【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用粘接剂将电子部件安装(例如，倒装芯片安装)到 衬底上，而且抑制在该粘接剂内部产生气泡的高性能且高可靠性的半导体器 件及其低成本且高效率的制造方法。
技术介绍
现有的作为将电子部件安装到衬底的方法从制造工序简单且能够在短时 间内低成本地进行安装的方面来看，采用倒装芯片安装方法。公知地，作为 该倒装芯片安装方法，例如，预先向衬底上供给粘接剂，使电极焊盘上形成 了由金等构成的凸块的电子部件(例如半导体芯片)与所述衬底相对置的同 时，对半导体芯片施加载荷，进一步地使粘接剂固化，由此将半导体芯片连接(安装)到衬底的方法(参照专利文献1及2)。而且，作为所述粘接剂， 从可在短时间内进行固化的方面来看，适合例如环氧树脂等具有热固化性的 绝缘树脂。在所述倒装芯片安装中，以规定的温度对半导体芯片进行加热的同时进 行加压，从而将所加热的半导体芯片按压到粘接剂上。于是，粘接剂被急速 地加热从而粘度下降，流动性提高，能够向半导体芯片的整个面受压展开。 而且，此时，同时进行热固化从而被固化。然后，通过被固化的粘接剂的粘 接力及固化收縮，以与形成在衬底一侧的键合端子相...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括：供给工序，向衬底上的至少一部分供给用于粘接电子部件和该衬底的粘接剂，其中，在所述衬底上的至少一部分位于具有多个凸块的电子部件和具有与该凸块对应的多个焊盘的该衬底之间；流延工序， 通过流延装置对所述粘接剂实施流延工艺，以使在将供给到所述衬底上的所述粘接剂和所述衬底之间的接触总面积设定为Ｓ↓［０］，并将实施了流延工艺之后的所述粘接剂和所述衬底之间的接触总面积设定为Ｓ↓［１］时，满足Ｓ↓［１］／Ｓ↓［０］＞１的关系式； 固化工序，在使所述凸块抵接到所述焊盘的状态下，使所述粘接剂与所述电子部件和所述衬底...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括供给工序，向衬底上的至少一部分供给用于粘接电子部件和该衬底的粘接剂，其中，在所述衬底上的至少一部分位于具有多个凸块的电子部件和具有与该凸块对应的多个焊盘的该衬底之间；流延工序，通过流延装置对所述粘接剂实施流延工艺，以使在将供给到所述衬底上的所述粘接剂和所述衬底之间的接触总面积设定为S0，并将实施了流延工艺之后的所述粘接剂和所述衬底之间的接触总面积设定为S1时，满足S1/S0＞1的关系式；固化工序，在使所述凸块抵接到所述焊盘的状态下，使所述粘接剂与所述电子部件和所述衬底接触，同时固化该粘接剂。2. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，流延 装置喷出压縮气体。3. 根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 通过连续喷出及脉冲喷出中任一种方式喷出压縮气体， 流延装置改变压縮气体的喷出压力。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特 征在于，为不使粘接剂从衬底上的电子部件的安装区域向外扩展，由流延停 止装置停止所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：西村隆雄，中村公一，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。