【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于湿法化学处理微电子、精密机械和光学4吏用的平 面薄的且易断裂衬底的方法和装置，其中在制造微电子元件、太阳能电池 等时，使用连续过程(在线)中的湿法化学处理如清洗、蚀刻、剥离、涂 层和干燥。
技术介绍
制造微电子元件时的湿法处理技术目前主要在处理槽内进行，其中将安放在料箱内的衬底浸入处理槽内。1至50个衬底的处理过程间断地 进行。例如在太阳能电池生产中，连续(在线)湿法处理设备的使用日 益增加，其中村底在辊子或者传送带上连续送入处理槽内，或在喷淋单元中利用介质例如像处理化学试剂或者水喷淋，然后利用热风或者氮， 需要时增加异丙醇进行干燥。目前可供使用的湿法化学处理过程局限于主要为半导体工业的标准衬底开发和优化的浸渍过程和喷淋过程上。在 现代化的微电子技术和薄膜技术方面，未来将使用例如衬底厚度小于 100 nm的越来越薄的衬底。这种几乎薄膜式、非常易于断裂的衬底不 能在料箱和浸渍槽内进行处理，因为一方面不能满足对运输稳定性的要 求，另一方面也不能满足生产率标准。也达不到如单面处理的处理要求。 虽然用于在连续过程中同时处理大量这种衬底的现有在线处理...
【技术保护点】
一种用于在连续过程中对薄平面的且易断裂的衬底进行湿法化学处理、特别是清洗、蚀刻、剥离、涂层、脱水的方法，其特征在于，衬底运输以及处理过程通过吸收处理介质的辊子进行。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-11-26 102005057109.31. 一种用于在连续过程中对薄平面的且易断裂的衬底进行湿法化 学处理、特别是清洗、蚀刻、剥离、涂层、脱水的方法，其特征在于， 村底运输以及处理过程通过吸收处理介质的辊子进行。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，吸收在辊子中的处理 介质在衬底运输时转移到衬底表面上。3. 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当辊子在村底表面 上滚动时向辊子输送处理介质。4. 如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，湿法化学 处理仅在衬底的一面上或者两面上进行。5. 如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，湿法化学 处理包括干燥步骤。6. 如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，湿法化学 处理在可任意组合的多个处理步骤中进行。7. —种用于在连续过程中对薄平面的且易断裂的衬底进行湿法化 学处理、特别是清洗、蚀刻、剥离、涂层、脱水的装置，其特征在于， 设有吸收处理介质的辊子，借助于所述辊子进行衬底运输以及处理过 程。8. 如权利要求7所述的装置，其特征在于，辊子构成为使得吸收 在辊子中的处理介质在衬底运输时转移到衬底表面上。9. 如权利要求7或8所述的装置，其特征在于，处理介质的输送在 辊子在村底表面上滚动时进行。10. 如权利要求7至9中任一项所述的装置，其特征在于，湿法化 学处理仅在衬底的一面上或者两面上进行。11. 如权利要求7至10中任一项所述的装置，其特征在于，辊子具 有微孔的设计，从而介质输送通过处理介质导入微孔的辊子内进行。12. 如权利要求7至11中任一项所述的装置，其特征在于，设有介 质处理槽，从而辊子的介质吸收通过辊子浸入介质处理槽内进行。13. 如权利要求7至12中任一项所述的装置，其特征在于，设有喷 淋装置，从而介质向辊子的输送通过向辊子上喷淋和/或通过在辊子之 间配给处理介质进行。14. 如权利要求7至13中任一项所述的装置，其特征在于，为了建 立处理线设有任意数量的辊子。15. 如权利要求7至15中任一项所述的装置，其特征在于，辊子的 间距和/或长度能够根据衬底尺寸自由选择。16.如权利要求7至15中任一项所述的装置，其特征在于，上下重 叠设置的辊子的位置是任意的.17. 如权利要求7至16中任一项所述的装置，其特征在于，上部与 下部辊子的间距是可调整的。18. 如权利要求7至17中任一项所述的装置，其特征在于，辊子在 衬底上的压紧力是不同的和...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍斯特孔策康塞维茨，
申请(专利权)人：ACP先进清洁生产有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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