一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：（1）用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层；（2）用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属，或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜；（3）用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片；（4）用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属，即可制得黑硅。采用本发明专利技术制备的黑硅，成本低廉、工艺稳定，黑硅结构可控且可获得极低的反射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于黑硅制备

技术介绍
通过适当的刻蚀或腐蚀的方法制备纳米尺度的各种圆锥、圆柱的森林结构或密集分布的孔洞结构，具有良好的陷光作用，能够显著降低硅片表面的反射率。具有这种结构的硅片被称为“黑硅”，被认为是可以有效提高太能能电池转化效率的结构。目前有许多实验室能够通过不同的方法制备出黑硅，如飞秒激光脉冲法、等离子体刻蚀法及金属催化辅助刻蚀法等。飞秒激光脉冲法是将多晶硅硅片置于六氟化硫或硫化氢等气氛中，使用400-1 OOOnm波长的飞秒激光扫描刻蚀娃片，得到纳米黑娃，改变激光通量和单位面积接收的脉冲数可以控制黑硅微结构的高度、纵横比以及间距。等离子体刻蚀法是将硅片浸没在等离子体中，在脉冲偏压下反应离子被注入进入硅片晶格内，与硅片发生反应，生成孔状或针状组织，通过调节工艺参数，可以实现黑硅材料的可控制备。金属辅助催化刻蚀法是在硅片表面沉积如金、银、铜、铂等金属，再浸入氢氟酸(HF)和双氧水(H2O2)刻蚀液体系。在金属的诱导催化下，硅片表面形成纳米多孔硅。飞秒激光制备黑硅表面微结构相对规则，但设备昂贵，制备的黑硅面积小，工艺复杂。等离子体处理相比于飞秒激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层；（2）用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属，或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜；（3）用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片；（4）用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属，即可制得黑硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲天，罗旌旺，吴兢，芮春保，汪洋，
申请(专利权)人：江苏辉伦太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32