电光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，不使晶体管特性劣化地抑制因周边区域的光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响。电光装置在基板（１０）上，具备：多个像素电极（９ａ）；晶体管（７１），设置于周边区域，该周边区域位于排列有多个像素电极的像素区域（１０ａ）的周边；以及遮光膜（５１０），配置于比晶体管靠下层侧，在基板上俯视时，与晶体管的至少一部分重合，并且形成有沿晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部（５１０ｓ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及如液晶装置等的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影 机等电子设备的

技术介绍
在这种电光装置中，在由多个像素构成的显示区域按纵横所排列的多 条扫描线及数据线以及对应于它们的各交叉处的多个像素电极，设置于TFT ^i4l上。这种电光装置普遍采用例如利用TFT( Thin Film Transistor, 薄膜晶体管)驱动的有源矩阵驱动方式，对应于各像素设置像素开关用 TFT。对数据线所供给的图像信号，相应于在各像素所形成的像素开关用 TFT的开关工作，被供给像素电极，在显示区域显示图像。除此之外，在 形成有TFT的TFT阵列基tl上，在位于显示区域周边的周边区域，形成 用来控制多个像素的各种周边电路。这种周边电路例如包括TFT等的晶体 管来构成。例如，在专利文献l中，公示出一种通过调整遮光膜和晶体管的栅电 极、漏电极之间的耦合电容来抑制晶体管特性的劣化、不一致的技术。 专利文献1: 特开平10-70277号>^净艮在这种电光装置作为投影机的光阀来使用时，因为透射周边区域的周 边电路后的透射光一部分对于显示区域斜向行进，所以在显示区域的边缘 附近有可能产生来自周边区域的光泄漏。再者，还有可能产生a周边 区域后的折返光在周边电路进行再反射，最后混入从显示区域出射的光的 状况。其结果为，有可能与周边电路处的反射、透射相应的明暗图形(例 如，与构成周边电路的多个晶体管的排列图形相应的明暗图形)在显示图像的边缘附近被反映出。因此，有时在^上的下述晶体管下层侧(或者出射光的出射侧)设 置遮光膜，该晶体管构成周边区域的、在显示区域的边缘附近所设置的周 边电路。据此，可以抑制上述因来自周边区域的光泄漏、周边电路的光反 射导致的对显示图像的不良影响。但是，存在下述技术上的问题所在，即，有可能因为在构成周边电路 的晶体管下层侧所配置的遮光膜，使晶体管的特性劣化。
技术实现思路
本专利技术是例如鉴于上述问题所在而做出的，其目的为提供一种电光装 置及具备这种电光装置的电子设备，其不使例如构成周边电路的晶体管的 特性劣化，可以防止因周边区域的光泄漏、光反射导致的对显示图像的不 良影响，能够显示高品质的图像。本专利技术所涉及的第1电光装置为了解决上述问题，其特征为，在M上具备多个像素电极；晶体管，设置于周边区域，该周边区域位于排列 有该多个像素电极的像素区域的周边；以及遮光膜，配置于比该晶体管靠 下层侧，在上述M上俯视时，与上述晶体管的至少一部分重合，并且形 成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状开口部。根据本专利技术所涉及的第1电光装置，多个像素电极分别例如由ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的透明材料构成，在基板上的像素区 域或像素阵列区域(或者，也称为图像显示区域)，例如对应于多条数 据线与多条扫描线的交叉处例如排列为矩阵状。晶体管设置在位于像素区 域周边的周边区域，例如构成采样电路、数据线驱动电路等周边电路的至 少一部分。晶体管典型的是，沿着像素区域的一边设置多个。在电光装置 的工作时，例如根据图像信号等，控制像素电极的电位，在排列有多个像 素电极的像素区域进行图像显示。电光装置相应于例如从光源入射的入射 光，在像素区域例如透射显示光来使之出射。电光装置例如作为投影型显 示装置中的光阀来安装。在本专利技术中特别是，遮光膜配置于比晶体管靠下层侧，在基板上俯视 时，与晶体管的至少一部分重合。再者，遮光膜具有沿晶体管沟道长度方 向的长条状或缝隙状的开口部。典型的是，遮光膜设置于比晶体管靠下层侧，使之和构成晶体管的半 导体层重合。遮光膜例如通过相对于沿着像素区域的一边所设置的多个晶 体管的各自分别^^殳置1个，来沿着该一边设置多个。开口部在遮光膜例如以小于等于lnm的宽度来形成为沿着晶体管的沟道长度方向(换言之， 为晶体管中载流子流动的方向)延伸。再者，开口部沿着晶体管的沟道宽 度方向(也就是，与沟道长度方向相交的方向)隔开预定间隔形成多个。因而，可以利用遮光膜，抑制或者防止来自周边区域的光泄漏、由晶 体管而产生的折返光的再反射。这里，所谓的折返光指的是，基板的内 面反射、在多片式投影机等中从其他电光装置发出并穿透合成光学系统而 来的光等的从该电光装置的出射显示光的一侧朝向入射入射光的一侧的 光。