本发明专利技术提供一种光器件，该光器件能够在斜方向上设置光半导体芯片，这种情况下，不会产生回弹等，能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，该光器件能够小型化。该光器件（１）具有：金属膜（２），其具有第１面（２ａ）和与第１面（２ａ）形成钝角θ（９０°＜θ＜１８０°）并与第１面（２ａ）电连接（例如与第１面（２ａ）一体形成）的第２面（２ｂ）；光半导体芯片（３），其安装在所述金属膜（２）的第２面（２ｂ）上；以及具有透光性的密封材料（４），所述金属膜（２）形成在该密封材料（４）的表面上，并且该密封材料（４）对所述光半导体芯片（３）进行密封。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光器件。
技术介绍
以往，在专利文献1中示出了在斜方向上设置有LED的发光装置(下文中称为斜方向LED)。图1是专利文献1中示出的发光装置的构成图，图1的发光装置为PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier带引线的塑料芯片载体)型的结构。对于该结构，在利用嵌入模压而形成于引线框中的封装的凹部中，通过芯片键合(die bonding)来固定LED芯片，通过利用Au线的引线键合来进行电连接。并且，通过在该凹部中注入密封树脂来进行LED芯片和Au线的保护，同时将引线框和封装模压树脂粘接起来。 专利文献1日本特开2006-93359号公报 对于图1所示的PLCC型的装置，为了在图2所示的引线框中进行嵌入模压，并将LED芯片在平坦化后的引线框中进行芯片键合，需要对引线框进行切割并进行成形(forming)的工序。 并且，需要在嵌入模压后的封装的凹部中注入密封树脂，有时会在封装的模压树脂和密封树脂之间产生剥离。 另外，从整版(面付け)进行个体化时，在切割时会产生毛刺，从而在安装时有时会产生浮起，进而，在引线框的成形时(将引线框在多处弯折而成为三角形时)有时会发生回弹，因此有可能在LED的安装位置上发生异常。 在该图1的形状中，要根据模压成型的需要而进行小型化，就必须缩小该树脂的厚度，但在焊锡反流工序中，要向外壳施加260度以上的温度。能够在这样的高温下以薄型承受的树脂为LCP或PEEK等特殊的树脂，需要成形温度、压力等与一般的树脂成形不同的条件。对于PPA或尼龙9T等尤其在可见光范围中反射率高的树脂，由于会超过热变形温度从而使用困难。也存在将填料混合在树脂中来提高耐热温度的方法，但这种情况下，会降低树脂的反射率，与通常的树脂相比，作为成形条件的温度、注射速度、注射压力等的调整困难，由于流动性降低，在需要小型且形成薄壁的斜方向LED中使用时会存在问题。 进而，若形状小型化且LED的输出提高、LED短波长化，则构成外壳的树脂所受到的辐射度、光子能量上升得超过此前的程度，会由于光劣化而导致反射率的降低。这作为时效变化会导致输出的降低程度大于长波长的发光二极管，从而助长了使用同一封装制作出的不同波长的输出不均。 并且，作为密封树脂，使用对短波长具有耐性的硅树脂或改性硅-环氧树脂，但尽管其具有耐性，也会由于外壳的劣化而产生剥离，形成用于吸湿的路径，通过该路径，导致在引线框上实施的镀银的氧化和硫化。该氧化、硫化导致反射率降低，并导致光量的降低。这进一步引起与灯罩和引线框的密合力的减小，产生耐湿性、耐反流性的问题。 如上所述，在图1的PLCC型的斜方向LED中，无法解决引线框的切割、成形的回弹等问题和模压树脂的小型化极限的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光器件，该光器件能够在斜方向上设置光半导体芯片(发光元件和/或受光元件)，在这种情况下，不会产生回弹等而能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，该光器件能够小型化。 为了实现上述目的，本专利技术第1方面所述的光器件的特征在于，该光器件具有金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密封材料的表面，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封。 并且，本专利技术第2方面所述的光器件在第1方面所述的光器件的基础上，其特征在于，所述金属膜在所述第1面和所述第2面的两侧具有与第1面和第2面电连接的侧部。 并且，本专利技术第3方面所述的光器件在第2方面所述的光器件的基础上，其特征在于，在所述侧部开有切口。 并且，本专利技术第4方面所述的光器件在第1～3方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述密封材料具有用于对所述光半导体芯片起透镜作用的透镜形状。 并且，本专利技术第5方面所述的光器件在第1～4方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述光半导体芯片为发光元件，所述光器件起投光器的作用。 