电可编程熔丝制造技术

一种电可编程熔丝，包括：　　　　衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；　　　　在所述半导体层中形成的二极管（４００），所述二极管包括具有第一极性的第一重掺杂区、具有第二、相反极性的第二重掺杂区和所述第一和第二重掺杂区之间的轻掺杂区；所述电可编程熔丝还包括：　　　　形成于所述二极管上的硅化物层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及半导体器件制造，更具体地涉及电可编程熔丝(eFuse) 及其制造方法。
技术介绍
传统的eFuse可以包括多晶硅层上的起电阻的作用的硅化物。为了编程 传统eFuse,可以在从传统eFuse的阴极至阳极的第一方向上驱动电流(例 如通过一或多个晶体管)。通过eFuse的第一方向的驱动电流在硅化物层中 形成间隙，由此暴露部分多晶硅层。被编程的eFuse的状态可以通过试图在 从阳极至阴极的第二方向上驱动电流而被感知。通过其驱动电流的路径的电 阻取决于编程期间在硅化物层中形成的间隙的长度。由于晶体管的工作参数 和/或用于编程这样的传统eFuse的电平的控制的变化，在这样的eFuse中形 成的对应的硅化物层的间隙的长度可以变化。因此，这样的传统eFuse的电 阻变化。因此，希望改善的或间隙不改变的eFuse及其制造方法。
技术实现思路
在本专利技术的第一方面中，提供了第一设备。第一设备是电可编程熔丝， 其包括衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；在半导体层中形成的二极管， 二极管包括具有第一极性的第一重掺杂区、具有第二、相反极性的第二重掺 杂区和第一和第二重掺杂区之间的轻掺杂区；电可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电可编程熔丝，包括衬底的绝缘氧化物层上方的半导体层；在所述半导体层中形成的二极管(400)，所述二极管包括具有第一极性的第一重掺杂区、具有第二、相反极性的第二重掺杂区和所述第一和第二重掺杂区之间的轻掺杂区；所述电可编程熔丝还包括形成于所述二极管上的硅化物层。2. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述第二重掺杂区的边的位 置取决于所述第 一重掺杂区的边的位置。3. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中. 所述二极管的第 一部形成阴极； 所述二极管的第二部形成阳极；并且当施加至所述阴极的电压比施加至所述阳极的电压更负时，所述二极管 适于在所述硅化物层中形成间隙，由此暴露所述第一重掺杂区耦和至所述轻 掺杂区之处的二极管的部分并且由此编程所述电可编程熔丝。4. 根据权利要求3的电可编程熔丝，其中当反向偏置时所述二极管还 适于提供预定的电阻。5. 根据权利要求4的电可编程熔丝，其中当反向偏置时所述二极管还 适于限制通过所述电可编程熔丝的电流至预定值。6. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述二极管包括 N +掺杂区；耦合至所述N +掺杂区的P-掺杂区；和 ' 耦合至所述P-掺杂区的P +掺杂区。7. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述二极管包括 P + 4参杂区；耦合至所述P +掺杂区的N-掺杂区；和 耦合至所述N-掺杂区的N +掺杂区。8. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述半导体层包括多晶硅。9. 根据权利要求1的电可编程熔丝，其中所述半导体层包括硅。10. —种电可编程熔丝的制造方法，包括提供包括绝缘氧化物层和所述绝缘氧化物层上方的半导体层的衬底； 在所述半导体层中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：许履尘，杰克·曼德尔曼，威廉·汤蒂，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：