在基材上形成穿导孔的方法技术

本发明专利技术是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：（ａ）提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；（ｂ）形成一光阻层于该基材的第一表面上；（ｃ）于该光阻层上形成一图案；（ｄ）根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；（ｅ）形成一聚合物（Ｐｏｌｙｍｅｒ）于该基材的沟槽；（ｆ）移除该基材的柱体，以形成一容置空间；（ｇ）形成一导电金属于该容置空间内；及（ｈ）去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。藉此，可以在该沟槽内形成较厚的聚合物，而且该聚合物在该沟槽内并不会有厚度不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，详言之，是关于一种 利用聚合物在基材上穿导孔的侧壁形成绝缘层的方法。
技术介绍
参考图1至图3，显示传统的示意图。首先， 参考图1，提供一基材1，该基材1具有一第一表面11及一第二表面12。接 着，于该基材1的第一表面11上形成数个沟槽13。接着，利用化学气相沉 积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)形成一绝缘层14于所述沟槽13的 侧壁，且形成数个容置空间15。该绝缘层14的材质通常为二氧化硅。接着，参考图2，填入一导电金属16于所述容置空间15内。该导电金 属的材质通常为铜。最后，研磨或蚀刻该基材1的第一表面11及第二表面 12，以显露该导电金属16,如图3所示。在该传统的方法中，由于该绝缘层14是利用化学气相沉积法所形成， 因此该绝缘层14在所述沟槽13的侧壁的厚度会有先天上的限制，通常小于 0.5|jm。此外，该绝缘层14在所述沟槽13的侧壁的厚度会有不均匀的问题， 亦即，位于所述沟槽13上方侧壁上的绝缘层14的厚度与位于所述沟槽13下 方侧壁上的绝缘层14的厚度并不会完全一致。因而造成电容不一致的情况。因此，有必要提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基材上形成穿导孔的方法，包括：（ａ）提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；（ｂ）形成一光阻层于该基材的第一表面上；（ｃ）于该光阻层上形成一图案；（ｄ）根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；（ｅ）形成一聚合物（Ｐｏｌｙｍｅｒ）于该基材的沟槽；（ｆ）移除该基材的柱体，以形成一容置空间；（ｇ）形成一导电金属于该容置空间内；及（ｈ）去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。

【技术特征摘要】
1. 一种在基材上形成穿导孔的方法，包括(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一光阻层于该基材的第一表面上；(c)于该光阻层上形成一图案；(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；(e)形成一聚合物(Polymer)于该基材的沟槽；(f)移除该基材的柱体，以形成一容置空间；(g)形成一导电金属于该容置空间内；及(h)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。2. 如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材为晶片。3. 如权利要求1的方法，其中该步骤(c)中，该图案为环状开口。4. 如权利要求1的方法，其中该步骤(d)中，该沟槽并未贯穿该基材。5. 如权利要求1的方法，其中该步骤(d)的后更包括一移...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盟仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]