晶片抛光方法与晶片抛光设备技术

一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，包括以下步骤：确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。通过上述方法，可以在ＣＭＰ之后对晶片表面进行进一步的精加工，通过对蚀刻过程的精确控制，大大提高了晶片表面的平坦化程度，可在ＣＭＰ后实现５－１０倍的改进。且可实现对晶片表面某一特定点实现单独处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种晶片抛光方法，尤指 一 种在化学机械研磨(C MP )之 后利用离子或等离子光束对晶片表面进行更高精度的抛光处理的晶片抛 光方法。本专利技术还涉及一实施该方法晶片抛光i殳备。
技术介绍
当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万 个晶体管，要使这些晶体管能正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的 电压和电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这么多 的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或多层布线， 在制造这些连线的过程中，必然导致晶片表面严重的不平整。目前使用最 为广泛的平坦化技术就是化学机械研磨(CMP) ， CMP技术兼其有研磨 性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶片表面 达到全面性的平坦化，其是通过把晶片放在旋转的研磨垫上，再加一定压 力，用化学研磨液来研磨。但是，随着各种设备上的关键尺寸变得越来越小，对晶片表面平坦度 的要求越来越高，传统的CMP技术已不能满足目前对晶片表面平坦度的 要求，因此在CMP之后的晶片表面抛光技术已变的越来越重要。且传统 的CMP技术只能对晶片的表面进行整体的研磨，难以实现对晶片表面进 行精确的逐点处理，这也使CMP技术难以取得更高的精度。且又由于目 前的晶片表面尺寸变得越来越大，如200MM, 300MM, 450MM,这又为 如何实现逐点研磨带来了新的难度。因此，目前的晶片表面抛光技术尚有需要改进之处，以满足日益提高 的晶片表面平坦化要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题为提供一种新的晶片抛光方法与设备，用 以在CMP之后对晶片表面进行进一步的精加工，从而提高晶片表面平坦化程度。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，包括以下步骤确定 晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子 蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子 或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶 片，对下 一蚀刻点进行蚀刻。通过上述方法，可以在CMP之后对晶片表面进行进一步的精加工， 由需蚀刻的厚度与离子或等离子蚀刻率(即离子或等离子光束在单位时间 内的蚀刻量)来计算出晶片表面每个蚀刻点的蚀刻时间，从而实现了对蚀 刻过程的精确控制，大大提高了晶片表面的平坦化程度，可在CMP后实 现5-10倍的改进。且可实现对晶片表面某一特定点实现单独处理。本专利技术的进一步改进在于可通过以下步骤确定晶片表面各点需蚀刻 的厚度测定晶片表面各点的厚度；计算所述各点厚度与规定达到的厚度 之间的差值，从而确定需蚀刻的厚度。由此非常精确的控制晶片表面各点 的蚀刻厚度，保障了蚀刻的准确性。本专利技术的进一步改进在于所述离子或等离子蚀刻率通过离子或等离 子类型，需蚀刻的材料，离子或等离子光束发生器的功率以及所述离子或 等离子光束在晶片表面聚焦的光斑大小等因素来确定。离子或等离子蚀刻 率，即离子或等离子光束在单位时间内的蚀刻量。通过离子或等离子类型， 需蚀刻的材料，固定的或者经过校正的离子或等离子光束发生器的功率以 及离子或等离子光束在晶片表面聚焦的光斑大小来精确得出该离子或等 离子光束在单位时间内的蚀刻量。其中，可根据所需蚀刻点的厚度情况， 通过在竖直方向移动所述离子或等离子光束发生器来调节所述离子或等 离子光束的光斑大小，所述光斑的较佳调节范围为小于10mm。本专利技术的进一步改进在于所述离子或等离子光束在水平方向上固 定，通过在水平方向上移动所述晶片，对晶片表面各点进行蚀刻。本专利技术的进一步改进在于所述离子或等离子光束为非反应离子或等蚀刻点进行蚀刻；所述离子或等离子光束为也可以反应离子或等离子束 CH3、 CF4、 SF6、 NF3、 N2、 02或8(:13，此时通过化学反应蚀刻的方法对 各蚀刻点进行蚀刻。本专利技术的进一步改进在于通过反射计、偏振光椭圓率测量仪、超声波或x射线来测定所述晶片表面各点的厚度。可通过上述装置非常精确地测定待处理晶片表面各点的厚度。