装的元件，以该低分布剖面功率模块的取向作为参照，该元件的有源 电路和元件键合装置位于其背面。8. 如权利要求2所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述多个电路元 件中的至少一个电路元件是倒装的元件，以该低分布剖面功率模块的取向作 为参照，该元件的有源器件区域及其元件键合装置的第一部分位于其背面， 其元件键合装置的第二部分位于其正面。9. 如权利要求7所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述倒装的元件 是集成电路，功率MOSFET，功率双极型器件或者二极管。10. 如权利要求8所述的低分布剖面功率模块，其特征在于，所述倒装的元 件是功率MOSFET器件，以该低分布剖面功率模块的取向作为参照，该功率 MOSFET器件进一步具有位于其背面的有源器件区域，源极触点和栅极触点 以及位于其正面的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙明，龚德梅，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：BM[百慕大]