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低分布剖面倒装功率模块及制造方法技术
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文档序号:3172846
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本发明提供一种功率模块,用于封装具有倒装功率MOSFET器件的电子系统。该功率模块包括正面覆盖板和键合到该正面覆盖板上的多层印刷电路板。尤其是,所述印刷电路板的正面包括多个凹嵌口,每一个凹嵌口在其底面上都具有印刷电路迹线。在凹嵌口内设置键合...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。
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