从而，可以抑制或者防止例如与多个晶体管的排列图形相应的明暗 图形等、与周边区域的光反射、透射相应的明暗图形，在显示图像的边缘 附近被反映出的情况。也就是说，可以抑制或者防止因周边区域的光泄 漏、光反射引起的对显示图像的不良影响。再者，由于遮光膜具有沿晶体管沟道长度方向的长条状开口部，因而 基本或者完全不发生当遮光膜不具有开口部而形成为整面状时、当其形 成为只具有沿晶体管沟道宽度方向的长条状开口部时，可能因该遮光膜而 产生的晶体管的特性劣化。还有，这种晶体管特性的劣化被认为是，例如 因为遮光膜和晶体管之间的电容耦合、起因于遮光膜的相对半导体层的杂 质掺入或者相对半导体层的应力变化等，而产生的。上面的结果为，根据本专利技术所涉及的第1电光装置，基本或者完全不 使例如构成周边电路的晶体管特性劣化，能防止因周边区域的光泄漏、光 反射引起的对显示图像的不良影响，能够显示高品质的图像。在本专利技术所涉及的第1电光装置的一个方式中，上述开口部沿上述晶 体管的沟道宽度方向隔开预定间隔形成多个。才艮据该方式，开口部例如从遮光膜的与晶体管的沟道宽度方向的 一端 重合的部分到与晶体管的沟道宽度方向的另一端重合的部分为止，例如隔开lnm等的预定间隔形成多个。从而，可以进一步可靠地抑制或者防止因 遮光膜而可能产生的晶体管特性的劣化。在本专利技术所涉及的第1电光装置其他方式中，上述开口部在上述M 上俯视时，与上述晶体管的沟道区域至少部分重合。根据该方式，遮光膜与晶体管的沟道区域至少部分不重合。因而，可 以抑制或者防止遮光膜可能给晶体管的沟道区域带来的不良影响。从而， 可以进一步可靠地抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶体管特性的劣 化。在本专利技术所涉及的第1电光装置其他方式中，上述开口部的宽度小于 等于l拜。才艮据该方式，可以利用遮光膜基本或者实际上完全遮蔽光。因而，可 以进一步可靠抑制或者防止来自周边区域的光泄漏、因晶体管而产生的 折返光的再反射。在本专利技术所涉及的第1电光装置的其他方式中，上述遮光膜具备第 1遮光部分，具有上述开口部；和第2遮光部分，沿着上述晶体管的沟道 宽度方向，在与上述第1遮光部分相比、离上述像素区域远的一侧，与上 述第1遮光部分相邻来形成，并且具有和上述第1遮光部分相互不同的平 面图形。根据该方式，可以利用具有开口部的第1遮光部分，抑制周边区域之 中的离像素区域比较近的区域的光泄漏、光反射。再者，例如通过以具有 与晶体管重合的部分比第1遮光部分的该部分小的平面图形的方式形成第 2遮光部分，就可以进一步可靠地抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶 体管特性的劣化。也就是说，在周边区域之中的离像素区域较远而达到基 本或实际上完全不发生因光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响之 程度的区域，通过以使遮光膜和晶体管重合的部分变小的方式形成第2遮 光部分，就可以进一步可靠地抑制或者防止晶体管特性的劣化。在上述遮光膜具备第1及第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征为，　在基板上，具备：　多个像素电极；　晶体管，其设置于周边区域，该周边区域位于排列有该多个像素电极的像素区域的周边；以及　遮光膜，其配置于比该晶体管靠下层侧，在上述基板上俯视时，与上述晶体管的至少一部分重合，并且形成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部。

【技术特征摘要】
JP 2007-8-2 201651/2007;JP 2008-5-27 137918/20081.一种电光装置，其特征为，在基板上，具备多个像素电极；晶体管，其设置于周边区域，该周边区域位于排列有该多个像素电极的像素区域的周边；以及遮光膜，其配置于比该晶体管靠下层侧，在上述基板上俯视时，与上述晶体管的至少一部分重合，并且形成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部。2. 根据权利要求1所述的电光装置，其特征为， 上述开口部沿上述晶体管的沟道宽度方向，隔开预定间隔形成有多个。3. 根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为，上述开口部在上述^上俯视时，与上述晶体管的沟道区域至少部分重合。4. 根据权利要求1到3中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述开口部的宽度为ljim以下。5. 根据权利要求1到4中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述遮光膜，具备第l遮光部分，其具有上述开口部；和第2遮光部分，其沿着上述晶体管的沟道宽度方向，在与上述第l遮 光部分相比、离上述像素区域较远的一侧，与上述第1遮光部分相邻来形 成，并且具有与上述第1遮光部分相互不...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川雅嗣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]