有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及器件的发光效率得到改善，驱动稳定性得到充分确保的利用了磷光发光的有机电致发光器件（有机ＥＬ器件）。该有机ＥＬ器件通过在基板１上层叠阳极２、包含空穴传输层４、发光层５和电子传输层６的有机层以及阴极７而形成，在发光层与阳极之间具有空穴传输层，在发光层与阴极之间具有电子传输层，发光层含有下述通式（Ⅰ）所示的有机Ａｌ络合物作为主体材料，含有下述通式（Ⅱ）所示的有机Ｉｒ络合物作为客体材料。应予说明，式中，Ｌ表示ＡｒＯ－、ＡｒＣＯＯ－、Ａｒ↓［３］ＳｉＯ－、Ａｒ↓［３］ＧｅＯ－或Ａｒ↓［２］ＡｌＯ－。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机电致发光器件，该有机电致发光器件通过在基板上层叠阳极、包含空穴传输层、发光层和电子传输层的有机层以及阴极而形成，在发光层与阳极之间具有空穴传输层，在发光层与阴极之间具有电子传输层，其特征在于在发光层中，含有下述通式(I)所示的有机金属络合物作为主体材料，并且含有通式(II)所示的有机金属络合物作为客体材料。 式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。L表示下述通式(1)、(2)、(3)或(4)所示的1价基团 -O-Ar1(1) Ar1～Ar5各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，Z表示硅或锗，R1～R6具有与通式(I)相同的含义。 式中，R7～R14各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。 本专利技术的有机EL器件涉及发光层中含有上述通式(I)所示的有机金属络合物(也称为Al络合物)化合物和上述通式(II)所示的有机金属络合物(也称为Ir络合物)的所谓利用了磷光的有机EL器件。使用通式(I)所示的Al络合物作为主体材料，而且使用通式(II)所示的Ir络合物作为磷光性客体材料。 其中，所谓主体材料，是指形成该层的材料中占50重量％以上的成分，所谓客体材料，是指形成该层的材料中占不足50重量％的成分。本专利技术的有机EL器件中，发光层中含有的Al络合物具有比该层中含有的磷光性Ir络合物的激发三重态能级更高的能量状态的激发三重态能级在基本上是必要的。 此外，希望是能够提供稳定的薄膜形状，具有高Tg，高效传输空穴和/或电子的化合物。此外，还要求是电化学且化学上稳定，在制造时或使用时难以产生形成阱或消除发光的杂质的化合物。为了使磷光性有机络合物的发光不易受到空穴传输层的激发三重态能级的影响，因此具有确保发光区域与空穴传输层界面有适度距离的空穴注入能力也是重要的。 作为满足这些条件的发光层形成材料，本专利技术中使用上述通式(I)所示的Al络合物作为主体材料。通式(I)中，R1～R6各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。作为烷基，优选例示碳原子数为1～6的烷基(以下称为低级烷基)，作为芳烷基，优选例示苄基、苯乙基，作为链烯基，优选例示碳原子数为1～6的低级链烯基，作为烷氧基的烷基部，优选例示低级烷基。 此外，作为芳香族烃基，优选例示苯基、萘基、苊基、蒽基等芳香族烃基，作为芳香族杂环基，优选例示吡啶基、喹啉基、噻吩基、咔唑基、吲哚基、呋喃基等芳香族杂环基。当它们为具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基时，作为取代基，可以列举低级烷基，低级烷氧基，苯氧基、苄氧基、苯基、萘基等。 通式(I)所示的化合物，更优选选择R1～R6为氢原子、低级烷基或低级烷氧基的化合物。 通式(I)中，L表示上述通式(1)、(2)、(3)或(4)所示的基团，Ar1～Ar5各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，Z表示硅或锗。作为优选的Ar1～Ar2，可以列举苯基、萘基或它们被烷基或芳基取代的芳香族烃基。作为该烷基，优选甲基等低级烷基，作为芳基，优选苯基、萘基或它们被低级烷基取代的基团。作为优选的Ar3～Ar5，可以列举苯基或低级烷基取代的苯基。上述通式(4)的R1～R6具有与上述通式(I)中说明的R1～R6相同的含义。 通式(I)所示的Al络合物通过例如对应的金属盐和式(III)所示的化合物和式(1’)、(2’)或(3’)所示的化合物以2比1的摩尔比进行络合物形成反应而合成。应予说明，式(III)中，R1～R6与通式(I)的R1～R6对应，在式(1’)～(3’)中，Ar1～Ar5和Z对应于通式(I)中的L的Ar1～Ar5和Z。 