电光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，提高相对于晶体管的遮光性，并使开口率提高。电光装置，在基板（１０）上，具备：电连接于数据线（６ａ）的晶体管（３０），与晶体管对应设置的像素电极（９ａ），以覆盖晶体管的半导体层的方式设置的遮光部（１１），以与遮光部重叠的方式设置、相比像素电极形成于下层侧且相比半导体层形成于上层侧的第１导电膜（７１），和隔着层间绝缘膜（４２）相比第１导电膜形成于上层侧并通过接触孔（８４）与第１导电膜电连接的第２导电膜（９１）。进而，遮光部，具有伸出于与像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分（１１ｔ）；接触孔，从基板上俯视，与伸出部分至少局部重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备该电光装置的例如液 晶投影机等的电子设备。
技术介绍
作为这种电光装置之一例的液晶装置，多用作例如投影型显示装置的 光调制单元(光阀)。尤其在用于投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以为了使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT: Thin Film Transistor )不会由于该光产生的泄漏电流的增大、误工作等， 将作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内置于液晶光阀。更具体地，这样 的遮光膜，由构成包括为了按每个像素对像素电极进行驱动而在显示区域 中纵向横向交叉布线的数据线及扫描线、还有按每个像素电连接于扫描线 及数据线的TFT的各种元件等的导电膜的至少一部分形成，或者除此之外 或代替于此，有时也用于仅起到单纯作为遮挡入射光的遮光单元的作用， 另行作为与数据线及扫描线的平面的图形形状相对应的栅格状或者条带状 的图形而形成。在这样的J41上形成有遮光膜的区域、即在基板上不使光透射的非开 口区域，用于使TFT与像素电极进行电连接的接触孑L，开孔于对像素电极、 相比其形成于下层侧的各种布线、TFT等的电子元件进行层间绝缘的层间 绝缘膜(例如参照专利文献l)。专利文献1特开2004-198849号/>才艮可是，为了谋求应按照显示图像的高质量化的一般性要求的电光装置的高清晰化或者像素间距的微细化，为了谋求应显示更明亮的图像的像素 的高开口率化，在使设置于相互相邻的像素间的遮光膜的宽度单纯变窄的情况下，存在光变得容易向TFT入射、即相对于TFT的遮光性有可能下 降的技术问题。进而，在使这样的遮光膜的宽度单纯变窄的情况下，存在 虽然在非开口区域中确保用于设置接触孔的空间，但是制造工序上或者设 计上变得困难的技术问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于例如上述问题而作出的，其目的在于提供能够提高相对 于晶体管的遮光性、并使开口率提高、能够显示明亮高质量的图像的电光 装置，以及具备该电光装置的电子设备。本专利技术的电光装置为了解决上述问题，在J41上，具备数据线；电 连接于该数据线的晶体管；与该晶体管对应地设置的像素电极；覆盖所述 晶体管的半导体层而设置的遮光部；与所述遮光部重叠地设置、相比所述 ^泉素电极形成于下层侧且相比所述半导体层形成于上层侧的第l导电膜； 和隔着层间绝缘膜相比该第l导电膜形成于上层侧并且通过开孔于所述层 间绝缘膜的接触孔与所述第1导电膜电连接的第2导电膜，所述遮光部，具有伸出于与所述像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部 分，从所述皿上俯^f见，所述接触孔与所述伸出部分至少局部重叠。根据本专利技术的电光装置的电光装置，可以进行例如由控制从数据线向 像素电极的图像信号的供给的、所谓有源矩阵方式产生的图像显示。在此，本专利技术中的所谓开口区域，是实质上使显示光出射的像素内的区域，是形成由例如ITO (Indium Tin Oxide，锢锡氧化物)等的透 明导电材料构成的像素电极、光透射的区域，是可以相应于透射率的改变而使逸出液晶等电光物质的出射光的灰度等级变化的区域。换言之，所谓 开口区域，，，是指除了非开口区域之外的区域，该非开口区域是指聚光 于像素的光由光不能透射、或者光透射率与透明电极相比相对较小的布线、 遮光膜及各种元件等的遮光体遮挡的区域。在此，所谓非开口区域， 是指有助于显示的光不透射的区域，例如在像素内配设有不透明的布线或者电极、或各种元件等的遮光体的区域。进而，所谓开口率，是指将 开口区域及非开口区域相加的像素尺寸中的开口区域的比例。在基板上在应成为显示区域的区域例如以矩阵状设置多个像素电极。并且，数据线、晶体管、第l及笫2导电膜以及其他用于对像素电极进行 驱动的各种构成要素，形成于非开口区域。晶体管所具有的半导体层，形成于例如非开口区域之中的与数据线及 扫描线的交叉处相对应的交叉区域。第1导电膜相比像素电极形成于下层側且相比半导体层形成于上层 侧。第2导电膜隔着层间绝缘膜相比第1导电膜形成于上层侧。第1及第 2导电膜，通过开孔于层间绝缘膜的接触孔互相电连接。还有，层间绝缘 膜既可以作为由l层构成的单层膜，也可以作为具有2层以上的叠层结构 的多层膜而形成。