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种晶片抛光设备，其包括离子或等离子光束发生器，用于产生离子或等离子光束对所述晶片进 行蚀刻；移动平台，用于放置所述晶片，并在蚀刻过程中进行移动；控制 器，与所述离子或等离子发生器与移动平台连接，响应需蚀刻的厚度并结 合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间，并控制所述移动平台按 照所述需蚀刻的时间进行移动。通过上述设备，可以由所述控制器非常精确地计算出需晶片表面各点 需蚀刻的时间，并控制所述平台按照所述需蚀刻的时间进行移动，从而实 现了对蚀刻过程的精确控制，大大提高了晶片表面的平坦化程度，且可实 现对晶片表面某一特定点实现单独处理。本专利技术的进一步改进在于所述晶片抛光设备还包括一 晶片厚度测定 器，与所述控制器相连接，用于^j定待处理晶片表面各点的厚度，并反馈 给所述控制器，由所述控制器计算所述各点厚度与规定达到的厚度之间的 差值从而确定需蚀刻的厚度。由此非常精确的控制晶片表面各点的蚀刻厚 度，保障了蚀刻的准确性。附图说明图l为根据本专利技术的晶片抛光方法的^程图； 图2为根据本专利技术的晶片抛光设备的具体施例示意图； 图3为本专利技术的根据测量晶片表面各点的厚度来进行晶片抛光的示 意图；图4A为CMP后带有典型圓顶型表面的晶片侧视图；图4B为CMP后带有典型圓顶型表面的晶片经过本专利技术的抛光方法处理后的侧一见图；图5A为CMP后带有典型斜坡型表面的晶片侧视图；图5B为CMP后带有典型斜坡型表面的晶片经过本专利技术的抛光方法处理后的侧—见图；图6A为需蚀刻厚度内带有金属引线的晶片侧视图；图6 B为需蚀刻厚度内带有金属引线的晶片经过本专利技术的抛光方法处理后的侧视图。具体实施方式请参阅图l至图3，本专利技术提供了一种新的晶片抛光方法以及晶片抛 光设备，其中图1为根据本专利技术的晶片抛光方法的流程图，图2为根据本 专利技术的晶片抛光设备的具体施例示意图。如图2所示，该晶片抛光设备主要包括离子或等离子光束发生器1、移动平台2、控制器4。其中控制器4 与所述离子或等离子发生器与移动平台连接，用于响应需蚀刻的厚度并结 合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间，并控制所述移动平台按 照所述需蚀刻的时间进行移动。根据图l所示，典型地作为举例说明而不 是限制定义，所述晶片抛光方法主要包括以下几个步骤 步骤100:测定晶片表面各点的厚度在CMP处理之后，晶片3的表面仍然具有一定的不均匀性，在通过 离子或等离子光束对该不均匀的平面进行蚀刻处理前，先要对所述CMP 处理后的晶片3表面厚度进行精确地测量。参阅图3所示，可在晶片3 表面均匀分布复数个大小相同的测量站点31 (或称之为计量窗)，所述 计量站点31的大小可以根据实际情况变化，然后以每个测量站点为基本 单位，利用反射计、偏振光椭圆率测量仪、超声波或X射线等装置来测 定晶片3表面各点的厚度。步骤200:计算所述各点厚度与设定厚度之间的差值，确定需蚀刻的厚度将步骤100中测得的晶片3各点厚度传输至一计算机(可以为控制器 4)，并与一设定的规定达到的厚度相减，计算出差值X (当X<0时，计 算机可发出提示信息，要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，其特征在于，包括以下步骤：确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，其特征在于，包括以下步骤确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。2. 如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于，可通 过以下步骤确定晶片表面各点需蚀刻的厚度测定晶片表面各点的厚度；计算所述各点厚度与规定达到的厚度之间的差值，从而确定需蚀刻的 厚度。3. 如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于所述 离子或等离子蚀刻率通过离子或等离子类型，需蚀刻的材料，离子或等离 子光束发生器的功率以及所述离子或等离子光束在晶片表面聚焦的光斑 大小来确定。4. 如权利要求3所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于可通 过在竖直方向移动所述离子或等离子光束发生器来调节所述离子或等离 子光束的光斑大小，所述光斑的调节范围下于10mm。5. 如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于所述 离子或等离子光束在水平方向上固定，通过在水平方向上移动所迷晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛松生，
申请(专利权)人：薛松生，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]