HO-Ar1 (1′) L为通式(4)所示基团的通式(I)所示的Al络合物，通过对应的金属盐和式(III)所示的化合物之间的络合物形成反应合成。合成反应例如按由Y.Kushi等所示的方法(J.Amer.Chem.Soc.，第92卷，第91页，1970年)进行。 以下例示通式(I)所示的Al络合物，但并不限于下述的化合物。再有，将化合物1简称为BmqAl，将化合物11简称为BAlq。 (化合物1) (化合物2) (化合物3) (化合物4) (化合物5) (化合物11) (化合物12) (化合物13) (化合物14) (化合物15) (化合物16) (化合物17) (化合物18) (化合物19) (化合物20) (化合物21) (化合物22) 作为发光层中的客体材料，使用上述通式(II)所示的Ir络合物。 通式(II)中，R7～R14各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。此外，邻接的R7和R8、R8和R9、R9和R10、R11和R12、R12和R13、R13和R14可形成环，这些环可以是芳香环。 作为烷基，优选例示碳原子数为1～6的烷基(以下称为低级烷基)，作为芳烷基，优选例示苄基、苯乙基，作为链烯基，优选例示碳原子数为1～6的低级链烯基，作为烷氧基的烷基部，优选例示低级烷基。 此外，作为芳香族烃基，优选例示苯基、萘基、苊基、蒽基等，作为芳香族杂环基，优选例示吡啶基、喹啉基、噻吩基、咔唑基、吲哚基、呋喃基等。当它们为具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基时，作为取代基，可以列举低级烷基，低级烷氧基，苯氧基、苄氧基、苯基、萘基等。 作为更优选的Ir络合物，可以列举Irbt3等。以下示出通式(II)所示的有机金属络合物的具体例，但并不限于下述的化合物。应予说明，将化合物31简称为Irbt3。 (化合物31) (化合物32) (化合物33) (化合物34) (化合物35) (化合物36) (化合物37) (化合物38) 本专利技术中用于发光层的主体材料能够使电子和空穴大致均等地流过，因此能够在发光层的中央使其发光。因此，不会象TAZ那样在空穴传输侧发光而产生能量向空穴传输层的迁移，导致效率降低，也不会象CPB那样在电子传输层侧发光，使能量向电子传输层迁移从而使效率降低，能够使用作为空穴传输层的α-NPD和作为电子传输层的Alq3这样的可靠性高的材料。 附图说明 图1为表示有机电致发光器件的一例的截面示意图。 附图标记的说明 1基板，2阳极，3空穴注入层，4空穴传输层，5发光层，6电子传输层，7阴极 具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机电致发光器件，该有机电致发光器件通过在基板上层叠阳极、包含空穴传输层、发光层和电子传输层的有机层以及阴极而形成，在发光层与阳极之间具有空穴传输层，在发光层与阴极之间具有电子传输层，其特征在于：在发光层中，含有下述通式（Ⅰ）所示的有机金属络合物作为主体材料，并且含有通式（Ⅱ）所示的有机金属络合物作为客体材料，＊＊＊（Ⅰ）式中，Ｒ↓［１］～Ｒ↓［６］各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族 杂环基，Ｌ表示下述通式（１）、（２）、（３）或（４）所示的１价基团，－Ｏ－Ａｒ↓［１］（１）－Ｏ－＊－Ａｒ↓［２］（２）－Ｏ－＊－Ａｒ↓［４］（３）＊＊＊（４）Ａｒ↓［１］～Ａｒ↓［５ ］各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，Ｚ表示硅或锗，Ｒ↓［１］～Ｒ↓［６］具有与通式（Ⅰ）相同的含义，＊＊＊（Ⅱ）式中，Ｒ↓［７］～Ｒ↓［１４］各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯 基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-10-31 316223/2005;JP 2005-10-31 316224/2001.有机电致发光器件，该有机电致发光器件通过在基板上层叠阳极、包含空穴传输层、发光层和电子传输层的有机层以及阴极而形成，在发光层与阳极之间具有空穴传输层，在发光层与阴极之间具有电子传输层，其特征在于在发光层中，含有下述通式(I)所示的有机金属络合物作为主体材料，并且含有通式(II)所示的有机金属络合物作为客体材料，式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎浩，平安山夏美，
申请(专利权)人：新日铁化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]