遮光部，覆盖晶体管的半导体层而设置。即，遮光部，为了至少局部 限定非开口区域，而形成于与半导体层互不相同的层(即，比半导体层靠 上层侧或者下层侧) 进而，从J41上俯^L，遮光部与半导体层的至少一 部分重叠。换言之，遮光部，以从上层侧或者下层侧覆盖半导体层的至少 一部分的方式形成。因而，通过遮光部能够基本遮挡相对于半导体层从其 上层侧垂直地或者倾斜入射的光、或者从其下层侧入射的返回光。还有， 在返回光，，中，包括例如在基板中的内面反射、复板式的投影机等从其 他电光装置发出而穿过合成光学系统的光等。由此，能够提高相对于晶体 管的遮光性，例如能够降低晶体管中的光泄漏电流。还有，遮光部，作为包括遮光性材料的单层膜或者多层膜形成。遮光 部，既可以作为数据线形成，也可以作为与晶体管电连接的电容元件形成， 又可以作为扫描线形成。在本专利技术中，尤其是遮光部，具有伸出于开口区域的角部的伸出部分。 例如，在数据线及扫描线相交叉的交叉区域中，具有从开口区域的角部朝 向开口区域的中央伸出的伸出部分。即，如果以四边形的开口区域为基准 来考虑，则伸出部分以在开口区域的四个角部具有长方形状或者正方形状 的方式，从开口区域的角部朝向开口区域的中央伸出。因而，通过遮光部中的伸出部分能够有效地对入射于设置于交叉区域的半导体层的光进行遮 光。即，与不存在这样的伸出部分的情况相比，在例如假设伸出部分相比 半导体层形成于上层側的情况下，通过伸出部分能够更可靠地对相对于半 导体层从其上层侧垂直地或者倾斜入射的入射光、基于此的漫反射光及杂散光等进行遮挡；在例如假设伸出部分相比半导体层形成于下层侧的情况 下，通过伸出部分能够更可靠地对相对于半导体层从其下层侧垂直地或者 倾斜入射的返回光、基于此的漫反射光及杂散光等进行遮挡。即，可以通 过伸出部分提高或者强化相对于半导体层的遮光性。进而在本专利技术中尤其是，从1^1上俯视，接触孔与伸出部分至少局部 重叠。即，从M上俯视，在层间绝缘膜上，在与伸出部分至少局部重叠 的位置上开孔接触孔。典型性的，在非开口区域之中的在形成遮光部中的 伸出部分的区域(换言之，为用于提高相对于晶体管的遮光性的遮光区域) 配置接触孔。从而，能够防止仅为了接触孔的配置而将非开口区域之中沿 数据线的区域或者沿扫描线的区域的宽度不必要地扩大、不必另行将非开 口区域的一部分扩大，可以确保各像素中的开口区域的尺寸更大。即，可 以j吏开口率提高。另外，由于接触孔与伸出部分至少局部重叠地配置，通过接触孔(即， 通过形成于接触孔内的第2导电膜的一部分、或者在接触孔内作为由遮光 性导电材料构成的插塞而形成的导电部)，能够减少入射于半导体层的光， 即，通过接触孔能够对相对于半导体层从其上层侧倾斜地进行入射的光， 进行遮光。如上所述，根据本专利技术的电光装置，在各像素中能够提高相对于晶体 管的遮光性并提高开口率，最终能够显示明亮、高质量的图像。在本专利技术的电光装置的一方式中，所述伸出部分，形成于所述开口区 域的四个角部中的各个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，　在基板上，具备：　数据线，　电连接于该数据线的晶体管，　与该晶体管对应地设置的像素电极，　以覆盖所述晶体管的半导体层的方式设置的遮光部，　以与所述遮光部重叠的方式设置、相比所述像素电极形成于下层侧且相比所述半导体层形成于上层侧的第１导电膜，和　隔着层间绝缘膜相比该第１导电膜形成于上层侧并且通过开孔于所述层间绝缘膜的接触孔与所述第１导电膜电连接的第２导电膜；　所述遮光部，具有伸出于与所述像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分；　所述接触孔，从所述基板上俯视，与所述伸出部分至少局部重叠。

【技术特征摘要】
JP 2007-8-9 207644/2007;JP 2008-5-27 137915/20081.一种电光装置，其特征在于，在基板上，具备数据线，电连接于该数据线的晶体管，与该晶体管对应地设置的像素电极，以覆盖所述晶体管的半导体层的方式设置的遮光部，以与所述遮光部重叠的方式设置、相比所述像素电极形成于下层侧且相比所述半导体层形成于上层侧的第1导电膜，和隔着层间绝缘膜相比该第1导电膜形成于上层侧并且通过开孔于所述层间绝缘膜的接触孔与所述第1导电膜电连接的第2导电膜；所述遮光部，具有伸出于与所述像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分；所述接触孔，从所述基板上俯视，与所述伸出部分至少局部重叠。2. 按照权利要求l所述的电光装置，其特征在于 所述伸出部分，形成于所述开口区域的四个角部中的各个角部。3. 按照权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于 所述第2导电膜，包括金属膜，具有形成于所述接触孔内的部分。4. 按照权利要求1 3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于 所述遮光部，为具有在所述^i4l上从下层侧依次叠层的下部电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川雅嗣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]