【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括超晶格电介质接口层的半导体器件
图5A是对于现有技术中的体硅，以及对于附图说明图1-3中所 示的4/lSi/0超晶格，从伽马点(G)计算的能带结构的图。图5C是对于现有技术中的体硅，以及对于图4中所示 的5/1/3/1 Si/O超晶格，从伽马和Z点计算的能带结构的图。申请人对于电导率倒易有效质量张量的定义是这样的， 即材料的电导率的张量分量对于电导率倒易有效质量张量的相应分 量的较大值较大。再次，申请人建立理论而不希望局限于这里描 述的超晶格设置电导率倒易有效质量张量的值以便增强材料的导电 性质，例如典型地对于电荷载流子输运的优选方向。适当张量元素 的倒数称作电导率有效质量。换句话说，为了表征半导体材料结 构，使用如上所述并且在预期载流子输运方向上计算的电子/空穴的 电导率有效质量区分改进的材料。更特别地，使用原子层沉积跨越衬底21的表面沉积超 晶格25材料并且形成外延硅盖层52，如先前在上面讨论的，并且平 面化表面。应当理解，在一些实施方案中，超晶格25材料可以选择 性地沉积在期望的区域中，而不是跨越整个衬底21，如将由本领域 技术人员理解的。而且，平面化可能并不是在所有实施方案中都需 要。在图6B中，形成轻掺杂源极和漏极(LDD)扩展 22， 23。这些区域4吏用n型或p型LDD注入、退火和清洁形成。退 火步骤可以在LDD注入之后使用，但是依赖于具体工艺，它可以省 略。清洁步骤是在沉积氧化物层之前去除金属和有机物的化学刻 蚀。0069图6C显示侧壁隔离物40， 41的形成并且源极和漏极 26， 27注入。为此目的，可以沉积并内刻蚀Si02掩模。...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及至少一个有源器件，与所述半导体衬底相邻，并且包括：电极层，位于所述电极层下面并且与其接触的高Ｋ电介质层，以及位于所述高Ｋ电介质层下面与所述电极层相对并且与所述高Ｋ电介质层接触的超晶格，所述超晶格包括多个层叠的层组，所述超晶格的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-5-25 11/136,8811.一种半导体器件，包括半导体衬底；以及至少一个有源器件，与所述半导体衬底相邻，并且包括电极层，位于所述电极层下面并且与其接触的高K电介质层，以及位于所述高K电介质层下面与所述电极层相对并且与所述高K电介质层接触的超晶格，所述超晶格包括多个层叠的层组，所述超晶格的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。2. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述高K电介质层具 有大于大约五的介电常数。3. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述高K电介质层具 有大于大约十的介电常数。4. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述高K电介质层具 有大于大约二十的介电常数。5. 根据权利要求1的半导体器件，其中限制在相邻基础半导体 部分的晶格内的所述至少一个非半导体单层少于大约五个单层，从 而用作能带修改层。6. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个有源器件 还包括位于所述超晶格下面的通道区。7. 根据权利要求6的半导体器件，其中所述至少一个有源器件 还包括与所述通道区相邻的源极和漏极区。8. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述高K电介质层包 括氧化硅、氧化锆和氧化铪的至少一种。9. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述基础半导体包括硅。10. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括氧。11. 根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个非半导 体单层包括选自基本上由氧、氮、氟以及碳-...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特J梅尔斯，迈尔柯伊萨，斯考特A克瑞普斯，罗伯特约翰史蒂芬森，简奥斯丁查索福克伊普皮汤，伊利佳杜库夫斯基，卡里帕纳姆维维克绕，塞姆德哈里洛夫，黄向阳，
申请(专利权)人：梅尔斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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