【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置用的散热基板用材料，特别地，涉及作为搭载以大功率工作的LSI、 IC、功率晶体管的半导体装置用散热基板的材料 而使用的复合材料、其制造方法、其成型方法、以及使用该复合材料的 散热基板。
技术介绍
对于搭载半导体设备、特别是以大功率工作的LSI、 IC、功率晶体 管等的半导体装置用散热基板，要求能够使从这些半导体设备产生的热 有效地扩散、散热。因此，要求这些散热基板具有高的机械强度和高的热传导率。另一方面，在这些散热基板上，钎焊并使用以下材料构成半导体芯片的硅、构成半导体封装的氧化铝等陶瓷材料、科瓦铁镍钴合金材料等任一热膨胀系数小至6xlO—s/K以下的材料。由于该钎焊的温度 为85(TC左右，所以在没有翘曲的状态下通过钎焊接合这些材料之后进行 冷却时，与这些钎焊后的材料相比，散热基板大幅收縮。因此，常温下 在该散热基板上产生热应变或者翘曲。为了降低这些热应变和翘曲，要 求该散热基板的热膨胀系数接近上述被钎焊的材料的热膨胀系数，艮口， 要求其热膨胀系数小。考虑这样的要求，作为散热基板的材料，使用Cu(铜)、Mo (钼)、 W (钩)等单一材...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合材料，该复合材料是由第一材料形成的层和由第二材料形成的层交替层叠而成的，其特征在于，所述第二材料的热膨胀系数比所述第一材料的热膨胀系数小；所述第二材料的热传导率比所述第一材料的热传导率低；由所述第一材料形成的层和由所述第二材料形成的层合计层叠有五层以上。2. 根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于， 所述复合材料中由所述第二材料形成的层所占的体积比为10%以下。3. 根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于， 所述第一材料为铜、银、包含铜的合金、包含银的合金中的任一个。4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的复合材料，其特征在于， 所述第二材料为钼、钨中的一个。5. 根据权利要求1至4中的任一项所述的复合材料，其特征在于， 所述复合材料在室温下的热传导率为200『/(w./Q以上。6. 根据权利要求1至5中的任一项所述的复合材料，其特征在于， 所述复合材料的热膨胀系数为14X1(T6/...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。