并且，本专利技术第6方面所述的光器件在第5方面所述的光器件的基础上，其特征在于，在所述密封材料中混合有预定的荧光体。 并且，本专利技术第7方面所述的光器件在第1～4方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述光半导体芯片为受光元件，所述光器件起受光器的作用。 根据本专利技术第1～7方面所述的光器件，由于该光器件具有金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密封材料的表面，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封，所以不会产生回弹等，能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，能够使光器件整体小型化。 特别地，在本专利技术第3方面所述的光器件中，在第2方面所述的光器件的基础上，在所述侧部开有切口，因而在侧部实施填锡时，能够使焊锡中产生的内包性气泡从开有上述切口的侧部逸出，由此不仅能够抑制锡球的出现，还能增加与树脂的粘合面积，增加粘接力。 并且，在本专利技术第4方面所述的光器件中，在第1～3方面中的任一方面所述的光器件的基础上，所述密封材料具有用于对所述光半导体芯片起透镜作用的透镜形状，因而无需另外设置透镜部件。 并且，在本专利技术第6方面所述的光器件中，在第5方面所述的光器件的基础上，在所述密封材料中混合有预定的荧光体，因而荧光体被源自发光元件的光激发，源自发光元件的光和源自荧光体的激发光混合，从而能够射出例如白色光等期望颜色的光。 附图说明 图1是现有的发光装置的构成图。 图2是用于说明图1的发光装置的制作工序的图。 图3是示出本专利技术的光器件的构成例的图。 图4是示出将图3的光器件安装在安装基板上的状态的图。 图5是示出在图3的光器件中在侧部开有切口的情况的图。 图6是示出在图3的光器件中使密封材料具有透镜形状的情况的图。 图7是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图8是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图9是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图10是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图11是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图12是用于说明本专利技术的光器件的制作工序的图。 图13是示出LED芯片的构成例的图。 图14是用于说明本专利技术的光器件(受光器)的制作工序的图。 图15是示出PD芯片的构成例的图。 符号说明 1光器件；2金属膜；2a第1面；2b第2面；2c侧部；3光半导体芯片；4密封材料；5切口；6透镜形状；10安装基板；31第1凸点；32第2凸点；35pn接合部；36、37两端部；50Si基体；52金属模垫块；53空间。 具体实施例方式 下面，根据附图对用于实施本专利技术的最佳方式进行说明。 图3(a)、(b)是示出本专利技术的光器件1的构成例的图。另外，图3(a)为正面图，图3(b)为侧面图。参照图3(a)、(b)，该光器件1具有金属膜2，其具有第1面2a和与第1面2a形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面2a电连接(例如与第1面2a一体形成)的第2面2b；光半导体芯片3，其安装在所述金属膜2的第2面2b上；以及具有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光器件，其特征在于，该光器件具有：金属膜，其具有第１面和与第１面形成钝角θ（９０°＜θ＜１８０°）并与第１面电连接的第２面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第２面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密 封材料的表面上，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封。
【技术特征摘要】
JP 2007-4-19 JP2007-1102531.一种光器件，其特征在于，该光器件具有金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密封材料的表面上，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封。2.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述金属膜在所述第1面和所述第2面的两侧具有与第1面和第2面电连...
【专利技术属性】
技术研发人员：东海林巌，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。